GaAs-Alo 3Gao 7As kuantum çukurları sistemlerinde düzlemsel fotoiletkenlik
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 10107
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ALİ GÜNGÖR
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Fotoiletkenlik, Kuantum kuyusu, Photoconductivity, Quantum well
- Yıl: 1991
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu çalışmada iki ayrı GaAs-Al Ga As kuantum çukurları sistemleri f otoiletkenlik tekniği ile incelenmiştir. Elektrik alan, kuantum çukurlarının büyütülme eksenine dik doğrultuda uygulanmıştır. Monokromatik ışık altında elde edilen spektrumlarda gözlenen eksitonik geçişler, yapılan hesaplamalarla anlaşılmaya çalışılmış ve bandlaşma etkisi Kronig-Penney modeliyle incelenmiştir. Alçak sıcaklıklarda (T<100 K) yapılan deneylerde kalıcı fotoiletkenlik her iki kuantum çukurları sistemlerinde gözlenmiştir. Son olarak örneklerden biri için fon (background) ışığı ile fotoiletkenlik deneyleri tekrarlanmış ve gözlenen“defekt”seviyesinden ortaya çıkan fotoiletkenlik maksimumu anlaşılmaya çalışılmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In this study, two different GaAs-Al 0.3 Ga 0.7 quantum well struktures have been investigated by in-plane photoconductivity tecniquo. Different electric fields and light Intensities arc used to understand the electronic behavior of the structures. The low temperature (T<100 K) experiments show that that persistent photoconductivity is dominant. For photon energie slightly below the band gap of GaAs we find a sharp defect state at the same experimental condition. Electron and hole quantum states are calculated by using Bastard's k.p solution for single quantum well and Kronig-Penney model is used to understand subband effects for higher band to band exel tonic transitions. Light hole and electron nonparobolicities are included in both models.Dependence on background illumination intensities of whole photoconductivity spectrum show that, defect states are acceptor states. 1 1
Benzer Tezler
- GaAs/Al0.2Ga0.8As süperörgünün optiksel özelliklerinin fotomlüminesans yöntemiyle incelenmesi
Examination of optical properties of GaAs/Al0.2Ga0.8As superlattice with photoluminescence method
SİBEL ÖZKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. MAHİR BÜLBÜL
- Moleküler demet epitaksi tekniğiyle üretilen Al0.6Ga0.4As/GaAs tekli kuantum kuyulu yapının optiksel ve yapısal özellikleri
An investigation of optical and structural properties of the growth AlGaAs/GaAs mono quatum well semiconductor structure by molecular beam epitaxy
VEYSEL ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
Y.DOÇ.DR. ORHAN ZEYBEK
- Oscillatory magnetoresistance in two dimensional aemiconductor structures
İki boyutlu yarı iletken yapılarda magneto-direnç salınımı
BERRİN USLU
- InSb and InAsSb infrared photodiodes on alternative substrates and InP/InGaAs quantum well infrared photodetectors: Pixel and focal plane array performance
Alternatif tabanlar üzerinde InSb ve InAsSb kızılötesi fotodiyotlar ve InP/InGaAs kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektörler: Piksel ve odak düzlem matrisi performansı
SELÇUK ÖZER
Doktora
İngilizce
2005
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
PROF.DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Kötü amaçlı android tabanlı yazılım tespitinin güncel meta-sezgisel algoritmalar ile karşılaştırmalı analizi
Comparative analysis of malicious android based software detection with recent metaheuristic algorithms
MEHMET ŞİRİN BEŞTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolSiirt ÜniversitesiBilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ÖZLEM BATUR DİNLER