Long wavelength GaAs based hot electron photoemission detectors
GaAs temelli uzun dalgaboylarında çalışan sıcak elektron fotoemisyon detektörü
- Tez No: 83732
- Danışmanlar: DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Resonant Çınlaç, Resonant Çınlaç Arttırımı, Schottky Fotodetektör, İç Fotoemisyon, Yüksek Hız, Yüksek Kuvantum Verimi, Hız-verim Çarpımı, Resonant Cavity, Resonant Cavity Enhancement, Schottky pho- todetector, Internal Photoemission, High Speed, High Quantum Efficiency, Bandwidth-Efficiency Product
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Özet GAAS TEMELLİ UZUN DALGABOYLARINDA ÇALIŞAN SICAK ELEKTRON FOTOEMİSYON DETEKTÖRÜ ibrahim Kimukin Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Ekmel Özbay Temmuz 1999 İletişim alanındaki hızlı gelişme bilim ve teknolojiyi etkilemekte, ve yüksek per formanslı aygıtlara ihtiyaç duymaktadır. Fotodetektörler optoelektronik tümleşik devre ve optiklif iletişim sistemlerinin vazgeçilmez elemanlarıdır. Resonans çınlaç arttırımlı (RCE) fotodetektörler yüksek performansla beraber daigaboyu seçimini sunmaktadır. Bu tezde GaAs/AlGaAs temelli, birinci (850 nm) ve ikinci (1300 nm) optiklif iletişim penceresinde çalışan Schottky fotodetektörlerin tasarım, üretim, ve karak- terizasyonunu sunmaktayız. Diyot yapılarının tasarımı transfer matris yöntemine dayalı simulasyon ile yapıldı ve moleküler ışın büyütme tekniğiyle büyütüldü. 840 nm de çalışan fotodedektörde kuvantum verimini arttırmak için Schottky tabakası indiyum kalay oksit (İTO) ile büyütüldü. İkinci detektör gelişmiş GaAs prosesine uygun, iç fotoemisyon kullanarak tasarlandı. Bu tasarımki amacımız yüksek hız ve ikinci optiklif iletişim penceresinde çalışmak idi. Ölçümlerimizde 840 nm de çalışan dedektörde 20 GHz 3-dB bantgenişliği ve % 60 kuvantum verimi elde ettik. 1310 nm de çalışan dedektörde 50 GHz bantgenişliği ve % 0.05 kuvantum verimi beklemekteyiz.
Özet (Çeviri)
Abstract LONG WAVELENGTH GAAS BASED HOT ELECTRON PHOTOEMISSION DETECTORS * Ibrahim Kimukin M. S. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Ekmel Ozbay July 1999 The increasing rate of telecommunication alters both science and technology, and demands high performance components. Photodetectors are essential components of optoelectronic integrated circuits and fiber optic communication systems. A new family of photodetectors offer high performance along with wavelength selectivity: resonant cavity enhanced (RCE) photodetectors. In this thesis, we present our efforts for design, fabrication and characterization of GaAs/AlGaAs based Schottky photodetectors operating within the first (850 nm) and second (1300 nm) optical communication windows. Epitaxial wafers are designed using transfer matrix method based simulation and are grown with molecular beam epitaxy. The photodetector operating at 840 nm was designed with indium tin oxide (ITO) Schottky layer for high quantum efficiency. The second photodetector is based on internal photoemission, and is compatible with advanced GaAs process technology. Our aim with this design is high speed operation at the second optical communication window. We measured 20 GHz 3-dB bandwidth with 60% quantum efficiency at 840 nm. We expect 50 GHz 3-dB bandwidth with 0.05% quantum efficiency at 1310 nm.
Benzer Tezler
- Metal-organik kimyasal buharlaştırma tekniği ile büyütülmüş uzun dalgaboylu lazer yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of electrical properties of long wavelength laser structures, produced via metal-organic chemical vapor deposition technique
NESLİHAN AYARCI KURUOĞLU
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KUTSAL BOZKURT
PROF. DR. ORHAN ÖZDEMİR
- Dual and single color mid-wavelength infrared quantum well photodetectors
Çift ve tek renkli orta dalgaboyu kızılötesi kuantum kuyulu fotodedektörler
MELİH KALDIRIM
Yüksek Lisans
İngilizce
2008
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Single and dual band quantum well infrared photodetector focal plane arrays on InP substrates
InP taban üzerinde tek ve iki bantlı kuantum kuyulu kızıl ötesi fotodedektör odak düzlem matrisleri
SÜLEYMAN UMUT EKER
Doktora
İngilizce
2010
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- Low temperature grown GaAs based resonant cavity enhanced photodiodes
Düşük sıcaklıkta büyütülmüş GaAs tabanlı resonant kavite arttırımlı fotodiyotlar
BAYRAM BÜTÜN
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ORHAN AYTÜR
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL