Geri Dön

Long wavelength GaAs based hot electron photoemission detectors

GaAs temelli uzun dalgaboylarında çalışan sıcak elektron fotoemisyon detektörü

  1. Tez No: 83732
  2. Yazar: İBRAHİM KİMUKİN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Resonant Çınlaç, Resonant Çınlaç Arttırımı, Schottky Fotodetektör, İç Fotoemisyon, Yüksek Hız, Yüksek Kuvantum Verimi, Hız-verim Çarpımı, Dalgaboyu, Fotodedektörler, Fotoemisyonlu detektör, Karakterizasyon, Üretim, Resonant Cavity, Resonant Cavity Enhancement, Schottky pho- todetector, Internal Photoemission, High Speed, High Quantum Efficiency, Bandwidth-Efficiency Product, Wavelength, Photodetectors, Photoemissive detector, Characterization, Production
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Özet GAAS TEMELLİ UZUN DALGABOYLARINDA ÇALIŞAN SICAK ELEKTRON FOTOEMİSYON DETEKTÖRÜ ibrahim Kimukin Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Ekmel Özbay Temmuz 1999 İletişim alanındaki hızlı gelişme bilim ve teknolojiyi etkilemekte, ve yüksek per formanslı aygıtlara ihtiyaç duymaktadır. Fotodetektörler optoelektronik tümleşik devre ve optiklif iletişim sistemlerinin vazgeçilmez elemanlarıdır. Resonans çınlaç arttırımlı (RCE) fotodetektörler yüksek performansla beraber daigaboyu seçimini sunmaktadır. Bu tezde GaAs/AlGaAs temelli, birinci (850 nm) ve ikinci (1300 nm) optiklif iletişim penceresinde çalışan Schottky fotodetektörlerin tasarım, üretim, ve karak- terizasyonunu sunmaktayız. Diyot yapılarının tasarımı transfer matris yöntemine dayalı simulasyon ile yapıldı ve moleküler ışın büyütme tekniğiyle büyütüldü. 840 nm de çalışan fotodedektörde kuvantum verimini arttırmak için Schottky tabakası indiyum kalay oksit (İTO) ile büyütüldü. İkinci detektör gelişmiş GaAs prosesine uygun, iç fotoemisyon kullanarak tasarlandı. Bu tasarımki amacımız yüksek hız ve ikinci optiklif iletişim penceresinde çalışmak idi. Ölçümlerimizde 840 nm de çalışan dedektörde 20 GHz 3-dB bantgenişliği ve % 60 kuvantum verimi elde ettik. 1310 nm de çalışan dedektörde 50 GHz bantgenişliği ve % 0.05 kuvantum verimi beklemekteyiz.

Özet (Çeviri)

Abstract LONG WAVELENGTH GAAS BASED HOT ELECTRON PHOTOEMISSION DETECTORS * Ibrahim Kimukin M. S. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Ekmel Ozbay July 1999 The increasing rate of telecommunication alters both science and technology, and demands high performance components. Photodetectors are essential components of optoelectronic integrated circuits and fiber optic communication systems. A new family of photodetectors offer high performance along with wavelength selectivity: resonant cavity enhanced (RCE) photodetectors. In this thesis, we present our efforts for design, fabrication and characterization of GaAs/AlGaAs based Schottky photodetectors operating within the first (850 nm) and second (1300 nm) optical communication windows. Epitaxial wafers are designed using transfer matrix method based simulation and are grown with molecular beam epitaxy. The photodetector operating at 840 nm was designed with indium tin oxide (ITO) Schottky layer for high quantum efficiency. The second photodetector is based on internal photoemission, and is compatible with advanced GaAs process technology. Our aim with this design is high speed operation at the second optical communication window. We measured 20 GHz 3-dB bandwidth with 60% quantum efficiency at 840 nm. We expect 50 GHz 3-dB bandwidth with 0.05% quantum efficiency at 1310 nm.

Benzer Tezler

  1. Kuyruk modelleri ve analizi üzerine bir uygulama

    Başlık çevirisi yok

    DİDEM ÖZPULAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    İstatistikEge Üniversitesi

    Bilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FİKRET İKİZ

  2. Gazi tipi eksternal fiksatörlerle yapılan uygulamalarda kırık hattındaki kompresyonun biyomekanik olarak“strain gage”lerle tayini

    Başlık çevirisi yok

    HÜSEYİN ŞENGÜL

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    Ortopedi ve TravmatolojiGazi Üniversitesi

    Ortopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ORHAN ASLANOĞLU

  3. Barajların hacim-verim ilişkisi üzerine bir araştırma

    Başlık çevirisi yok

    MEHMET KILIÇARSLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    İnşaat MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TEFARUK HAKTANIR

  4. Çekirdeksiz kuru üzümde uygulanan politikanın Ege Bölgesinde üretim ve üretici açısından sonuçlarının değerlendirilmesi

    Başlık çevirisi yok

    GÜVEN ÖZERİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    ZiraatEge Üniversitesi

    Tarım Ekonomisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. METİN TALİM