Moleküler demet epitaksi tekniğiyle üretilen Al0.6Ga0.4As/GaAs tekli kuantum kuyulu yapının optiksel ve yapısal özellikleri
An investigation of optical and structural properties of the growth AlGaAs/GaAs mono quatum well semiconductor structure by molecular beam epitaxy
- Tez No: 169032
- Danışmanlar: PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK, Y.DOÇ.DR. ORHAN ZEYBEK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
ÖZET MOLEKÜLER DEMET EPİTAKSİ TEKNİĞİYLE ÜRETİLEN Alo.eGa0.4As/GaAs TEKLİ KUANTUM KUYULU YAPININ OPTİKSEL VE YAPISAL ÖZELLİKLERİ Veysel ÇELİK Balıkesir Üniversitesi, Fen bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dah (Yüksek Lisans Tezi/ Tez danışmanı: Yrd. Doç. Dr. Orhan Zeybek) (İkinci Danışman: Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK) Balıkesir, 2005 Bu çalışmada incelenen Alo.0Gao.4As/GaAs yarıiletken yapısı Gazi Üniversitesi STARLAB'ta bulunan Moleküler Demet Epitaksi tekniğiyle büyütüldü. Karekterizasyonu STARLAB'ta bulunan fotolüminesans ve elipsometri aygıtları ile yapıldı. Alo.6Gao.4As/GaAs yapısının optiksel özellikleri fotolüminesans tekniğiyle incelendi. İnceleme sırasında 650 nm dalga boyunda ve 1.91 eV enerjili ışık kaynağı kullanıldı. Deneysel ölçümler 16 K ve 298 K'de yapıldı sırasıyla bu sıcaklıklarda 1.480 eV ve 1.500 eV değerine sahip pikler elde edildi. Bu sonuçlar kuantum kuyusundaki ilk elektron alt bandı ile ilk ağır hol alt bandı arasındaki enerji farkım göstermiştir. Alo.6Gao.4As/GaAs yapışırım yapısal özellikleri elipsometri tekniği ile incelendi. Ölçümler 73°, 76° ve 79°'de yapıldı. Bu ölçümler sonucunda *P ve A grafikleri elde edildi. Daha sonra bilgisayar ortamında üretilen Alo.6Gao.4As/GaAs yapısının *P ve A grafikleri ile deneysel olanlar karşılaştırıldı. Sonuçlar deneysel ve teoriksel grafiklerin uyum içinde olduğunu gösterdi. Bu sonuçlar istediğimiz yapıyı başarıyla büyüttüğümüzü göstermiştir. ANAHTAR SÖZCÜKLER: AlGaAs/GaAs / GaAs / AlAs / Moleküler Demet Epitaksi / Fotolüminesans / Elipsometri / Yarıiletkenler / Düşük Boyutlu Yarıiletkenler 11
Özet (Çeviri)
ABSTRACT AN INVESTIGATION OF OPTICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF THE GROWTH AIGaAs/GaAs MONO QUATUM WELL SEMICONDUCTOR STRUCTURE BY MOLECULAR BEAM EPITAXY Veysel ÇELİK Balıkesir University, Institu of Science, Department of Physics (Ms. Thesis / Supervisor: Assist. Prof. Dr. Orhan ZEYBEK) (Second Supervisor: Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK) Balıkesir, 2005 In this study, optical and structural properties of Alo,6Gao,4As/GaAs have been investigated by Molecular Beam Epitaxy at STARLAB, Gazi University. The characterisation of Alo,6Gao,4As/GaAs has been analysed by photoluminesance and ellipsometry at the STARLAB. An optical properties Alo,6Gao,4As/GaAs semiconductor have been studied by the technique of photoluminesance. The light used to analyse during the photoluminasance has been adjusted to wavelength of 950 nm and energy of 1.910 eV. The experimental measurements have been carried out at temperatures of 16 K and 298 K. The maximum peaks found at 16 K and 298 K is appeared at 1.480 eV and 1.500 eV respectively. The results show the difference between first electron subband and heavy hole subband energy in quantum well. The structural properties of Alo^Gao^s/GaAs semiconductor have been examined by the technique of ellipsometry on the angles of 73°, 76° and 79°. When these measurements have been completed, the graphics of ¥ and A have been obtained. Afterwards, the comparison of the graphics of T and A has been carried out between the computerised simulations and experimental results of Alo,6Gao,4As/GaAs. It is found that the results of graphics are in good agreement. It should be concluded that the structure of Alo,6Gao,4As/GaAs has been obtained successfully. KEY WORDS : AIGaAs/GaAs / GaAs / AlAs / Molecular Beam Epitaxy / Photoluminescence / Ellipsometry / Semiconductor / Low dimensional structure 111
Benzer Tezler
- High-operating-temperature (HOT) infrared detectors based on antimonide heterostructures
Antimoni çokluyapı tabanlı yüksek sıcaklıkta çalışan (HOT)kızılötesi dedektörler
MELİH KORKMAZ
Doktora
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. UĞUR SERİNCAN
- Güneş hücresi ve lazer uygulamaları için büyütülen SB tabanlı III-V grubu yarıiletken yapıların incelenmesi
Investigation of grown SB-based III-V group semiconductor structures for solar cell and laser applications
SABAHATTİN ERİNÇ ERENOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiEskişehir Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ BURCU ARPAPAY
- InGaAs/GaAs süperörgü yapılarının moleküler demet epitaksi (MBE) tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of InGaAs / GaAs super lattice structures grown via molecular beam epitaxy (MBE)
HALİL İBRAHİM EFKERE
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. TUNCAY KARAASLAN
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Growth and characterization of group III-V nanostructures on Si substrates by MBE
Si alttaş üzerine III-V grubu nanoyapilarin MBE tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu
BURCU ARPAPAY
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
PROF. DR. MEHMET ALİ GÜLGÜN
- Investigation of structural, optical and electrical properties of MBE grown Si-Ge thin films
MBE ile büyütülmüş Si-Ge ince filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
İSA ŞEKER
Doktora
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiFatih ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAYRAM ÜNAL