Geri Dön

Malzeme üretim teknolojisinde eş katkılı Eu: AlZnO ince filmlerin daldırma kaplama yöntemi ile üretimi, yapı, morfolojik ve optik özellikleri

Production, structural, morphological and optical properties of co-doped Eu: AlZnO thin films by dip coating method in materials manufacturing technology

  1. Tez No: 1021854
  2. Yazar: OSMAN SALİH GÜNDOĞDU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ELİF GÜNGÖR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Daldırmalı kaplama, eş katkılı Eu:AlZnO, fotolüminesans, ince film, sol-jel, şeffaf iletken oksitler, XRD, Fiziksel optik, Yarı iletken ince filmler, Yüz morfolojisi, Dip coating, co-doped Eu:AlZnO, photoluminescence, thin film, sol-gel, transparent conductive oxides, XRD, Physical measurements, Semiconductor thin films, Facial morphology
  7. Yıl: 2026
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu tez çalışmasında, Europiyum (Eu) ve Alüminyum (Al) eş katkılı ZnO ince filmler (Eu:AlZnO), sol-jel daldırma kaplama yöntemiyle cam alt tabakalar üzerine kaplandı ve yapısal, morfolojik, optik ile fotolüminesans özellikleri incelendi. İnce filmler X-ışını kırınımı (XRD), taramalı elektron mikroskobu (SEM), UV-Görünür bölge spektrofotometresi (UV-Vis) ve fotolüminesans (PL) spektroskopisi kullanılarak karakterize edildi. XRD sonuçları, tüm filmlerin hegzagonal wurtzit ZnO yapısında ve baskın (002) yöneliminde kristalleştiğini gösterdi. Eu katkı oranının %5'e kadar artırılması kristal kaliteyi iyileştirirken, daha yüksek katkı oranlarında örgü gerilmeleri nedeniyle kristal yapıda bozulmalar gözlendi. SEM analizleri, %5 Eu katkılı filmin daha homojen ve kompakt bir yüzey morfolojisine sahip olduğunu ortaya koydu. Optik analizler, düşük Eu katkılı filmlerde yaklaşık %97 geçirgenlik gösterirken, yüksek katkı oranlarında geçirgenliğin azaldığı belirlendi. Optik bant aralığı, Eu katkısının artmasıyla 2.97 eV'den 2.82 eV'ye düşmüş, Urbach enerjisi sonuçları ise yapısal düzensizliğin katkı oranına bağlı olarak değiştiğini gösterdi. PL çalışmaları, filmlerin UV ve görünür bölgede emisyon sergilediğini, Eu katkılamasının kusur kaynaklı yeşil-sarı emisyonları baskılayarak emisyon karakterini mavi-mor bölgeye kaydırdığını ortaya koydu. Sonuçlar, sentezlenen Eu:AlZnO ince filmlerin yüksek optik geçirgenlik, iyileştirilmiş kristal yapı, ayarlanabilir bant aralığı ve geliştirilmiş fotolüminesans özellikleri sergilediğini göstermektedir; bu da söz konusu malzemelerin yeni nesil UV fotodetektörleri, ışık yayan diyotlar (LED'ler), fotovoltaik güneş pilleri ve akıllı pencere uygulamalarında kullanım açısından büyük bir potansiyele sahip olabileceğini düşündürmektedir. Ayrıca, bulgular %5 Eu katkı oranının yapısal, optik ve morfolojik özellikler açısından optimum performans sağladığını ve optoelektronik uygulamalar için en uygun bileşimi temsil ettiğini göstermektedir.

Özet (Çeviri)

In this thesis study, co-doped Europium (Eu) and Aluminum (Al) ZnO thin films (Eu:AlZnO) were deposited on glass substrates using the sol-gel dip-coating method, and their structural, morphological, optical, and photoluminescence properties were investigated. The thin films were characterized using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), UV-Vis spectrophotometry, and photoluminescence (PL) spectroscopy. XRD results showed that all films crystallized in the hexagonal wurtzite ZnO structure and a dominant (002) orientation. While increasing the Eu doping concentration to 5% improved crystal quality, structural defects were observed at higher doping levels due to lattice stresses. SEM analyses revealed that the 5% Eu-doped film possessed a more homogeneous and compact surface morphology. Optical analyses revealed that while films with low Eu doping exhibited approximately 97% transmittance, transmittance decreased at higher doping levels. The optical bandgap decreased from 2.97 eV to 2.82 eV with increasing Eu doping, while Urbach energy results indicated that structural disorder varied depending on the doping level. PL studies revealed that the films exhibited emission in the UV and visible regions, and that the Eu dopant suppressed the green-yellow emission caused by defects, shifting the emission profile toward the blue-violet region. The results indicate that the synthesised Eu:AlZnO thin films possess high optical transmittance, improved crystal structure, tunable bandgap, and improved photoluminescence properties suggesting that these materials may hold high potential for use in next-generation UV photodetectors, light-emitting diodes (LEDs), photovoltaic solar cells, and smart window applications. Furthermore, the findings indicate that a 5% Eu doping level provides optimal performance in terms of structural, optical, and morphological properties and represents the most suitable composition for optoelectronic applications.

Benzer Tezler

  1. Designing n-type zintl phases for thermoelectric power generation applications

    N-tip zintl fazlarının termoelektrik enerji üretim uygulamaları için tasarımı

    VERDA BERŞAN GENCELİ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Koç Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    Yükleniyor...

  2. Metal katkılı TiO2 ince filmlerin geliştirilmesi ve sensör uygulamaları

    Development of metal doped TiO2 thin films and sensor applications

    BUSE CÖMERT SERTEL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Gazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    Yükleniyor...

  3. Manyetokalorik etki gösteren manganitli bileşiklerin üretilmesi ve karakterizasyonu

    Preparation and characterization of the magnetocaloric effect in perovskite manganites samples

    YUSUF SAMANCIOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Muğla Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Yükleniyor...

  4. Capacitance-voltage and current-voltage characteristic properties of ZnO:Al/p-Si heterojunction

    ZnO:Al/p-Si heterokavşakların kapasitans-voltaj ve akım-voltaj karakteristik özellikleri

    YELİZ KÖSE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    İstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    Yükleniyor...

  5. Creep behavior investigation of 3d printed polyetherimide parts with carbon black reinforcement via experimental analysis and modeling

    3b basılmış karbon siyahı takviyeli polieterimid parçaların deneysel analiz ve modelleme ile sürünme davranışının incelenmesi

    MERVE KARABAL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    İstanbul Teknik Üniversitesi

    Uçak ve Uzay Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    Yükleniyor...