Geri Dön

TIGaSe2(1-x)S2x yarıiletken kristallerinin büyütülmesi ve yasak enerji aralığının sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi

Growth of the TI GaSe2(1-x)S2x semi conductor crystals and to studied change of the band gaps energies as a function temperature

PDF İndir

  1. Tez No: 105260
  2. Yazar: SONGÜL DUMAN
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. BEKİR GÜRBULAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 74

Özet

ÖZET TlGaSe2(i-X)S2x tek kristalleri Bridgman-Stockbarger kristal büyütme metoduyla büyütüldü. Soğurma ölçüleri TlGaSe2(i-x)S2x (TlGaSeî, x=0.2, x=0.4, x=0.6, x=0.8 ve TlGaS2) numunelerinde 10-320 K sıcaklık aralığında alındı. Direkt ve indirekt enerji aralıkları sıcaklığın fonksiyonu olarak incelendi. Sıcaklıkla değişim az olduğunda 20 K'lik çok olduğunda 5 ve 10 K'lik adımlarla ölçüler alındı. TlGaSe2(i-X)S2x numunelerinin 10 K sıcaklığında, direkt enerji aralıkları sırasıyla 2.294 eV, 2.398 eV, 2.445 eV, 2.463 eV, 2.531 eV, 2.547 eV ve indirekt enerji aralıkları 2.148 eV, 2.252 eV, 2.305 eV, 2.432 eV, 2.442 eV ve 2.501 eV'dir. TlGaSe2(i-x)S2x (TlGaSe2, x=0.2, x=0.4, x=0.6, x=0.8 ve TlGaS2) tek kristalleri için hesaplanmış fonon enerjileri sırasıyla 0.039 eV, 0.051 eV, 0.021 eV, 0.006 eV, 0.006 eV ve 0.009 eV'dir. Direkt ve indirekt yasak enerji aralığında 90-100 K, 100 K, 100-120 K, 160-180 K, 220-240 K ve 240-250 K sıcaklıklarında ani değişiklikler gözlendi. Bu değişimler faz geçişi olarak yorumlandı.

Özet (Çeviri)

SUMMARY TlGaSe2(i-X)S2x single crystals were grown by the Bridgman-Stockbarger method. The absorption measurements were performed in TlGaSe2(i-X)S2x (TlGaSe2, x=0.2, x=0.4, x=0.6, x=0.8 and TlGaS2) samples in the temperature range 10-320 K. The direct and indirect energy band gaps were studied as a function of the temperature. The measurements were performed with steps of 20 K where the changes were small, and with steps of 5 and 10 K where the changes were large in the direct and indirect band gaps energies. The direct band gaps of TlGaSe2(i.x>S2X are 2.294 eV, 2.398 eV, 2.445 eV, 2.463 eV, 2.531 eV, 2.547 eV and the indirect band gaps are 2.148 eV, 2.252 eV, 2.305 eV, 2.432 eV, 2.442 eV and 2.501 eV, at 10 K, respectively. The phonon energies calculated for TlGaSe2(i-X)S2X (TlGaSe2, x=0.2, x=0.4, x=0.6, x=0.8, and TlGaS2) are 0.039 eV, 0,051 eV, 0.021 eV, 0.006 eV, 0.006 eV and 0.009 eV, respectively. The abrupt changes were observed in the direct and indirect band gaps at temperatures 90-100 K, 100 K, 100-120 K, 160-180 K, 220-240 K and 240-250 K. These changes were interpreted as phase transformation temperatures.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    154528

    Tabakalı yarıiletken kristallerden TIGaSe2, TIInS2 ve GaSe kristallerinin optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of optical properties of TIGaSe2, TIIns2 and GaSe crystals which are layered semiconductors

    SULTAN ÇEVİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. AYDIN GULUBAYOV

  2. Tez No

    768064

    TlGa(SxSe1-x)2 (0 ≤ x ≤ 1) amorf yarıiletken ince filmlerinin doğrusal olmayan optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of nonlinear optical properties of TlGa(sxse1-x)2 (0 ≤ x ≤ 1) amorphous semiconductor thin films

    TÜRKAN DİNÇBAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET KARATAY

  3. Tez No

    35103

    TILn Se2 ve TIGaSe2 (Ternary) yarıiletken bileşiklerinin büyütülmesi ve bazı elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    BAHATTİN ABAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. Y. KEMAL YOĞURTÇU

  4. Tez No

    150230

    Fe3+ atomları ile katkılandırılmış TIInS2 ve TIGaSe2 ferroelektrik kristallerinin dielektik özellikleri

    Dielectric specialities of TIInS2 and TIGaSe2 crystals which are doped with Fe3+ atoms

    CEMALETTİN BALTA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. FAİK MİKAİLOV

  5. Tez No

    58523

    İkili (InSe, InSe;Er, GaSe,GaSe;Gd) ve üçlü (TIGaSe2;Gd) tek kristallerin büyütülmesi soğurma ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    BEKİR GÜRBULAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU

Geri Dön