TIGaSe2(1-x)S2x yarıiletken kristallerinin büyütülmesi ve yasak enerji aralığının sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi
Growth of the TI GaSe2(1-x)S2x semi conductor crystals and to studied change of the band gaps energies as a function temperature
- Tez No: 105260
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. BEKİR GÜRBULAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
ÖZET TlGaSe2(i-X)S2x tek kristalleri Bridgman-Stockbarger kristal büyütme metoduyla büyütüldü. Soğurma ölçüleri TlGaSe2(i-x)S2x (TlGaSeî, x=0.2, x=0.4, x=0.6, x=0.8 ve TlGaS2) numunelerinde 10-320 K sıcaklık aralığında alındı. Direkt ve indirekt enerji aralıkları sıcaklığın fonksiyonu olarak incelendi. Sıcaklıkla değişim az olduğunda 20 K'lik çok olduğunda 5 ve 10 K'lik adımlarla ölçüler alındı. TlGaSe2(i-X)S2x numunelerinin 10 K sıcaklığında, direkt enerji aralıkları sırasıyla 2.294 eV, 2.398 eV, 2.445 eV, 2.463 eV, 2.531 eV, 2.547 eV ve indirekt enerji aralıkları 2.148 eV, 2.252 eV, 2.305 eV, 2.432 eV, 2.442 eV ve 2.501 eV'dir. TlGaSe2(i-x)S2x (TlGaSe2, x=0.2, x=0.4, x=0.6, x=0.8 ve TlGaS2) tek kristalleri için hesaplanmış fonon enerjileri sırasıyla 0.039 eV, 0.051 eV, 0.021 eV, 0.006 eV, 0.006 eV ve 0.009 eV'dir. Direkt ve indirekt yasak enerji aralığında 90-100 K, 100 K, 100-120 K, 160-180 K, 220-240 K ve 240-250 K sıcaklıklarında ani değişiklikler gözlendi. Bu değişimler faz geçişi olarak yorumlandı.
Özet (Çeviri)
SUMMARY TlGaSe2(i-X)S2x single crystals were grown by the Bridgman-Stockbarger method. The absorption measurements were performed in TlGaSe2(i-X)S2x (TlGaSe2, x=0.2, x=0.4, x=0.6, x=0.8 and TlGaS2) samples in the temperature range 10-320 K. The direct and indirect energy band gaps were studied as a function of the temperature. The measurements were performed with steps of 20 K where the changes were small, and with steps of 5 and 10 K where the changes were large in the direct and indirect band gaps energies. The direct band gaps of TlGaSe2(i.x>S2X are 2.294 eV, 2.398 eV, 2.445 eV, 2.463 eV, 2.531 eV, 2.547 eV and the indirect band gaps are 2.148 eV, 2.252 eV, 2.305 eV, 2.432 eV, 2.442 eV and 2.501 eV, at 10 K, respectively. The phonon energies calculated for TlGaSe2(i-X)S2X (TlGaSe2, x=0.2, x=0.4, x=0.6, x=0.8, and TlGaS2) are 0.039 eV, 0,051 eV, 0.021 eV, 0.006 eV, 0.006 eV and 0.009 eV, respectively. The abrupt changes were observed in the direct and indirect band gaps at temperatures 90-100 K, 100 K, 100-120 K, 160-180 K, 220-240 K and 240-250 K. These changes were interpreted as phase transformation temperatures.
Benzer Tezler
- Tabakalı yarıiletken kristallerden TIGaSe2, TIInS2 ve GaSe kristallerinin optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of TIGaSe2, TIIns2 and GaSe crystals which are layered semiconductors
SULTAN ÇEVİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. AYDIN GULUBAYOV
- TlGa(SxSe1-x)2 (0 ≤ x ≤ 1) amorf yarıiletken ince filmlerinin doğrusal olmayan optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of nonlinear optical properties of TlGa(sxse1-x)2 (0 ≤ x ≤ 1) amorphous semiconductor thin films
TÜRKAN DİNÇBAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET KARATAY
- TILn Se2 ve TIGaSe2 (Ternary) yarıiletken bileşiklerinin büyütülmesi ve bazı elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
BAHATTİN ABAY
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. Y. KEMAL YOĞURTÇU
- Fe3+ atomları ile katkılandırılmış TIInS2 ve TIGaSe2 ferroelektrik kristallerinin dielektik özellikleri
Dielectric specialities of TIInS2 and TIGaSe2 crystals which are doped with Fe3+ atoms
CEMALETTİN BALTA
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. FAİK MİKAİLOV
- İkili (InSe, InSe;Er, GaSe,GaSe;Gd) ve üçlü (TIGaSe2;Gd) tek kristallerin büyütülmesi soğurma ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
BEKİR GÜRBULAK
Doktora
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU