Geri Dön

İkili (InSe, InSe;Er, GaSe,GaSe;Gd) ve üçlü (TIGaSe2;Gd) tek kristallerin büyütülmesi soğurma ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Başlık çevirisi mevcut değil.

PDF İndir

  1. Tez No: 58523
  2. Yazar: BEKİR GÜRBULAK
  3. Danışmanlar: PROF.DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1997
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 187

Özet

ÖZET Bridgman/Stocberger ve direkt donma metoduna benzer. bir metodla InSe, GaSetGd, TlGaSe2 ve TlGaSe2:Gd tek kristalleri büyütüldü. 10-320 K sıcaklık aralığında yapılan soğurma ölçümlerinden yasak enerji aralığı, eksiton, fonon ve bağlanma enerjileri hesap edildi. p-TlGaSe2, p-TlGaSe2:Gd tek kristallerinin direkt yasak enerji aralıkları 300 K'de sırasıyla 2.220 eV, 2.180 eV, indirekt yasak enerjisi 2.130 eV, 2.160 eV olup, fonon enerjileri 80 meV, 85 meV olarak bulundu. p-GaSe, p-GaSe:Gd, n-InSe ve n-InSe:Er kristallerinin direkt yasak enerjileri 300 K'de sırasıyla 2.008 eV, 2.035 eV, 1.215 eV, 1250 eV bağlanma enerjileri p-GaSe-de 22.6 meV n-InSe ve n-InSe:Er'de 20.5 meV, 21.0 meV olup eksiton enerjileri n=l için (10 K) 2.098 eV, 2.115 eV, 1.336 eV, 1.315 eV n=2 için p-GaSe'de 2.114 eV n-lhSe, n-InSe:Er'de 1.349 eV, 1.333 eV olarak elde edildi. n-InSe5 n-hıSe:Er, p-GaSe ve p-GaSe:Gd'un 10-340 K (n-InSe, n-InSe:Er), 90-320 K ve 60-320 K sıcaklık aralıklannda magnetoristans ve Hail olayı ölçümleri yapıldı. Elektriksel iletkenlik, Hail mobilitesi, magnetorezistans katsayısı ve taşıyıcı konsantrasyonu elde edildi. Ölçümler sonucunda n-InSe ve n-InSe:Er'da sırasıyla T>160 K ve T>140 K'de enine, T>160 K ve T>100 K'de boyuna magnetorezistans etkisinin olmadığı, enine ve boyuna magnetorezistans katsayılarının p-GaSe ve p-GaSe:Gd'de sıcaklıkla azaldığı gözlendi. n-InSe'de taşıyıcı konsantrasyonu 40 K'ne kadar arttığı 40-100 K aralığında azaldığı ve 100 K'nin üzerinde tekrar arttığı gözlenmesine rağmen, n-InSe:Er taşıyıcı konsantrasyonunun 300 K'ne kadar arttığı belirlendi. p-GaSe:Gd*de taşıyıcı konsantrasyonun 100 K'e kadar arttığı, 100-140 K aralığında azaldığı ve 140-280 K aralığında artma 280-320 K aralığında azalmasına rağmen, p-GaSe numunesinin taşıyıcı konsantrasyonunun 320 K'e kadar arttığı gözlendi. Kirlilik enerji seviyeleri n-InSe ve n-InSe:Er numuneleri için Ec=21 meV, Ec-122 meV ve Ec-324 meV p-GaSe için Ec-216 meV, Ey+322 meV, Ey+573 meV, p-GaSe:Gd için Ec-224 meV, Ey+330 meV ve Ec-592 meV olarak hesap edildi. n-InSe ve n-InSe:Er'nin Hail mobiHtelerinin sıcaklığa bağlı değişiminden sırasıyla HHaT-^« (80

Özet (Çeviri)

SUMMARY InSe, GaSe:Gd, TlGaSe2 and TlGaS^Gd single crystals were grown by Bridgman/Stockberger method and a method which is similar to direct freezing method. Direct and indirect forbidden energy gaps, exciton, phonon and bonding energies calculated in the temperature range 1 0-320 K. Direct gap of the p-TlGaSe^ and p-TlGaSe2:Gd single crystals" are 2220 eV, 2.180 eV, the indirect gap and the phonon energies of these crystals are 2.130 eV, 2.160 eV, 80 meV and 85 meV at 300 K respectively. The direct forbidden energies of p-GaSe, p-GaSe:Gd, n-InSe and n-InSe:Er crystals are 2.008 eV, 2.035 eV, 1215 eV and 1250 eV, bonding energy is 22.6 meV in p-GaSe, it is 20.5 meV both n-InSe and n-InSe:Er and it is 21.0 meV in p-GaSe:Gd. Morever exciton energies are 2.098 eV,, 2.115 eV, 1.336 eV and 1.315 eV for n=l (10 K) respectively and n=2 (10 K) 2.114 eV in p-GaSe, 1.349 eV and 1333 eV in n-InSe and n-InSe:Er. The magnetoresistance and Hall effect measurements were carried out in n-InSe, n-InSe:Er, p-GaSe and p-GaSe:Gd samples in the temperature range 10-340 K for n-InSe, n-mSe:Er, 90-320 K and 60-320 K respectively. Electrical conductivity, Hall mobility, transverse and longitudinal magnetoresistance coefficients and carrier concentration were obtained for these samples. The results exhibited that a null transverse and longitudinal magnetoresistance effect in n-InSe and n-InSe:Er samples at temperature range T>160 K T>140 K and T>160 K and T>100 K respectively, and the transverse and longitudinal magnetoresistance coefficient for p-GaSe and p-GaSe:Gd samples decreased with increasing temperature. Although carrier concentration increased up to 40 K, then decreased in the temperature range 40-1 00 K and increased for T>100 K, in the n-InSe sample. Carrier concentration increased up to 300 K in the n-InSe:Er sample. Although carrier concentration increased up to 100 K, For p-GaSe:Gd sample, then decreased in the temperature range 100-140 K, increased in the temperature range 140-280 K and then decreased in the temperature range 280-320 K. Carrier concentration increased up to 320 K in the p-GaSe:Gd sample. Impurity energy levels were calculated for n-InSe and n-InSe:Er samples as Ec-21 meV, Ec-122 meV and Ec-324 meV, for p-GaSe sample as Ec-216 meV, Ey+322 meV and Ev+573 meV and for p-GaSe:Gd sample as Ec-224 meV, Ev+330 meV. and Ec-592 meV respectively. The temperature dependence of the Hall mobilities, in n-InSe and n-InSe:Er samples found as u.HaT-186 (80

Benzer Tezler

  1. Tez No

    312938

    InSe ve InSe:Ag ikili bileşiklerin büyütülmesi ve yapısal analizleri

    Growth of InSe and InSe:Ag binary semiconductor and structural of analysis

    MEHMET ŞATA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK

  2. Tez No

    352162

    InSe ve InSe:Zn yarı iletkenlerin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yapısal karakterizasyonu

    Growth of InSe and InSe:Zn semiconductors by Bridgman/Stockbarger technique and structural characterizations

    MUHAMMED AKSOY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK

  3. Tez No

    255353

    The effects of post-annealing process on the physical properties of silver-indium-selenium ternary semiconductor thin films deposited by electron beam technique

    Üretim sonrası tavlama işleminin elektron demeti tekniğiyle büyütülen gümüş-indiyum-selenyum üçlü yarıiletken ince filmlerin fiziksel özelliklerine etkileri

    TAHİR ÇOLAKOĞLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  4. Tez No

    335072

    GaSe:In ikili bileşiğinin Bridgman/Stockbarger tekniğiyle büyütülmesi ve yüzey morfolojisi

    Surface morphology and GaSe:In binary semiconductor grown by Bridgman/Stockbarger technique

    YASİN ÖZTIRPAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK

  5. Tez No

    157646

    Yeni nesil self-etching adeziv sistemlerin mikrogerilim bağlanma dayanımları ve nanosızıntı bakımından etkinliğinin karşılaştırmalı olarak incelenmesi

    A comparison of microtensile bond strength and nanoleakage of current-generation self-etching adhesive systems

    İHSAN HUBBEZOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Diş HekimliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Diş Hastalıkları ve Tedavisi Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. FERİDUN HÜRMÜZLÜ

Geri Dön