In0,53 Ga0,47 As/In 0,52 Al0,48 As heteroeklem örneklerde mobilite ölçümleri
Mobility measurements in In 0,53 Ga0,47 As/In 0,52 Al0,48 As heterojunction samples
- Tez No: 105612
- Danışmanlar: PROF. DR. HÜSEYİN ÇELİK, PROF. DR. MEHMET CANKURTARAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İnşaat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 162
Özet
IV ÖZET Bu çalışmada modülasyonlu-katkılanmış Ino^Gao^As/Ino^Alo^sAs heteroeklem örneklerde magnetotransport ölçümleri yapıldı. Deneylerde ayırıcı tabaka genişliği (ts) 0, 100, 200 ve 400 Â olan örgü-uyumlu heteroeklem örnekler kullanıldı. Magnetik alan örnek düzlemine dik uygulanarak, Hail mobilitesi (//#) ve Hail taşıyıcı yoğunluğu (A/s), 3,3-295 K aralığında, sıcaklığın fonksiyonu olarak ölçüldü. Düşük sıcaklıklarda (T90 K) ise sıcaklık arttıkça //#'nin azaldığı gözlendi. T90 K) ise polar optik fonon saçılmasının başat saçılma mekanizmaları olduğu sonucuna varıldı. Yüksek sıcaklıklarda (T>90 K), Hail mobilitesinin sıcaklıkla değişiminden polar optik fonon enerjileri belirlendi. Elektron transport mobilitesi için literatürde verilen kuramsal bağıntılar Ino,53Gao,47As/Ino,52Alo,48As heteroeklem örneklere uyarlanarak, her saçılma mekanizmasına karşı gelen mobilite hesaplandı. Akustik fonon saçılmasının mobiliteye etkisi, tüm sıcaklıklarda, alaşım düzensizliği ve polar optik fonon saçılması yanında ihmal edilecek kadar küçük bulundu. Düşük sıcaklıklarda, alaşım düzensizliği saçılmasına ilave olarak, uzak-iyonize safsızlık saçılması (ts=0-100 Â) ve artık-iyonize safsızlık saçılması (ts>200 Â) da mobiliteye farkedilir katkı getirmektedir. Hesaplanan ve ölçülen mobilite değerleri karşılaştırılarak, alaşım düzensizliği saçılma potansiyeli belirlendi. Ayrıcı genişliği ts=400 Â olan örneğin elektriksel direncinin magnetik alanla değişiminden yararlanarak paralel iletime katkıda bulunan elektronların mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu belirlendi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Magnetotransport measurements have been made in modulation-doped Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.48As heterojunctions. Lattice-matched heterojunctions samples with spacer layer thicknesses ts=0, 100, 200 and 400 Â have been used in the measurements. The temperature dependencies of Hall mobility (juh) and Hall carrier density (Ns) have been determined in the range 3.3-295 K by applying steady magnetic fields perpendicular to the plane of samples. It is found that Hall mobility is independent of temperature at low temperatures (T90 K), polar optic phonon scattering are major scattering processes. The variation of Hall mobility with temperature in the range T>90 K has been used to determine the energy of longitudinal optical phonons. Electron transport mobility has been calculated for every scattering process in the Ino.53Gao.47As/Ino.52Alo.48As heterojunctions, by using theoretical expressions given in the literature. Acoustic phonon scattering is found to be much smaller than both alloy disorder scattering and polar optic phonon scattering, at all temperatures. At low temperatures, in addition to alloy disorder scattering, remote-ionized impurity scattering (for tg< 100 Â) and background-ionized impurity scattering ( for ts> 200 Â) become effective. The alloy disorder scattering potential has been determined by comparing the calculated and experimental results for mobility. For the sample with ts = 400 A, the variation of resistance with magnetic field has been used to determine the mobility and density of charge carriers, which contribute to parallel conduction.
Benzer Tezler
- In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heteroeklemlerin elektronik transport özellikleri ve iki-boyutlu elektronların güç kaybı mekanizmalarının Shubnikov -de Haas osilasyonları yöntemiyle araştırılması
Investigation of the electronic transport properties and power loss mechanisms of the two-dimensional electrons in In0,53Ga0,47As/In0,52Al0,48As heterojunctions by Shubnikov -de Haas oscillations technique
ENGİN TIRAŞ
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET CANKURTARAN
- Molecular beam epitaxy growth of InP/InGaAs structures for short wavelength infrared photodetectors
InP/InGaAs yapılarının kısa dalgaboyu kızılötesi fotodedektörler için moleküler ışın epitaksisi tekniği ile büyütülmesi
OĞUZHAN TEMEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
PROF. DR. MEHMET PARLAK
- Identification and characterization of traps in InGaAs short wavelength infrared photodetectors by deep level transient spectroscopy
InGaAs kısa dalgaboyu kızılötesi fotodedektörlerdeki tuzakların derin seviye geçici spektroskopi yöntemiyle belirlenmesi ve karakterizasyonu
NARDIN AVISHAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- High performance short wavelength infrared focal plane arrays
Yüksek performanslı kısa dalgaboyu kızılötesi odak düzlem dizinleri
KÜBRA ÇIRÇIR
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ
- High performance near/short wavelength infrared megapixel InGaAs focal plane array fabrication development and new design proposals
Yüksek performans yakın/kısa dalga boyu kızılötesi megapiksel InGaAs odak düzlem dizinlerinin fabrikasyonunun geliştirilmesi ve yeni dizayn önerileri
UTKU KARACA
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SERDAR KOCAMAN