Geri Dön

ZnGa2O4'in sol-jel yöntemi ile Si (100) tabaka (wafer) üzerine kaplanması ve mikro yapısal özelliklerinin incelenmesi

Coating of ZnGa2O4 by sol-gel method on silicon (100) wafer and examining microstructural properties of ZnGa2O4

  1. Tez No: 121278
  2. Yazar: TÜRKAN AKAN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. M. HASAN ASLAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 84

Özet

ÖZET Bu çalışmada ZnGa2Ü4 ince filmleri silisyum altlıklar üzerinde sol-jel metoduyla elde edildi. Öncü çözeltiler, çinko asetatın dipropanol ve galyum (III) nitratın isopropanol içerisinde çözdürülmesiyle hazırlandı. Çinko asetatın çözünürlüğünü arttırmak için dietilamin kullanıldı. Homojen öncü filmler elde etmek için ısıl işlemden önce spin kaplama uygulandı. İlk olarak çinko çözeltisinden silisyum altlık üzerine kaplama yapıldıktan sonra, kaplanan altlık sırasıyla 100 °C de ve 250 °C'de birer dakika kurutuldu. Daha sonra galyum çözeltisinden, çinko çözeltisi ile kaplanmış olan silisyum altlık üzerine kaplama yapıldı ve 100 °C de ve 250 °C'de birer dakika kurutuldu. Bu işlemler beş kez tekrarlandı ve 10 katlı filmler elde edildi. Bu filmlere 1000°C de 1 saat için azot gazı ile ve azot gazı olmadan ısıl işlemler uygulandı. Böylece ZnGa2Û4 ince filmleri elde edildi. ZnGa2Û4 ince filmlerinin mikro yapıları SEM, EDX-SEM ve kristal yapıları XRD karakterizasyon teknikleri ile incelendi. SEM çalışmaları azot gazı ile ısıl işlem uygulanan ince filmin, azot gazı olmadan ısıl işlem uygulanan filme göre daha küçük tane boyutlarına ve bazı derin dairesel yarıklara sahip olduğunu gösterdi. İnce filmin kalınlığı SEM çalışmalarından bulundu. Film kalınlığı yaklaşık olarak 250 nm'dir. EDX-SEM grafiklerinde ZnGa2Ü4 içerisinde bulunan tüm elementler gözlendiğinden, kaplama sonrasında ZnGa2Û4 ince filminin elde edildiği sonucuna varıldı. XRD çalışmaları sonucu elde edilen veriler ile ZnGa2Ü4 'in x-ışını kartında (ZnGa204 kart no :3 8- 1240) bulunan veriler uyumlu olduğundan, kaplama sonucunda ZnGa2Û4 ince filminin elde edildiği sonucuna varıldı.

Özet (Çeviri)

SUMMARY In this study, zinc gallate thin films were prepared by sol-gel method on silicon substrates. Precursor solutions were prepared by dissolving zinc acetate in dipropanol and gallium (III) nitrate in isopropanol. Dietilamine was used to enhance the solubility of zinc acetate. Spin coating was applied to obtain homogenous precursor films before heat treatment. After the coating on the silicon substrate from the zinc solution, the coated substrate was dried at 1 00 °C and at 250 °C for one minute, respectively, and then, coating was made on silicon substrate, which was coated with zinc solution, from the gallium solution and it was dried at 100 °C and 250 °C for one minute. These operations were repeated for five times and 10 layered films were obtained. Heat treatments were applied to these films for an hour at 1000°C with and without nitrogen gas. Thus, ZnGa2U4 thin films were obtained. Microstructures of ZnGa204 thin films were examined by SEM,EDX-SEM characterization technics and crystal structures of ZnGa2C>4 were examined by XRD characterization technic. SEM studies showed that the thin film to which a heat treatment was applied with nitrogen gas had smaller grain sizes than the other film ( to which a heat treatment was applied without nitrogen gas) and had some deep circular cracks too. Thin film thickness was found from the SEM studies. Film thickness was approximately 250 nm. All the elements which were in the ZnGa2C>4 were obsorved in the EDX-SEM graphics, this result showed that ZnGa2Û4 was obtained after the coating. Because the data which were obtained at the end of XRD studies corresponded to the data which were in the x-ray card (ZnGa2Û4 card no:38-1240) that belongs to ZnGa2Û4, it can be thought like that ZnGa2Û4 was obtained after the coating.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    893490

    RF manyetik saçtırma yöntemi ile üretilen ZnGa2O4 ince filmlerin yapısal, morfolojik ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of structural, morphological and optical properties of ZnGa2O4 thin films produced by RF magnetron sputtering method

    KÜBRA KARAKAYA KONUKÇU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NİHAN AKIN SÖNMEZ

Geri Dön