Metal/ GaAs ve metal/ yalıtkan/ GaAs schottky diyotların akım-kapasite-gerilim karakteristiklerinin incelenmesi
The Determination of the current-capaticance-conductance characteristics of metal/ GaAs and metal/ insulator/ GaAs schottky diodes
- Tez No: 121387
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Metal/Yalıtkan/Yarıiletken Yapılar, Anodik Oksidasyon, Schottky Engelleri, Schottky Diyotlar, Metal/Yarıiletken Kontaklar
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 71
Özet
ÖZET Y. Lisans Tezi METAL/GaAs ve METAL/Y ALITKAN/GaAs SCHOTTKY Dİ YOTLARIN AKIM-KAPASİTE-GERİLİM KARAKTERİSTİKLERİNİN İNCELENMESİ Nezir YILDIRIM Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Prof.Dr.Abdülmecit TÜRÜT Al/n-GaAs Schottky diyodlar, n-GaAs (100) yarıiletkeninin bir yüzüne omik kontak için Au-Ge, diğer yüzüne doğrultucu kontak için Al (%99.9) buharlaştırılarak elde edildiler. Au-Ge/n-GaAs/Al Schottky diyodun oda sıcaklığında I-V ve C-V ölçümleri yapıldı. I-V, C-V ve C“2-V karakteristikleri çizildi. Referans numune ile MİS Schottky diyodun I-V karakteristiklerinden idealite faktörü ve etkin engel yüksekliği hesaplandı. Referans numune için idealite faktörü n=2A0, etkin engel yüksekliği de 0.62 eV bulundu. Bulunan bu değer diyodumuzun ideal olmadığını gösterir. Bu ideal olmayış arayüzey hallerine ve arayüzey tabakasına atfedildi. MİS Schottky diyod için ise idealite faktörü n=1.48 bulunurken, etkin engel yüksekliği de yaklaşık 0.825 eV olarak hesaplandı. Ayrıca bu iki diyod için imaj kuvvetinden ve tünellemeden dolayı engel yüksekliklerinde meydana gelen düşmeler ile idealite faktörlerindeki değişmeler de belirlendi. Yine bu numuneler için doğru ve ters beslem altında C-V ile C”2-V karakteristiklerinden yararlanılarak iki numune için de difüzyon potansiyeli (Vd), Fermi enerji seviyesi (V"), donor konsantrasyonu (Nd) ve engel yükseklikleri (Ot,n) hesaplandı. Sonuç olarak arayüzey hallerinin, oksit tabakasının ve seri direncin elde edilen parametrelerin idealliğine büyük ölçüde etki ettiği görüldü. 2002, 70 sayfa
Özet (Çeviri)
ABSRACT Ms.D. Thesis THE DETERMINATION OF THE CURRENT-CAP ATICANCE-CONDUCTANCE CHARACTERISTICS OF METAL/GaAs AND METAL/IN S ULATOR/GaAs SCHOTTKY DIODES Nezir YILDIRIM Atatürk University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor : Prof.Dr.Abdülmecit TÜRÜT The Al/ft-GaAs Schottky diodes were prepared using mirror cleaned and polished n- GaAs (as received from the manufacturer) with (100) orientation and 2-5x10 cm“ carrier concentration. Au-Ge (%88, %12) for ohmic contacts was evaporated on the back of the wafer in a vacuum-coating unit of 10”“ Torr. The Schottky contacts were formed by evaporating Al as dots with diameter of about 1.35 mm onto all of the n- GaAs surfaces. Metal/insulating/semiconductor (MIS) diodes were also fabricated by anodic oxide method. The ideality factor and barrier height values for the reference and MIS diodes were calculated drawing their current-voltage (I-V) curves. The values of 2.40 and 0.62 for the ideality factor and barrier height of one of the reference diode were obtained, respectively, and the values of 1.48 and 0.825 for one of the MIS diode. Furthermore, tunnelling effect through the top of Schottky barrier and image forge lowering effect for the I-V barrier and ideality factor of both diodes were also taken into account. Again, the diffusion potential, Fermi Level, carrier concentration and barrier height values for both diodes were computed from the reverse bias C”2-V characteristics. It was seen that the interfacial layer and interface states affected the ideality of the devices considerably. 2002, 70 pages Keywords : Metal/Insulator/Semiconducting Devices, Anodic Oxidation, Metal/Semiconductor Contact, Schottky barriers, Schottky diodes
Benzer Tezler
- Metal/n-tipi GaAs schottky diyotlarında havada oksitlenme ve yaşlanmanın akım-gerilim (I-V) ve kapasite, konduktans-gerilim, frekans (C,V-G,f) karakteristiklerine etkisi
The Effects of oxidation in air and ageing on current-voltage (I-V) and capacitance, conductance-voltage, frequency (C,V-G,f) characteristics of metal n-type GaAs schottky diodes
AHMET FARUK ÖZDEMİR
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- Atomik katman kaplama tekniği ile sentezlenen nano-ölçekli AL2O3 ara katmanlı, yarıiletken malzeme temelli schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependent electrical characterization of schottky diodes with nanoscale AL2O3 interfacial layers synthesized via atomic layer deposition technique
ABDULKERİM KARABULUT
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT
YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI
- Arayüzeyleri farklı kalınlıklarda imal edilmiş Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diyotların dielektriksel özelliklerinin ve ac elektriksel iletkenliklerinin frekansa ve sıcaklığa bağlılıkları
The frequency and temperature dependence of the dielectric properties and the ac electrical conductivity of the Au/Ti/Al2O3/n-GaAs/In Schottky diodes are manufactured from interfaces in different thicknesses
ÇİĞDEM ŞÜKRİYE GÜÇLÜ
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Perilen monoimit organik arayüzeyli Ag/n-GaAs schottky diyotlarda frekansa bağlı kapasitans-kondüktans-gerilim karakteristiklerinin araştırılması
Vestigation of frequency-dependent capacitance-conductance-voltage characteristics of Ag/n-GaAs schottky diodes with perylene monoimide organic interface
AHMET EFE AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- Metal/yalıtkan/n-GaAs hidrojen sensörlerinin araştırılması ve geliştirilmesi
Investigation and development of metal/insulator/n-GaAs hydrojen sensors
NEVİN UĞUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ZAFER ZİYA ÖZTÜRK
Y.DOÇ.DR. FATİH DUMLUDAĞ