Atomik katman kaplama tekniği ile sentezlenen nano-ölçekli AL2O3 ara katmanlı, yarıiletken malzeme temelli schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependent electrical characterization of schottky diodes with nanoscale AL2O3 interfacial layers synthesized via atomic layer deposition technique
- Tez No: 376264
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT, YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Nano-ölçekli Schottky diyotlar, Metal-yarıiletken kontaklar, GaAs, Atomik Katman Kaplama (ALD), Nano-scale Schottky diodes, Metal-Semiconductor contacts, GaAs, Atomic Layer Deposition (ALD)
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 187
Özet
300 µm kalınlıklı, (100) yüzey yönelimli tek kristal n-tipi GaAs yarıiletkeninden Au/Ti/Al2O3/n-GaAs Schottky diyotlar üretildi. Ara katman olarak Al2O3 yalıtkan malzemesi 3, 5 ve 10 nm olarak atomik katman kaplama (ALD) tekniğiyle büyütüldü. Au/Ti metal kontağı manyetik alanda DC saçtırma tekniği kullanılarak büyütüldü ve aygıtlar litografi ile üretildi. Sıcaklığa bağlı olarak karanlık ortamda 20-320 K sıcaklık aralığında 10 K' lik adımlarla akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri yapıldı. I-V, akım-sıcaklık, C-V ve kapasite-sıcaklık grafikleri çizilerek yorumlandı. Ayrıca, aygıtların sıcaklığa bağlı yapılan ölçümlerinden idealite faktörü, engel yüksekliği gibi diyot parametreleri hesaplanmış ve her üç aygıtın karakteristik parametrelerinin karşılaştırmaları yapıldı. Schottky diyotların engel yüksekliğinin, 320 K' den 80 K' e, her bir ölçüm sıcaklığında artan ara katman kalınlığıyla arttı ve 80 K' den 20 K' e üç numune için de her bir sıcaklıkta ayni değeri aldı. Serbest taşıyıcı yoğunluğunun yüksek sıcaklıklarda, artan arayüzey tabakası kalınlığıyla arttığı ve 250 K' nin altında her bir sıcaklıkta numunelerin aynı taşıyıcı yoğunluğuna sahip olduğu deneysel olarak görüldü. Böylece, devre elemanlarının isteğe bağlı ve güvenilir bir şekilde çalışmasını sağlamak için arınma bölgesindeki uzay yüklerinin ve Schottky engel yüksekliğinin arayüzey yükleriyle ve ara katmanla maksada uygun kontrol edildiği sonucuna varıldı. 2014, 165 sayfa
Özet (Çeviri)
Au/Ti/Al2O3/n-GaAs Schottky Diodes have been fabricated by using n-type GaAs semiconductor with 300 µm thickness, (100) surface orientation. While Al2O3 insulative material as an interfacial layer has been grown as 3, 5 and 10 nm by using atomic layer deposition technique, Au/Ti metal contacts have been grown by using DC Magnetron Sputtering technique and devices have been fabricated by using lithography. Current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed with the temperature steps of 10 K in the the range of 20-320 K in the dark conditions. I-V, current-temperature (I-T), C-V and capacitance-temparature (C-T) graphs have been plotted and interpreted. In addition, some electrical parameters such as ideality factor and barier height depending on the temperature measurements of the devices have been calculated and the characteristic parameters of the devices have been compared with each other. Furthermore, the barrier height from the I-V plots increases with the interfacial layer thickness 320 K to 80 K and also has the same value for three samples from 80 K to 20 K at each temperature. It has been seen that the carrier concentration increases with the interfacial layer thickness and has remained almost unchanged from 250 K to 20 K for these devices. Thus, it has been concluded that the parameters of MS contacts can be changed according to the purpose by means of the interfacial layer. 2014, 165 page
Benzer Tezler
- Preparation and characterization of ultra thin films containing silver-copper nanoalloys using layer-by-layer depositon technique for antibacterial applications
Antibakteriyel uygulamalar için gümüş-bakır nanoalaşımlar içeren ve katman-katman-kaplama yöntemi ile hazırlanan ultra ince filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu
MERVE TANER CAMCI
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEFİK SÜZER
- Synthesis and characterization of highly stable functional silica nanoparticles for lbl assembly
Lbl kaplama için yüksek stabiliteye sahip fonksiyonel silika nanoparçacıkların sentezi ve karakterizasyonu
MELİKE BARAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Metalurji MühendisliğiSabancı ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FEVZİ ÇAKMAK CEBECİ
- Semiconductor nanoplatelet heterostructures enhanced via combinations of colloidal atomic layer deposition and hot injection shell growths
Koloidal atomik katman kaplama ve sıcak enjeksiyon kabuk kaplama yöntemlerinin birleşimiyle geliştirilen yarı iletken nanolevha heteroyapıları
ULVIYYA QULIYEVA
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR
- Güneş pillerinin cigs soğurucu tabakasının radyasyon karşısındaki davranışı
Behavior of cigs absorber layer of solar cells against to radiation
UTKU CANCİ MATUR
Doktora
Türkçe
2017
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN
- Properties and application of graphene oxide in inverted bulk heterojunction solar cells
Grafen oksitin özellikleri ve ters güneş pillerinde uygulaması
ŞEFİKA ÖZCAN
Doktora
İngilizce
2019
KimyaOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ ÇIRPAN
PROF. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN