Geri Dön

Atomik katman kaplama tekniği ile sentezlenen nano-ölçekli AL2O3 ara katmanlı, yarıiletken malzeme temelli schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu

Temperature dependent electrical characterization of schottky diodes with nanoscale AL2O3 interfacial layers synthesized via atomic layer deposition technique

  1. Tez No: 376264
  2. Yazar: ABDULKERİM KARABULUT
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT, YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Nano-ölçekli Schottky diyotlar, Metal-yarıiletken kontaklar, GaAs, Atomik Katman Kaplama (ALD), Nano-scale Schottky diodes, Metal-Semiconductor contacts, GaAs, Atomic Layer Deposition (ALD)
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 187

Özet

300 µm kalınlıklı, (100) yüzey yönelimli tek kristal n-tipi GaAs yarıiletkeninden Au/Ti/Al2O3/n-GaAs Schottky diyotlar üretildi. Ara katman olarak Al2O3 yalıtkan malzemesi 3, 5 ve 10 nm olarak atomik katman kaplama (ALD) tekniğiyle büyütüldü. Au/Ti metal kontağı manyetik alanda DC saçtırma tekniği kullanılarak büyütüldü ve aygıtlar litografi ile üretildi. Sıcaklığa bağlı olarak karanlık ortamda 20-320 K sıcaklık aralığında 10 K' lik adımlarla akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) ölçümleri yapıldı. I-V, akım-sıcaklık, C-V ve kapasite-sıcaklık grafikleri çizilerek yorumlandı. Ayrıca, aygıtların sıcaklığa bağlı yapılan ölçümlerinden idealite faktörü, engel yüksekliği gibi diyot parametreleri hesaplanmış ve her üç aygıtın karakteristik parametrelerinin karşılaştırmaları yapıldı. Schottky diyotların engel yüksekliğinin, 320 K' den 80 K' e, her bir ölçüm sıcaklığında artan ara katman kalınlığıyla arttı ve 80 K' den 20 K' e üç numune için de her bir sıcaklıkta ayni değeri aldı. Serbest taşıyıcı yoğunluğunun yüksek sıcaklıklarda, artan arayüzey tabakası kalınlığıyla arttığı ve 250 K' nin altında her bir sıcaklıkta numunelerin aynı taşıyıcı yoğunluğuna sahip olduğu deneysel olarak görüldü. Böylece, devre elemanlarının isteğe bağlı ve güvenilir bir şekilde çalışmasını sağlamak için arınma bölgesindeki uzay yüklerinin ve Schottky engel yüksekliğinin arayüzey yükleriyle ve ara katmanla maksada uygun kontrol edildiği sonucuna varıldı. 2014, 165 sayfa

Özet (Çeviri)

Au/Ti/Al2O3/n-GaAs Schottky Diodes have been fabricated by using n-type GaAs semiconductor with 300 µm thickness, (100) surface orientation. While Al2O3 insulative material as an interfacial layer has been grown as 3, 5 and 10 nm by using atomic layer deposition technique, Au/Ti metal contacts have been grown by using DC Magnetron Sputtering technique and devices have been fabricated by using lithography. Current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed with the temperature steps of 10 K in the the range of 20-320 K in the dark conditions. I-V, current-temperature (I-T), C-V and capacitance-temparature (C-T) graphs have been plotted and interpreted. In addition, some electrical parameters such as ideality factor and barier height depending on the temperature measurements of the devices have been calculated and the characteristic parameters of the devices have been compared with each other. Furthermore, the barrier height from the I-V plots increases with the interfacial layer thickness 320 K to 80 K and also has the same value for three samples from 80 K to 20 K at each temperature. It has been seen that the carrier concentration increases with the interfacial layer thickness and has remained almost unchanged from 250 K to 20 K for these devices. Thus, it has been concluded that the parameters of MS contacts can be changed according to the purpose by means of the interfacial layer. 2014, 165 page

Benzer Tezler

  1. Preparation and characterization of ultra thin films containing silver-copper nanoalloys using layer-by-layer depositon technique for antibacterial applications

    Antibakteriyel uygulamalar için gümüş-bakır nanoalaşımlar içeren ve katman-katman-kaplama yöntemi ile hazırlanan ultra ince filmlerin hazırlanması ve karakterizasyonu

    MERVE TANER CAMCI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEFİK SÜZER

  2. Synthesis and characterization of highly stable functional silica nanoparticles for lbl assembly

    Lbl kaplama için yüksek stabiliteye sahip fonksiyonel silika nanoparçacıkların sentezi ve karakterizasyonu

    MELİKE BARAK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    Metalurji MühendisliğiSabancı Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FEVZİ ÇAKMAK CEBECİ

  3. Semiconductor nanoplatelet heterostructures enhanced via combinations of colloidal atomic layer deposition and hot injection shell growths

    Koloidal atomik katman kaplama ve sıcak enjeksiyon kabuk kaplama yöntemlerinin birleşimiyle geliştirilen yarı iletken nanolevha heteroyapıları

    ULVIYYA QULIYEVA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Kimyaİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR

  4. Güneş pillerinin cigs soğurucu tabakasının radyasyon karşısındaki davranışı

    Behavior of cigs absorber layer of solar cells against to radiation

    UTKU CANCİ MATUR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Enerji Bilim ve Teknoloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİLGÜN BAYDOĞAN

  5. Properties and application of graphene oxide in inverted bulk heterojunction solar cells

    Grafen oksitin özellikleri ve ters güneş pillerinde uygulaması

    ŞEFİKA ÖZCAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Polimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ ÇIRPAN

    PROF. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN