Design fabrication and characterization of high performance resonant cavity enhanced photodedectors
Yüksek performanslı rezonant kavite katkılı fotodedektörlerin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu
- Tez No: 79347
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ORHAN AYTÜR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Fotodetektör, Fotodiyot, Schottky Fotodiyot, P-l-N Fotodiyot, Resonant Kavite, Resonant Kavite Katkılı, Kuantum Verimi, Yüksek Hız, Yüksek Hız-Verim Çarpımı. ıı, Photodetector, Photodiode, Schottky Photodiode, P-l-N Photo- diode, Resonant Cavity, Resonant Cavity Enhancement, Quantum Efficiency, High-Speed, High Bandwidth-Efficiency Product. 11
- Yıl: 1998
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 81
Özet
Özet YÜKSEK PERFORMANSLI, RESONANT KAVITE KATKILI FOTODETEKTÖRLERİN TASARIMI, ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU Necmi Bıyıklı Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Orhan Aytür Eylül 1998 Fotodetektörler optoelektronik entegre devrelerin ve fiber optik haberleşme sistem lerinin önemli elemanlarındandır. Daha yüksek sistem perform a nsi için yüksek hız- verim çarpımına sahip fotodetektörlere ihtiyaç var. 90'lı yılların başında geliştirilen yeni bir fotodetektör tipi yüksek performansın yan ısı ra dalgaboyu seçiciliği vaadediyordu: resonant kavite katkılı (RCE) fotodetektörler. Bu tezde, birinci optik haberleşme penceresinde calisan, AlGaAs/GaAs temelli Schottky ve p-i-n RCE fotodiyotlarin tasarımı, üretimi ve karakterizasyonu için yaptığımız çalışmaları sunuyoruz. Diyot yapılarının tasarımı dağılmış parametreli matris metoduna dayalı simülasyonlar ile gerçekleştirilirken, yapılar moleküler ışın büyütümü tekniğiyle büyütüldü. Schottky fotodiyot öncelikle yüksek hızlı performans hedeflenerek tasarlandı. Buna karşılık p-i- n tasarımında asıl hedef 100%'e yakın verim elde etmekti. Ölçüm sonuçları teorik simülasyonlarla kabul edilebilir bir uygunluk gösterdi. Üretilen Schottky ve p-i-n RCE fotodiyot örneklerinde yüksek hız-verim çarpımlarına (sırasıyla 36 GHz ve 46 GHz) ulaştik. Elde ettiğimiz bu rakamlar akademik literatürde RCE Schottky ve p-i-n fotodiyotlari alanında ulaşılan en iyi performanslara karşılık gelmektedir.
Özet (Çeviri)
Abstract DESIGN, FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF HIGH PERFORMANCE RESONANT CAVITY ENHANCED PHOTODETECTORS Necmi Bıyıklı M. S. in Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Assoc. Prof. Orhan Aytür September 1998 Photodetectors are essential components of optoelectronic integrated circuits and fiber optic communication systems. For higher system performances, photoreceivers with high bandwidth-efficiency products are needed. A new family of photodetectors introduced in the early 90's offers high performance detection along with wavelength selectivity: resonant cavity enhanced (RCE) photodetectors. In this thesis, we present our efforts for the design, fabrication and characterization of AIGaAs/GaAs- based Schottky and p-i-n type RCE photodiodes operating within the first optical communication window. Epitaxial wafers are designed using scattering matrix method based simulations and grown with molecular beam epitaxy. Schottky photodiode was primarily designed for high-speed operation, where as in p-i-n structure we aimed to achieve near unity quantum efficiency. Measurement results show reasonable agreement with our theoretical simulations. Fabricated Schottky and p-i-n RCE photodiode samples demonstrated high bandwidth-efficiency products, 36 and 46 GHz respectively. These results indicate the best performances for RCE Schottky and p-i-n photodiodes reported in scientific literature.
Benzer Tezler
- Fabrication and characterization of high-speed, hig quantum efficiency, resonant cavity enhanced schottky photodidoes
Rezonant kavite ile güçlendirilmiş yüksek, hızlı ve yüksek verimli schottky fotodiyot üretimi ve karakterizasyonu
ERHAN POLATKAN ATA
Doktora
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
- Long wavelength GaAs based hot electron photoemission detectors
GaAs temelli uzun dalgaboylarında çalışan sıcak elektron fotoemisyon detektörü
İBRAHİM KİMUKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
- Low temperature grown GaAs based resonant cavity enhanced photodiodes
Düşük sıcaklıkta büyütülmüş GaAs tabanlı resonant kavite arttırımlı fotodiyotlar
BAYRAM BÜTÜN
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ORHAN AYTÜR
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- MEMS scanners for spectroscopy and laser scanning systems
Spektroskopi ve lazer tarama sistemleri için MEMS tarayıcı geliştirilmesi
ÇAĞLAR ATAMAN
Doktora
İngilizce
2008
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKoç ÜniversitesiElektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAKAN ÜREY
- Development of an integrated resonant mems temperature sensor
Entegre rezonant mems sıcaklık duyargası geliştirilmesi
TALHA KÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. KIVANÇ AZGIN
PROF. DR. TAYFUN AKIN