Sıcak elektron tabanlı optik sensörler
Hot electron based optical sensors
- Tez No: 851145
- Danışmanlar: PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Lisansüstü Eğitim Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 152
Özet
Bu çalışmada, sıcak elektron ışın yayıcı ve lazer yarıiletken heteroeklem (Hot Electron Light Emission and Lasing in Semiconductor Heterostructure, HELLISH) bir aygıt olarak tasarlanan farklı kuantum kuyu genişliğine sahip olan GaAs/Al0.31Ga0.69As yapısının XOR, NOT, OR ve NAND optik mantık kapıları olarak çalışabilme özellikleri araştırıldı. GaAs/AlGaAs heteroeklem yapısı, p-tipi ve n-tipi Al0.31Ga0.69As tabakalarının arasında n-tipi Al0.31Ga0.69As tabaka içine GaAs kuantum kuyusunun yerleştirilmesi şeklinde tasarlandı. GaAs/ Al0.31Ga0.69As tabakaları yarı-yalıtkan GaAs alttaş üzerine, Moleküler Demet Epitaksi (Molecular Beam Epitaxy, MBE) sistemi kullanılarak büyütüldü. p-n ekleminde doğrusal olmayan bir potansiyel dağılımı elde edebilmek için büyütülen aygıtların Top Hat HELLISH (THH) geometrisinde fabrikasyonu yapıldı. Sıcaklığa bağlı fotolüminesans, farklı gerilim değerleri altında dalga boyuna bağlı elektrolüminesans ve akım-voltaj ölçümleri gerçekleştirilerek THH aygıtların ışıma aygıt parametreleri elde edildi. Elektriksel kontak bağlantısı yapılan THH aygıtlara atmalı gerilimler uygulanarak XOR, NOT, OR ve NAND mantık kapılarının çalışma prensibine göre aygıttan ışıma elde edildi. Girişi ışın çıkışı ışın olan optik mantık kapılarının elde edilmesi araştırıldı. Fiber optik kablodan gelen ışının var (“1”) ve yok (“0”) olması durumunda, XOR, NOT OR ve NAND mantık kapısı çalışma prensibine göre THH aygıttan ışıma elde edildi. Bu THH yapıların girişi ışın çıkışı ışın olan optik mantık kapısı olarak kullanılabileceği gösterildi.
Özet (Çeviri)
In this study, the ability of a GaAs/ Al0.31Ga0.69As structure with different quantum well widths, designed as Hot Electron Light Emission and Lasing in Semiconductor Heterostructure (HELLISH), is investigated to operate as XOR, NOT, OR, and NAND optical logic gates. The GaAs/ Al0.31Ga0.69As heterojunction structure is designed by placing the GaAs quantum well in the n-side depletion layer between the p-type and n-type Al0.31Ga0.69As layers. GaAs/ Al0.31Ga0.69As epi-layers are grown on semi-insulating GaAs substrates by the Molecular Beam Epitaxy (MBE) system. In order to obtain a nonlinear potential distribution at the p-n junction, the grown devices are fabricated in Top Hat HELLISH (THH) geometry. Temperature-dependent photoluminescence, wavelength-dependent electroluminescence under different voltage values, and current-voltage measurements are performed to obtain the radiation device parameters of THH devices. By applying a pulsed voltage to the contacts of the THH devices, emission was obtained from the device according to the operating principle of XOR, NOT, OR, and NAND logic gates. It is investigated to obtain optical logic gates with input and output light. In the presence (“1”) and absence (“0”) of the light coming from the fiber optic cable, emission from the THH device is obtained according to the XOR, NOT OR, and NAND logic gate operating principle. It is shown that these THH structures can be used as an optical logic gate whose input light and output light.
Benzer Tezler
- Color tunable upconversion based white light properties of er-Tm-Yb phosphors and pmma nanocomposites
Er-Tm-Yb fosfor ve polimer nanokompozitlerde renk ayarlanabilir üst dönüşüm esaslı beyaz ışık özellikleri
SEVCAN TABANLI
Doktora
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÖNÜL ERYÜREK
- GaN tabanlı sıcak elektron ışın yayıcı hetero-yapılar
GaN based hot electron light emitting heterojunction
FEYZA SÖNMEZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN TIRAŞ
- Ultra-low-cost broad-band near-infrared silicon photodetectors based on hot electrons
Sıcak elektron temelli düşük maliyetli geniş bant yakın kızılötesi silisyum fotodedektörler
MOHAMMAD AMİN NAZİRZADEH
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Coupled plasmonic structures for sensing, energy and spectroscopy applications
Eşlenmiş plazmonik yapıların sensör, enerji ve spektroskopi uygulamaları
SENCER AYAS
Doktora
İngilizce
2015
Mühendislik Bilimleriİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. AYKUTLU DANA
- Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi
The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices
DİLEK DEMİROĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR