AIII BVI kristallerinde eksiton etkileri
Exciton effects in AIII BVI crystals
- Tez No: 121674
- Danışmanlar: PROF. DR. HASAN MEMMEDOV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Exciton Effects, Layered Semiconductor Crystals
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dumlupınar Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 216
Özet
IV ADIBVI KRİSTALLERİNDE EKSİTON ETKİLERİ Temel Çakır Fizik Bölümü, Yüksek Lisans Tezi, 2002 Tez Danışmanı : Prof. Dr. Hasan Memmedov ÖZET Bu çalışmada, Ge, Se, Si katkılı ve katkısız AIII BVI kristallerinin fotoelektrik özelliklerini araştırdık. Bu kristallerin tabakalı yapılan sayesinde kolayca istenen kalınlıkta kristal alabildik ve bu kristallerin yüzeylerine farklı metallerden M1 AIII BVI -M2 yapılan elde etmek için lehimler yaptık. Elde edilen M1 AIII BVI -M2 yapılarının temas bölgelerinde Schottky tabakası ve engeli oluşturuldu. Bu tüketilmiş tabakalar yüksek fotoiletkenlik ve fotovoltaik özellikler sergiledi. Karanlık ve lazer ışını aydınlatması altında yapılan deney sonuçlarından enjeksiyon yoluyla yaniletkene geçen elektronların tuzak merkezlerinde yüksek yoğunlukta depolandığı ve uygun bir lazer ışını ile bu elektronların iletkenlik bandına uyarılarak iletkenlikte artış meydana getirdiği belirlenmiştir I-V ve C-V analizleri difüzyon teorisine göre yapılmıştır. Fotoiletkenlik süreçlerde maksimum eksiton durumları ile bağlı olduğu gösterilmiştir. T = 77 K de elektrolüminesans spektrumunun maksimumunda eksiton yüzeyinden olan yeniden birleşim ışımasına bağlı olduğu düşünülmüştür. Anahtar Kelimeler : Eksiton Etkileri, Tabakalı Yarıiletken Kristaller
Özet (Çeviri)
EXCITON EFFECTS IN AIIIBVI CRYSTALS Temel Çakır Departmant of Physics, M.S.Thesis, 2002 Thesis Supervisor: Prof. Dr. Hasan Memmedov SUMMARY In this present work, we have searched the photoelectric properties of Ge, Se, Si doped Am B^ crystals. Due to the layered structures of these crystals we could easily take crystals at desired thickness and we soldered different metals on surface of this crystals in order to have Mr Ara B71 -M2 structures. At the contact region of as created Mr Ara B^ -M2 the Schottky layer and Schottky barrier has been formed. These depletion regions exhibited a high photo conductivity and fotovoltaic behavior. According to the result made in dark and at illumination of laser light and it have been suggested that, the electrons passing to the semiconductor by injection trapped at high amounts at the trapping centers increase the conductivity if they can be sample is illuminated by stimulative laser light. I-V and C-V analyses have been made according to the Diffusion theory. In photoelectric grosses have been shown that it is due to the exciton states. At 77 Kat maximum electroluminescence spectrum is due to the recombination process from exciton states.
Benzer Tezler
- AIIIBVI kristallerinde fotoiletkenlik ve GaS, GaSe, GaTe ve GaSe1-xTex kristallerle metal-yarıiletken-metal eklemler
Photoconductivity of AIIIBVI crystals and metal-semiconductor-metal junctions withGaS, GaSe, GaTe and GaSe1-xTex crystals
CEMALETTİN TÜRKMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN MEMMEDOV
- A üssü III B üssü VI kristallerinde schottky engelleri alınması
The Schottky barries in soldering AIII BVI crystala
MEHMET KABAY
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN MEMMEDOV MECİD
- Tabakalı galyum selenit (GaSe) kristalinde schottky ekleminin yapılması ve I-V karekteristiğinin araştırılması
Formation of schottky junction in the layered gallium selenide (GaSe) crystal and investigation of I-V characteristic
HÜSEYİN ERTAP
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. HASAN MAMMADOV
- AIII BIII C2VI yarı iletken kristallerinin fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi
Investigation photovoltaic properties of AIII BIII C2VI semiconductor crystals
GÖKHAN ALTUNOYMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY
- Genç yaş grubunun iskemik serebrovasküler hastalıklarında antitrombin III, protein C, protein S ve antikardiolipin antikor düzeyleri
Cerebral ischemia at young adults: Levels of antithrombin III, protein C, protein S and anticardiolipin antibody
NESRİN ERGİN