Geri Dön

AIII BVI kristallerinde eksiton etkileri

Exciton effects in AIII BVI crystals

  1. Tez No: 121674
  2. Yazar: TEMEL ÇAKIR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HASAN MEMMEDOV
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Exciton Effects, Layered Semiconductor Crystals
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dumlupınar Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 216

Özet

IV ADIBVI KRİSTALLERİNDE EKSİTON ETKİLERİ Temel Çakır Fizik Bölümü, Yüksek Lisans Tezi, 2002 Tez Danışmanı : Prof. Dr. Hasan Memmedov ÖZET Bu çalışmada, Ge, Se, Si katkılı ve katkısız AIII BVI kristallerinin fotoelektrik özelliklerini araştırdık. Bu kristallerin tabakalı yapılan sayesinde kolayca istenen kalınlıkta kristal alabildik ve bu kristallerin yüzeylerine farklı metallerden M1 AIII BVI -M2 yapılan elde etmek için lehimler yaptık. Elde edilen M1 AIII BVI -M2 yapılarının temas bölgelerinde Schottky tabakası ve engeli oluşturuldu. Bu tüketilmiş tabakalar yüksek fotoiletkenlik ve fotovoltaik özellikler sergiledi. Karanlık ve lazer ışını aydınlatması altında yapılan deney sonuçlarından enjeksiyon yoluyla yaniletkene geçen elektronların tuzak merkezlerinde yüksek yoğunlukta depolandığı ve uygun bir lazer ışını ile bu elektronların iletkenlik bandına uyarılarak iletkenlikte artış meydana getirdiği belirlenmiştir I-V ve C-V analizleri difüzyon teorisine göre yapılmıştır. Fotoiletkenlik süreçlerde maksimum eksiton durumları ile bağlı olduğu gösterilmiştir. T = 77 K de elektrolüminesans spektrumunun maksimumunda eksiton yüzeyinden olan yeniden birleşim ışımasına bağlı olduğu düşünülmüştür. Anahtar Kelimeler : Eksiton Etkileri, Tabakalı Yarıiletken Kristaller

Özet (Çeviri)

EXCITON EFFECTS IN AIIIBVI CRYSTALS Temel Çakır Departmant of Physics, M.S.Thesis, 2002 Thesis Supervisor: Prof. Dr. Hasan Memmedov SUMMARY In this present work, we have searched the photoelectric properties of Ge, Se, Si doped Am B^ crystals. Due to the layered structures of these crystals we could easily take crystals at desired thickness and we soldered different metals on surface of this crystals in order to have Mr Ara B71 -M2 structures. At the contact region of as created Mr Ara B^ -M2 the Schottky layer and Schottky barrier has been formed. These depletion regions exhibited a high photo conductivity and fotovoltaic behavior. According to the result made in dark and at illumination of laser light and it have been suggested that, the electrons passing to the semiconductor by injection trapped at high amounts at the trapping centers increase the conductivity if they can be sample is illuminated by stimulative laser light. I-V and C-V analyses have been made according to the Diffusion theory. In photoelectric grosses have been shown that it is due to the exciton states. At 77 Kat maximum electroluminescence spectrum is due to the recombination process from exciton states.

Benzer Tezler

  1. AIIIBVI kristallerinde fotoiletkenlik ve GaS, GaSe, GaTe ve GaSe1-xTex kristallerle metal-yarıiletken-metal eklemler

    Photoconductivity of AIIIBVI crystals and metal-semiconductor-metal junctions withGaS, GaSe, GaTe and GaSe1-xTex crystals

    CEMALETTİN TÜRKMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN MEMMEDOV

  2. A üssü III B üssü VI kristallerinde schottky engelleri alınması

    The Schottky barries in soldering AIII BVI crystala

    MEHMET KABAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN MEMMEDOV MECİD

  3. Tabakalı galyum selenit (GaSe) kristalinde schottky ekleminin yapılması ve I-V karekteristiğinin araştırılması

    Formation of schottky junction in the layered gallium selenide (GaSe) crystal and investigation of I-V characteristic

    HÜSEYİN ERTAP

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. HASAN MAMMADOV

  4. AIII BIII C2VI yarı iletken kristallerinin fotovoltaik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation photovoltaic properties of AIII BIII C2VI semiconductor crystals

    GÖKHAN ALTUNOYMAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

  5. Genç yaş grubunun iskemik serebrovasküler hastalıklarında antitrombin III, protein C, protein S ve antikardiolipin antikor düzeyleri

    Cerebral ischemia at young adults: Levels of antithrombin III, protein C, protein S and anticardiolipin antibody

    NESRİN ERGİN

    Tıpta Uzmanlık

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Nörolojiİstanbul Üniversitesi

    Nöroloji Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAKİ GÖKSAN