AIIIBVI kristallerinde fotoiletkenlik ve GaS, GaSe, GaTe ve GaSe1-xTex kristallerle metal-yarıiletken-metal eklemler
Photoconductivity of AIIIBVI crystals and metal-semiconductor-metal junctions withGaS, GaSe, GaTe and GaSe1-xTex crystals
- Tez No: 121682
- Danışmanlar: PROF. DR. HASAN MEMMEDOV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dumlupınar Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 247
Özet
IV AmBv1 KRİSTALLERİNDE FOTOİLETKENLİK VE GaS, GaSe, GaTe and GaSel-x Tex KRİSTALLERLE METAL - YARIİLETKEN - METAL EKLEMLER Cemalettin Türkmen Fizik Bölümü, Yüksek Lisans Tezi, 2002 Tez Danışmanı : Prof. Dr. Hasan MEMMEDOV ÖZET AIIIBVI (GaS, GaSe,GaTe, InS, InSe, InTe ve alaşım GaSe1-xTex) tabakalı yarıiletken kristaller Bridgman metoduyla büyütülmüştür. Elde edilen kristaller X - işim kırınımı metoduyla analiz edilmiştir. Kristallerin yapısal özellikleri ve örgü parametreleri incelenmiştir. Absorbasyon ve fotoluminesans ölçümleri araştırılmıştır. Metal - yarıiletken Schottky engel eklemler yapılmış ve kristaller araştırılmıştır. Bir metal bir yarıiletken ile kontak yaptığı zaman Schottky engel, şekillenir, metal yarıiletken yüzeyler arasında yük ayrımının oluşumu yarıiletkende mobil yüklerin olmadığı yüksek dirençli bir bölgeyi oluşturacaktır. Eklem kapasitansı ve akün, ışık ve sıcaklık altında uygulanan gerilimin fonksiyonu olarak ölçülmüştür. Gelen fotonlar elektronları uyararak engel üzerinden aşırmıştır. Metal ve metal olmayan yüzeyler arasında yük akışı incelenmiştir. Schottky engellerin akım - voltaj ve kapasitans - sıcaklık karakteristiği tartışılmıştır. Engel yüksekliği ölçüm sonuçlarına göre tüketilmiş tabaka belirlenmiştir. Engel yüksekliğine ışık ve sıcaklığın etkisi araştırılmıştır. AIIIBVI kristalleri için LED ve yarıiletken lazerler, fotodedektörler, MYM fotodiyotlar, optoelektronik modülasyon ve anahtar araçlar incelenmiştir. Anahtar Kelimeler : AIIIBVI Kristaller, Eksiton, Fotodiyot, Fotoiletkenlik, Lazer, LED, Metal - Yarıiletken Eklemler, Optoelektronik Modülasyon, Schottky Engeller, Tabakalı Yarıiletkenler, Tüketilmiş Tabaka,
Özet (Çeviri)
PHOTOCONDUCTIVITY OF A“^”CRYSTALS AND METAL - SEMICONDUCTOR - METAL JUNCTIONS WITH GaS, GaSe, GaTe and GaSelx Tex CRYSTALS Cemalettin Türkmen Departman of Physics, M.S. Thesis, 2002 Thesis Supervisor : Prof. Dr. Hasan MEMMEDOV SUMMARY AraBVI (GaS, GaSe,GaTe, InS, InSe, InTe and the alloy of GaSei.xTex) layer semiconductor crystals are growthed by Bridgman method. The obtained crystals are analysed with X - ray diffraction method. The structure properties and lattice parameters of crystals are investigated. Absorption and photoluminesans measurements are studied. Metal - semiconductor Schottky Barrier junctions are made and crystals are investigated. Schottky barrier, which forms when a metal is contacted with a semiconductor, arises from the separation of charges at the metal - semiconductor interface such that a high - resistance region devoid of mobile carriers is created in the semiconductor. Junction capacitance and the current are measured as a function of applied bias under illumination and temperature. The incident photons are excited some electrons from the metal over the barrier. The charge current of interfaces between metals and nonmetals is investegated. The current - voltage and capacitance - temperature characteristics of a Shottky barrier are discussed. According to the results of barrier height measurement, the depletion layer thickness is determineted. Effects of light and temperature are investigeted on the barrier height. LED and semiconductor lazers, photodedector, MYM photodiode, optoelectronic modulation and switching devices is investegated for AmBVI crystals. Key Words : A^IBvl Crystals, Depletion Layer, Exciton, Laser, Layered Semiconductors, LED, Metal - Semiconductor Junctions, Optoelectronic Modulation, Photoconductivity, Photodiode, Schottky Barriers,
Benzer Tezler
- AIII BVI kristallerinde eksiton etkileri
Exciton effects in AIII BVI crystals
TEMEL ÇAKIR
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN MEMMEDOV
- A üssü III B üssü VI kristallerinde schottky engelleri alınması
The Schottky barries in soldering AIII BVI crystala
MEHMET KABAY
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN MEMMEDOV MECİD
- Tabakalı galyum selenit (GaSe) kristalinde schottky ekleminin yapılması ve I-V karekteristiğinin araştırılması
Formation of schottky junction in the layered gallium selenide (GaSe) crystal and investigation of I-V characteristic
HÜSEYİN ERTAP
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiKafkas ÜniversitesiFizik Bölümü
PROF. DR. HASAN MAMMADOV
- Bazı bileşikler ve kristallerde lineer diferensiyel saçılma katsayılarının dağılımının ölçülmesi ve etkin atom numarasına göre değişiminin incelenmesi
Determination of angular distribution of linear differential scattering coefficients and it's examined with the change in effective atomic number in some compounds and crystals
ORHAN İÇELLİ
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SALİH ZEKİ ERZENEOĞLU