Geri Dön

CMOS analog çarpma devrelerinde harmonik distorsiyonun azaltılmasına yönelik yeni topolojiler

New topologies for reducing harmonic distortion in CMOS analog multiplier circuits

  1. Tez No: 127208
  2. Yazar: RIZA CAN TARCAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. HAKAN KUNTMAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 78

Özet

CMOS ANALOG ÇARPMA DEVRELERİNDE HARMONİK DİSTORSİYONUNUN AZALTILMASINA YÖNELİK YENİ TOPOLOJİLER ÖZET Bir çok devre ve sistem uygulamaları iki analog işaretin lineer çarpımı olan bir işarete ihtiyaç duyar. Analog çarpma devreleri bu amaca hizmet eden bir devre bloğudur. Bu nedenle analog çarpma devreleri işaret işleme sistemlerinin anahtar elemanlarından biridir. Dört bölgeli analog çarpma devrelerinin gerçekleştirilmesi için bir çok yöntem vardır. Bunların biride doyma bölgesinde çalışan MOS tranzistorun karesel davranışına dayak yöntemdir. Bu tür devrelerin doğrusallığını etkileyen birçok ikinci dereceden etkiler vardır. Hareket yeteneği azalması, tranzistorun karesel davranışına bağlı çalışan çarpma devrelerinin doğrusallığını bozan en önemli etkilerden biridir. Literatürde tranzistorun karesel davranışına dayanarak çalışan birçok çarpma devresi olmasına rağmen hareket yeteneği azalması etkisinden kaynaklanan doğrusal olmama hatasını azaltmak için hiç bir özel önlem alınmamıştır. Bu tezin amacı bu etkileri incelemek ve hareket yeteneği azalması etkisinin azalması etkisinin azlatılması için yeni topolojik iyileştirmeler önermektir. Son ürün olarak çok doğrusal analog çarpma devreleri oluşturmaktır. Tezin ikinci bölümünde analog çarpma devreleri hakkında genel bilgi verilmiş, MOS tranzistorun kareselliğni etkileyen ikincil etkilere değinilmiş ve MOS tranzistorun kareseliğini temel alarak çalışan çarpma devrelerinin doğrusallığını bozan başlıca etkilerden birinin hareket yeteneği azalması etkisi olduğu vurgulanmıştır. Üçüncü bölümde ileride MOS tranzistorun kareseliğine temel alarak çalışan literatürdeki bir çarpma devresine uygulanmak üzere hareket yeteneği azaltması etkisinin tranzistorun kareselliğini bozan etkisini azaltan üç yöntem önerilmiştir. IXDördüncü bölümde üçüncü bölümde sunulan yöntemler yardımıyla, biri akım modunda olmak üzere üç yeni çarpma devresi önerilmiştir. Devrelerin transfer fonksiyonları seriye açılarak yöntemlerin çarpma devresi doğrusallığını ne ölçüde düzelttiği araştırılmıştır. Bu yeni topolojilerin diğerlerine göre farklı bir özelliği de distorsiyonun dışarıdan uygulanan bir kontrol gerilimi ile ayarlanabilme imkanını vermesidir. Beşinci bölümde karşılaştırma amacıyla çarpma devrelerinin lineerleştirmenin yapılmadığı(lineerleştirme yönteminin uygulanmadığı) ve lineerleştirmenin yapıldığı (lineerleştirme yönteminin uygulandığı) durumlar için benzetimler yapılmıştır. Benzetimlerde SPICE LEVEL-3 model parametreleri kullanılmıştır. Sonuçlar önerilen yöntemlerin doğrusallığı arttırdığını sonuç olarakta distorsiyonu azaltmakta etkili olduğunu göstermiştir. Ayrıca önerilen yöntemler devrenin minimum distorsiyonu için dışarıdan ayarlanabilmesine imkan vermektedir. Sonuç olarak önerilen devreler analog tümdevre tasarımında yeni olanaklar sağlayacaktır.

Özet (Çeviri)

NEW TOPOLOGIES FOR REDUCING HARMONIC DISTORTION IN CMOS ANALOG MULTIPLIER CIRCUITS SUMMARY Many circuit or system applications require a signal, which is a linear product of two analog signals. Analog multiplier is a circuit block that serves for such an aim. Therefore, analog multipliers are one of the key elements of signal processing systems. There exist several techniques for implementing four quadrant multipliers. One of these is the technique based on the square-law behaviour of the MOS transistor operating in the saturation region. There are several second-order effects influencing the linearity of this kind of multiplier. Mobility degradation is the most important factor, which worsens the linearity of such multipliers whose operation is based on the square-law characteristic of the MOS transistor. Although several analog multiplier circuits based on square-law characteristic of MOS transistor have been reported in literature, no specific precaution has been taken to reduce the nonlinearity due to the mobility degradation. The aim of this thesis is to investigate these effects and propose new topological modifications to reduce the mobility degradation effect in analog multipliers. As the final product, very linear analog multiplier circuits are aimed. In the second chapter of the thesis, the general insight has been given about analog multipliers, second-order effects of MOS transistor have been discussed and it has been emphasized that the mobility degradation effect is one of the most important effects degrading the linearity of MOS multipliers based on square-law characteristic of the MOS transistor. In the third chapter, three new methods have been proposed for reducing the mobility degradation effect on square-law characteristic of the MOS transistor, to be applied XIlater to a previously reported multiplier based on the square-law characteristic of the MOS transistor. In the fourth chapter, by applying the methods presented in the third chapter, three new multiplier circuits have peen proposed, one of them being a current-mode multiplier. Serial expansions of the transfer functions of the circuits have been obtained for investigating to what extent these methods are improving the linearity of multiplier circuits. One of the different properties of these new topologies, compared to the others is that, it avails the adjustment the distortion via an externally applied control voltage. In the fifth chapter, for comparison purposes, simulations are performed for the forms of multipliers wherein linearization is applied and for the forms wherein linearization is not applied. SPICE LEVEL-3 model parameters have been used in the simulations. The results indicate that the proposed methods are effective for increasing the linearity and thus reducing the distortion. The proposed methods also allow external tuning of the circuit for minimum distortion. Consequently, the proposed circuits will provide new possibilities in analog IC design. xn

Benzer Tezler

  1. Design of high-performance CMOS circuits for interval type-2 fuzzy logic controller

    Aralık değerli Tip-2 bulanık mantık sistemleri için yüksek başarımlı CMOS devre tasarımı

    ALİ NADERİ SAATLO

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSMAİL SERDAR ÖZOĞUZ

  2. Statistical design and yield enhancement of low voltage cmos VLSI circuits

    Düşük gerilimli analog VLSI devrelerin istatistiksel tasarımı

    TUNA B. TARIM

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. H. HAKAN KUNTMAN

  3. CMOS current mode exponential function generator circuit using Pade approximation

    Pade yaklaşıklığı kullanan akım modlu CMOS eksponansiyel fonksiyon üretici devresi

    DUYGU KUTLUOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ALİ TOKER

  4. CCII tabanlı analog devre tasarımları, benzetimleri ve deneyleri

    Implementations, simulations and experiments of CCII-based analog circuits

    TOLGA YÜCEHAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiPamukkale Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERKAN YÜCE

  5. FGMOS transistorlarla nöron tasarımı ve sınıflayıcı uyuglamalar

    Neuron design with FGMOS transistors and classifier applications

    FATİH KELEŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TÜLAY YILDIRIM