CdS ve ZnS yarıiletken bileşiklerin bazı optoelektronik özelliklerinin incelenmesi
A Study of some optoelectronic properties of CdS and ZnS semiconductor compounds
- Tez No: 127387
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ŞERAFETTİN EREL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: CdS, ZnS, Yarıiletken İncefilmler, He-Ne Laser, CdS, ZnS, Semiconductor Thinfilms, He-Ne Laser 11
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 102
Özet
ÖZET CdS ve ZnS YARIİLETKEN BİLEŞİKLERİN BAZI OPTOELEKTRONİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ GÖÇER, Erdoğan Kırıkkale Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı, Yüksek Lisans Tezi Danışman: Yrd. Doç. Dr. Şerafettin EREL Şubat 2002, 90 sayfa Bu tezde, saf ve in katkılı CdS bileşiği Spray Pyrolysis tekniği kullanılarak ince film haline getirilmiştir. %0.10, %0.15 ve %0.50 oranlarında in katılarak farklı oranlardaki katkı malzemesinin fotodedektörün çalışmasını ne şekilde etkilediği incelenmiştir. Bu amaçla düşük sıcaklıklarda ve vakum ortamında çalışabilecek bir sıvı azot kryostatı yapılmıştır. Deneyde, fotodedektörler farklı şiddetlerde ışık akısı ve lazer fotonlarıyla uyarılarak bu dedektörlerin tepkileri incelenmiştir. Ayrıca bu çalışmada ZnS yarıiletken malzemelerin de bazı optoelektronik özellikleri incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT A STUDY OF SOME OPTOELECTRONIC PROPERTIES OF CdS and ZnS SEMICONDUCTOR COMPOUNDS GÖÇER Erdoğan Kırıkkale University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics, M. Sc. Thesis Supervisor: Asst. Prof. Dr. Şerafettin EREL February 2002, 99 pages In this thesis, pure and In doped CdS compounds have been obtained in the form of thin film by technique of Spray Pyroîysis. Doping In to the most material in various ratios which are 0.10%, 0.15% and 0.50%, the effect of doping ratio to the behaviours of the photodedectors have been studied. For this purpose, a low temperature crystat has been designed and pfoduced. In this work, omic values of the photodedectors, dependent on incident light flux, have been obtained by excitation of photodedectors using incoherent light flux in various intensities and He-Ne laser. Moreover, some optoelectronic properties of ZnS semiconductor materials in this work have also been studied.
Benzer Tezler
- Titanyum dioksit nanotüplerin fotoelektrokimyasal etkinliklerinin incelenmesi
Investigation of the photoelectrochemical activity of titanium dioxide nanotubes
İLKNUR KÜTÜKÇÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Enerjiİstanbul ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL BOZ
- Metal iyonları ilaveli nanotüp tio2 fotokatalizörlerinin kesikli reaktörde fotokatalitik aktivitelerinin incelenmesi
Investigation of photocatalytic activities of metal ions doped tio2 nanotube in the batch reactor
HAKAN KIZILTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Kimya MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TANER TEKİN
- Çok tabakalı yarıiletken ince film aygıtların üretimi ve modellemesi
The Production and modelling of multilayered semiconductor thin film devices
HÜLYA METİN
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAMAZAN ESEN
- II-VI grubu yarıiletken nano yapılı ince filmlerin sol-jel yöntemi ile üretimi
The production of nanostructured thin films using II-VI group semiconductors by sol-gel method
KENAN KOÇ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FATMA Z. TEPEHAN
- Investigation of optical, structural, and electrical properties of semiconducting films produced by different chemical techniques
Değişik kimyasal tekniklerle üretilen yarı iletken filmlerin optiksel, yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
SERAP SÜR ÇELİK
Doktora
İngilizce
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFen Bilimleri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZİHNİ ÖZTÜRK