Metal-CuInSe2 eklemlerin elektrik özelliklerinin incelenmesi
The Investigation of electrical properties of metal-CuInSe2 joint
- Tez No: 128704
- Danışmanlar: PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2002
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 63
Özet
ÖZET Güneş pili yapımında kullanılan metal-CuInSe2 eklemlerin elektriksel özellikleri incelendi. Polikristal olarak elde edilen p-CuInSe2 yarıiletkeni tek kaynaktan buharlaştırma \c selenleştirme yöntemleriyle cam üzerine (slum kalınlıklı) ince film olarak kaplandı. Elde edilen ince filmlerin kristal yapılan XID yöntemiyle incelendi. CIS tek kristallerinin çoğunun (112) düzlemine yönelmiş oldukları görüldü. Hacimsel p-CuInSe2 yarıiletkenin iletkenlik sıcaklık ölçümlerinden yasak enerji aralığı l,03eV olarak bulundu. İnce film p-CuInSe2 yarıiletkenine Ag, Mo, Ni, in, In/Ga metalleriyle kontak yapılarak bu kontakların akım-gerilim karakteristikleri incelendi ve Ni metal kontağın omik karakteristiği ve düşük direnç özelliği gösterdiği anlaşıldı. Molibdenin, p-CuInSe2 ince filmi içine difüzyonu incelendi 430°C de lOdk. tavlama verilen CuInSe2 filmine molibdenin difuzyon katsayısı 2,1x1 0“I2cm2/s olarak bulundu ve 240-520”C arasında difuzyon katsayıları ölçümleri sonucunda molibdenin 0.53eVluk aktivasyon enerjisine sahip olduğu gözlemlendi. İletkenlik-tavlama zamanı ölçümlerinden 24ü“C için molibdenin CuInSe2 filmi içine difuzyon katsayısı l,3xl0”13 cm2/s olarak ölçüldü. p-tipi CuInSe2 filme difuzyon ile katlı yapılmış Mo atomlarının, filmin iletkenliğini artırdığı gözlendi diğer taraftan Mo katkının CuInSe2 filmlerde yeni bir ilave akseptör enerji düzeyi oluşturmadığı görüldü. Anahtar Kelimeler : CuInSe2, Omik Kontak, İnce Film. Molibden-CIS. Difuzyon. Metal-CIS vııı
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Electrical properties of metal-CuInSe2 structures which are used as a solar cell material, were investigated. Polycrystal CuInSe2 semiconductors are evaporated on glass (slum thicness) by single source evaporation and selenization method. XRD measurements on CuInSe2 film showed thai mono crystals in film preferently oriented along (112) planes. Band gap of CuInSe2 semiconductor l,03eV was measured by the method of conductivity- annealing temperature experiments on bulk CuInSe2 crystal. J-V characteristics of Ag, Mo, Ni, In,In/Ga metal contacts on same CuInSe2 film were investigated and measurements showed that Ni metal contacts has ohmic character and lower resistivity than the other metals contacted. Mo diffusion in CuInSe2 film are investigated at annealing temperature 430°C and in the annealing time lOmin. The Diffussion coefficient of Mo into CIS film. 2JxlO“l_cm2/s was measured at this temperature. In series measurements on diffusion coefficient of Mo into CuInSe2 film at temperature range (240-520°C) showed that Mo has 0,53eV activation energy. On the other hand conductivity-annealing time measurements showed that (at 240°C) Mo diffusion coefficient in CuInSe2 film was l,3xl0”13cm2/s Molibden dope in CuInSe2 film increased the conductivity of the film on the other hand there were no additional acceptor levels measured due to Mo dope. Keywords : CuInSe2, Ohmic Contact, Thin Film, Molybdenum-CIS, Difüssion, Metal-CIS IX
Benzer Tezler
- CuInSe2 yarı iletkeninin elektrokimyasal yöntemle büyütülmesi ve Au/CuInSe2/p-Si/Al Schottky yapısının I-V(Akım-Gerilim) ve C-V(Kapasite Gerilim) ölçümleri ile karakterizasyonu
Growth of the CuInSe2 semiconductor with electrochemical deposition technique and characterization of the Au/CuInSe2/p-Si/Al Schottky structure I-V (Current-Voltage) and C-V (Capacitance-Voltage) measurements
ADEM AKDAĞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEVDET COŞKUN
- Bükülebilir kalkopirit ince film güneş pilleri için kontak dizaynı ve optimizasyonu
Back contact and transparent electrode optimization for flexible chalcopyrite thin film solar cells
ESMA UĞUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Mühendislik BilimleriTOBB Ekonomi ve Teknoloji ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NURDAN DEMİRCİ SANKIR
- Polimer güneş pillerinde yarıiletken ince filmlerin elektron taşıyan tabaka olarak kullanılması
Using semiconductor thin films as a electron transport layer in polymer solar cells
SİNEM BOZAR
- Electrochemical reduction of CO2 to CO and other useful chemicals by using inorganic semiconductor electrodes
İnorganik yarıiletken elektrotlar ile karbondioksitin karbonmonoksit veya diğer yararlı kimyasallara elektrokimyasal indirgenmesi
ABDALAZİZ S.A. ALJABOUR
Doktora
İngilizce
2017
Kimya MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MAHMUT KUŞ
- II-VI bileşiklerinin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigations of electrical optical properties of II-VI compounds
FUNDA KIYMET ACIOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL