Geri Dön

Metal-CuInSe2 eklemlerin elektrik özelliklerinin incelenmesi

The Investigation of electrical properties of metal-CuInSe2 joint

  1. Tez No: 128704
  2. Yazar: MURAT ÇALIŞKAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yıldız Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 63

Özet

ÖZET Güneş pili yapımında kullanılan metal-CuInSe2 eklemlerin elektriksel özellikleri incelendi. Polikristal olarak elde edilen p-CuInSe2 yarıiletkeni tek kaynaktan buharlaştırma \c selenleştirme yöntemleriyle cam üzerine (slum kalınlıklı) ince film olarak kaplandı. Elde edilen ince filmlerin kristal yapılan XID yöntemiyle incelendi. CIS tek kristallerinin çoğunun (112) düzlemine yönelmiş oldukları görüldü. Hacimsel p-CuInSe2 yarıiletkenin iletkenlik sıcaklık ölçümlerinden yasak enerji aralığı l,03eV olarak bulundu. İnce film p-CuInSe2 yarıiletkenine Ag, Mo, Ni, in, In/Ga metalleriyle kontak yapılarak bu kontakların akım-gerilim karakteristikleri incelendi ve Ni metal kontağın omik karakteristiği ve düşük direnç özelliği gösterdiği anlaşıldı. Molibdenin, p-CuInSe2 ince filmi içine difüzyonu incelendi 430°C de lOdk. tavlama verilen CuInSe2 filmine molibdenin difuzyon katsayısı 2,1x1 0“I2cm2/s olarak bulundu ve 240-520”C arasında difuzyon katsayıları ölçümleri sonucunda molibdenin 0.53eVluk aktivasyon enerjisine sahip olduğu gözlemlendi. İletkenlik-tavlama zamanı ölçümlerinden 24ü“C için molibdenin CuInSe2 filmi içine difuzyon katsayısı l,3xl0”13 cm2/s olarak ölçüldü. p-tipi CuInSe2 filme difuzyon ile katlı yapılmış Mo atomlarının, filmin iletkenliğini artırdığı gözlendi diğer taraftan Mo katkının CuInSe2 filmlerde yeni bir ilave akseptör enerji düzeyi oluşturmadığı görüldü. Anahtar Kelimeler : CuInSe2, Omik Kontak, İnce Film. Molibden-CIS. Difuzyon. Metal-CIS vııı

Özet (Çeviri)

ABSTRACT Electrical properties of metal-CuInSe2 structures which are used as a solar cell material, were investigated. Polycrystal CuInSe2 semiconductors are evaporated on glass (slum thicness) by single source evaporation and selenization method. XRD measurements on CuInSe2 film showed thai mono crystals in film preferently oriented along (112) planes. Band gap of CuInSe2 semiconductor l,03eV was measured by the method of conductivity- annealing temperature experiments on bulk CuInSe2 crystal. J-V characteristics of Ag, Mo, Ni, In,In/Ga metal contacts on same CuInSe2 film were investigated and measurements showed that Ni metal contacts has ohmic character and lower resistivity than the other metals contacted. Mo diffusion in CuInSe2 film are investigated at annealing temperature 430°C and in the annealing time lOmin. The Diffussion coefficient of Mo into CIS film. 2JxlO“l_cm2/s was measured at this temperature. In series measurements on diffusion coefficient of Mo into CuInSe2 film at temperature range (240-520°C) showed that Mo has 0,53eV activation energy. On the other hand conductivity-annealing time measurements showed that (at 240°C) Mo diffusion coefficient in CuInSe2 film was l,3xl0”13cm2/s Molibden dope in CuInSe2 film increased the conductivity of the film on the other hand there were no additional acceptor levels measured due to Mo dope. Keywords : CuInSe2, Ohmic Contact, Thin Film, Molybdenum-CIS, Difüssion, Metal-CIS IX

Benzer Tezler

  1. CuInSe2 yarı iletkeninin elektrokimyasal yöntemle büyütülmesi ve Au/CuInSe2/p-Si/Al Schottky yapısının I-V(Akım-Gerilim) ve C-V(Kapasite Gerilim) ölçümleri ile karakterizasyonu

    Growth of the CuInSe2 semiconductor with electrochemical deposition technique and characterization of the Au/CuInSe2/p-Si/Al Schottky structure I-V (Current-Voltage) and C-V (Capacitance-Voltage) measurements

    ADEM AKDAĞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CEVDET COŞKUN

  2. Bükülebilir kalkopirit ince film güneş pilleri için kontak dizaynı ve optimizasyonu

    Back contact and transparent electrode optimization for flexible chalcopyrite thin film solar cells

    ESMA UĞUR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Mühendislik BilimleriTOBB Ekonomi ve Teknoloji Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NURDAN DEMİRCİ SANKIR

  3. Polimer güneş pillerinde yarıiletken ince filmlerin elektron taşıyan tabaka olarak kullanılması

    Using semiconductor thin films as a electron transport layer in polymer solar cells

    SİNEM BOZAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    EnerjiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERAP GÜNEŞ

  4. Electrochemical reduction of CO2 to CO and other useful chemicals by using inorganic semiconductor electrodes

    İnorganik yarıiletken elektrotlar ile karbondioksitin karbonmonoksit veya diğer yararlı kimyasallara elektrokimyasal indirgenmesi

    ABDALAZİZ S.A. ALJABOUR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Kimya MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MAHMUT KUŞ

  5. II-VI bileşiklerinin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigations of electrical optical properties of II-VI compounds

    FUNDA KIYMET ACIOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL