Geri Dön

Design and implementation of 3.2 Gbps LVDS receiver

3.2 Gbps LVDS alıcısının tasarımı ve uygulanması

  1. Tez No: 129388
  2. Yazar: ERDEM KARAADAM
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. GÜNHAN DÜNDAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2002
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 120

Özet

VI ÖZET 3.2Gbps LVDS ALICISININ TASARIMI VE UYGULANMASI Bu tez, LVDS (alçak gerilim diferansiyel işaretleşme) alıcısının tasarımı ve uygulanmasını içermektedir. Tasarımda 0.13 mikron sayısal CMOS bir polisilikon sekiz metal tabakalı teknolji kullanılmıştır. Tasarlanan devre, UMC Silikon fabrikasında üretilmektedir. Alıcı, 3.2 GHz'lik saat işaretini ve 3.2 Gbps'lık rastgele bilgi işaretini algılayacak şekilde tasarlanmıştır. Girişine uygalanan ortak işaretin aralığı 0 - 2.4 volftur. Ancak güç harcamasının artması karşılığında, ortak işaret aralığı 3 volt uyumludur. 3.3 V ve 1.2 Vluk iki ayrı güç kaynağı kullanılmıştır. Tasarım, UMC'nin raporladığı üretim sapmalarında, -40 - 100 santigrat derece aralığında ve güç kaynaklarında yüzde onluk bir sapmada işlevseldir. Devrenin çıkışı bu koşullar altında 100 fF'lık bir yükü sürebilmektedir. Devrenin serimi, VST77170 giriş/çıkış kütüphanesiyle tamamen uyumlu olacak şekilde 140 um - 227.5 um boyutlarında çizilmiştir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT DESIGN AND IMPLEMENTATION OF 3.2 Gbps LVDS RECEIVER This thesis presents the design and implementation of an LVDS receiver. The design uses CMOS013 one poly eight metal layers technology and is being implemented in UMC fabs. The receiver is designed to have a working frequency of 3.2 GHz while receiving clock signal and 3.2 Gbps while receiving random data signal. It has a common mode voltage range of 0-2.4 V. It is compatible with common mode range of 3 V at the expense of power dissipation. Two separate voltage supplies of 3.3 V and 1.2 V are used. Design is functional within all process variations reported by UMC, between -40 and 100 Celsius degrees of temperature and has a tolerance of 10 per cent with respect to power supply voltages. Driving capability of the receiver is 100 fF. The layout is drawn with full compatibility to VST77170 I/O library, and the layout size is 140 um x 227.5 um.

Benzer Tezler

  1. Measurement-based antenna misalignment analysis and angle of arrival estimation for terahertz wireless communication systems

    Kablosuz haberleşme sistemlerinde ölçüm tabanlı hatalı anten hizalaması analizi ve geliş açısı kestirimi

    HASAN NAYİR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜNEŞ ZEYNEP KARABULUT KURT

  2. Modeling and characterization of a propagation channel for terahertz wireless communications

    Terahertz kablosuz haberleşme için yayılım kanalının modellenmesi ve karakterizasyonu

    KÜRŞAT TEKBIYIK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜNEŞ ZEYNEP KARABULUT KURT

  3. Implementation of a packet classifier for a router on FPGA

    Bir ağ yönlendiricisi için FPGA üzerinde paket sınıflandırıcı gerçeklemesi

    OĞUZHAN ÇİK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MÜŞTAK ERHAN YALÇIN

  4. Design and implementation of DWDM based rof system for 5G communication networks

    Başlık çevirisi yok

    ABDULLAH ALMETWALI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAltınbaş Üniversitesi

    Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OĞUZ BAYAT

  5. Silicion micromachined capacitive pressure sensors for industrial and biomedical applications

    Silisyum mikroişleme yöntemi ile üretilen endüstriyel ve biomedikal uygulamalar için kapasite basınç sensörleri

    ORHAN ŞEVKET AKAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. TAYFUN AKIN