Geri Dön

Metal oksitlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi

The Investigation of electrical and optical properties of metal oxides

  1. Tez No: 134779
  2. Yazar: NİHAL ADSIZ
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. AYŞE AYDOĞDU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2003
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Fırat Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 49

Özet

ÖZET Yüksek Lisans Tezi METAL OKSİTLERİN ELEKTRİKSEL VE OPTIKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Nihal ADSIZ Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı 2003, Sayfa:38 Temiz enerji kaynaklarına ihtiyaç duyulan günümüzde oksit yarıiletken filmler, ışığa karşı duyarlı olduğundan dolayı güneş pili ve optoelektronik devre elemanları yapımında, kobalt oksit, nikel oksit gibi geçiş metal oksitlerinden yapılan elektronik devre elemanları da nem ve gaz sensörü olarak kullanılmaya başlanılmıştır. Bu çalışmada CU2O, ZnO, NiO, HgO(kırmızı), HgO(sarı), La203 ve C03O4 metal oksitlerin elektriksel ve optiksel özellikleri araştırıldı. Disk haline getirilen numunelerin elektriksel iletkenlik-sıcaklık ölçümleri yapıldı, a = a0exp(-AE/kT) ifadesi yardımıyla numunelerin aktivasyon enerjileri Cu20 [Eaı = 0.43 eV ve Ean = 0.32 eV], ZnO [Ea] = 0.598 eV ve Ea“ = 1.52 eV], NiO [Ea, = 0.26 eV ve EaI, = 0.28 eV], HgO(kırmızı) [Ea = 0.69 eV], HgO(sarı) [Ea, = 0.66 eV ve Ea”= 1.15 eV], La203 [E,, = 0.56 eV, Ea" = 0.31 eV] ve C03O4 [Eal= 0.47 eV ve Eall= 0.619 eV] olarak bulundu. UV+VİS spektrometresi ile numunelerin soğurma spektrumları alınarak Cu20 [2.75 eV], ZnO [2.85 eV], NİO [3.4 eV], HgO (kırmızı) [3.2 eV], HgO(sarı) [2.85 eV], La203 [3.16 eV] ve Co304 [1.7 eV ve 2.65 eV] yasak enerji aralıkları bulundu. Anahtar Kelime : Metal oksit, Aktivasyon enerjisi, Yasak enerji aralığı, Yarıiletken. VI

Özet (Çeviri)

ABSTRACT Master Thesis INVESTIGATION OF ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF METAL OXIDES Nihal ADSIZ Fırat University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 2003, Page:38 In today's world for the need of clean energy sources, oxide semiconductor films are used in making sun cell and optoelectronic circuit elements because of their sensitivity to light. Besides this, the electronic circuit elements which are made from transition metal oxides as nickel oxide and cobalt oxide, are started to use as gas and humidity sensors. In this study, optical and electrical properties of Cu20, ZnO, NiO, HgO(red), HgO(yellow), La20:, and CO3O4 metal oxides were investigated. The electrical conductivity- temperature measurements of the samples which, were shaped like a disk, was made. By the help of a = a0exp(-AE/kT) equation, the activation energies of samples were found as Cu20 [EaI = 0.43 eV and E.n= 0.32 eV], ZnO [Eai= 0.598 eV and Eair= 1.52 eV], NiO [Ea,= 0.26 eV and Ea“ = 0.28 eV], HgO(red) [E, = 0.69 eV], HgO(yellow) [EaI = 0.66 eV and Ea”=1.15 eV], La203 [Eal= 0.56 eV, Ea" = 0.31 eV] and Co304 [Eal= 0.47 eV and EaII= 0.619 eV]. The absorbtion spectrums of the samples were taken by UV+VIS spectrometer and then the forbidden band gaps were found as Cu20 [2.75 eV], ZnO [2.85 eV], NiO [3.4 eV], HgO (red) [3.2 eV], HgO(yellow) [2.85 eV], La203 [3.16 eV] and Co304 [1.7 eV and 2.65 eV]. Keywords : Metal oxide, Activation energy, Forbidden band gaps, Semiconductor. VII

Benzer Tezler

  1. Tez No

    598824

    ALD yöntemi kullanılarak üretilmiş ZnO,TiO2 ve HfO2 ince film kaplamaların karakterizasyonu ve diyot özelliklerinin incelenmesi

    Characterizations and diode properties of ZnO, TiO2 and HfO2 thin films produced by ALD

    YAĞMUR ALTAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAKAN ATEŞ

  2. Tez No

    169402

    Kompozit yarı iletkenlerin termal, elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of thermal, electric and optic properties of composite semiconductors

    CANAN AKSU CANBAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. AYŞE AYDOĞDU

  3. Tez No

    809370

    Metal katkılı magnezyum oksit ince filmlerin üretimi ve devre elemanlarında uygulaması

    Production of metal doped magnesium oxide thin films and their application in circuit components

    MURAT TÜRKERİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖMER GÜLLÜ

  4. Tez No

    726807

    Elektron demeti buharlaştırma yöntemi ile hazırlanmış tungsten oksit ince filmler üzerine detaylı bir çalışma: Elektrokromik cihaz üretimi ve karakterizasyonları

    A detailed study on tungsten oxide thin films prepared by electron beam evaporation method: Electrochromic device preperation and characterizations

    DİLEK EVECAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ESRA ZAYİM

  5. Tez No

    251060

    Electrical surface modification and characterization of metallic thin films using scanning probe microscope (SPM) nanolithography method

    Taramalı uç mikroskobu nanolitografi yöntemiyle metalik ince filmlerin elektriksel yüzey şekillendirmesi ve karakterizasyonu

    SERKAN BÜYÜKKÖSE

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. SALİH OKUR

Geri Dön