Metal oksitlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
The Investigation of electrical and optical properties of metal oxides
- Tez No: 134779
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AYŞE AYDOĞDU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Fırat Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 49
Özet
ÖZET Yüksek Lisans Tezi METAL OKSİTLERİN ELEKTRİKSEL VE OPTIKSEL ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Nihal ADSIZ Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı 2003, Sayfa:38 Temiz enerji kaynaklarına ihtiyaç duyulan günümüzde oksit yarıiletken filmler, ışığa karşı duyarlı olduğundan dolayı güneş pili ve optoelektronik devre elemanları yapımında, kobalt oksit, nikel oksit gibi geçiş metal oksitlerinden yapılan elektronik devre elemanları da nem ve gaz sensörü olarak kullanılmaya başlanılmıştır. Bu çalışmada CU2O, ZnO, NiO, HgO(kırmızı), HgO(sarı), La203 ve C03O4 metal oksitlerin elektriksel ve optiksel özellikleri araştırıldı. Disk haline getirilen numunelerin elektriksel iletkenlik-sıcaklık ölçümleri yapıldı, a = a0exp(-AE/kT) ifadesi yardımıyla numunelerin aktivasyon enerjileri Cu20 [Eaı = 0.43 eV ve Ean = 0.32 eV], ZnO [Ea] = 0.598 eV ve Ea“ = 1.52 eV], NiO [Ea, = 0.26 eV ve EaI, = 0.28 eV], HgO(kırmızı) [Ea = 0.69 eV], HgO(sarı) [Ea, = 0.66 eV ve Ea”= 1.15 eV], La203 [E,, = 0.56 eV, Ea" = 0.31 eV] ve C03O4 [Eal= 0.47 eV ve Eall= 0.619 eV] olarak bulundu. UV+VİS spektrometresi ile numunelerin soğurma spektrumları alınarak Cu20 [2.75 eV], ZnO [2.85 eV], NİO [3.4 eV], HgO (kırmızı) [3.2 eV], HgO(sarı) [2.85 eV], La203 [3.16 eV] ve Co304 [1.7 eV ve 2.65 eV] yasak enerji aralıkları bulundu. Anahtar Kelime : Metal oksit, Aktivasyon enerjisi, Yasak enerji aralığı, Yarıiletken. VI
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Master Thesis INVESTIGATION OF ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF METAL OXIDES Nihal ADSIZ Fırat University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 2003, Page:38 In today's world for the need of clean energy sources, oxide semiconductor films are used in making sun cell and optoelectronic circuit elements because of their sensitivity to light. Besides this, the electronic circuit elements which are made from transition metal oxides as nickel oxide and cobalt oxide, are started to use as gas and humidity sensors. In this study, optical and electrical properties of Cu20, ZnO, NiO, HgO(red), HgO(yellow), La20:, and CO3O4 metal oxides were investigated. The electrical conductivity- temperature measurements of the samples which, were shaped like a disk, was made. By the help of a = a0exp(-AE/kT) equation, the activation energies of samples were found as Cu20 [EaI = 0.43 eV and E.n= 0.32 eV], ZnO [Eai= 0.598 eV and Eair= 1.52 eV], NiO [Ea,= 0.26 eV and Ea“ = 0.28 eV], HgO(red) [E, = 0.69 eV], HgO(yellow) [EaI = 0.66 eV and Ea”=1.15 eV], La203 [Eal= 0.56 eV, Ea" = 0.31 eV] and Co304 [Eal= 0.47 eV and EaII= 0.619 eV]. The absorbtion spectrums of the samples were taken by UV+VIS spectrometer and then the forbidden band gaps were found as Cu20 [2.75 eV], ZnO [2.85 eV], NiO [3.4 eV], HgO (red) [3.2 eV], HgO(yellow) [2.85 eV], La203 [3.16 eV] and Co304 [1.7 eV and 2.65 eV]. Keywords : Metal oxide, Activation energy, Forbidden band gaps, Semiconductor. VII
Benzer Tezler
- ALD yöntemi kullanılarak üretilmiş ZnO,TiO2 ve HfO2 ince film kaplamaların karakterizasyonu ve diyot özelliklerinin incelenmesi
Characterizations and diode properties of ZnO, TiO2 and HfO2 thin films produced by ALD
YAĞMUR ALTAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Metalurji MühendisliğiGazi ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN ATEŞ
- Kompozit yarı iletkenlerin termal, elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of thermal, electric and optic properties of composite semiconductors
CANAN AKSU CANBAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. AYŞE AYDOĞDU
- Metal katkılı magnezyum oksit ince filmlerin üretimi ve devre elemanlarında uygulaması
Production of metal doped magnesium oxide thin films and their application in circuit components
MURAT TÜRKERİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER GÜLLÜ
- Elektron demeti buharlaştırma yöntemi ile hazırlanmış tungsten oksit ince filmler üzerine detaylı bir çalışma: Elektrokromik cihaz üretimi ve karakterizasyonları
A detailed study on tungsten oxide thin films prepared by electron beam evaporation method: Electrochromic device preperation and characterizations
DİLEK EVECAN
Doktora
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESRA ZAYİM
- Electrical surface modification and characterization of metallic thin films using scanning probe microscope (SPM) nanolithography method
Taramalı uç mikroskobu nanolitografi yöntemiyle metalik ince filmlerin elektriksel yüzey şekillendirmesi ve karakterizasyonu
SERKAN BÜYÜKKÖSE
Yüksek Lisans
İngilizce
2009
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Bölümü
DOÇ. DR. SALİH OKUR