Galyum arsenayt'ın (GaAs) foto iletkenliğinin ölçülmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 1366
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. HASAN AKBAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1987
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 66
Özet
-III- Ö Z E T Bu çalışmada Galyum Arsenayt (GaAs) yarı-iletkeninin ışık etkisi altında fiziksel özellikleri ve özellikle foto-iletkenli- ğin“belirli şahitlere hağımlılığı araştırılmıştır. Bu münasehetle önce kısaca yarı-iletkenlerle ilgili genel kavramlar üzerinde durul muş tur» Yarı-iletkenlerin incelenmesinde en önemli yeri işgal eden ”numune hazırlamak ile ilgili olarak kristalin parlatılması, kesilmesi, temizlenmesi ve kimyasal aşın- dırılması (Etch) anlatıldıktan sonra kısaca kontakt ve karsak fiziğinden söz edilmiştir..Son olarak f ot o-iletk enlik anlatılmış, gerekli deneyler yapılarak sonuçlar değerlendirilmiştir. Sonuç olarak hu araştırmada Galyum Arsenayt kristalinin par latılması, kesilmesi, temizlenmesi ve foto-iletkenliğinin ölçül mesi anlatılmış deneyler yapılarak sonuç tartışılmıştır.
Özet (Çeviri)
Özet çevirisi mevcut değil.
Benzer Tezler
- Gallium arsenide/aluminium gallium arsenide double heterostructure laser diodes
Galyum arsenit/alüminyum galyum arsenit çift heterojen yapılı lazer diyotları
CEM GEZER
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
- Design and development of X-band GaN-based low-noise amplifiers
X-bant GaN tabanlı düşük gürültülü yükselteç tasarımı ve geliştirilmesi
SALAHUDDIN ZAFAR
Doktora
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Galyum katkılı çinko oksit ince filmlerin karakterizasyonu ve üretim parametrelerinin ince filmlere olan etkilerinin incelenmesi
Characterization of gallium doped zinc oxide thin films and investigation of the effect of growth parameters on the thin films
ENVER KAHVECİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Bilim ve TeknolojiHacettepe ÜniversitesiNanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ BETÜL KAYNAK
- Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications
Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması
HÜSEYİN ÇAKMAK
Doktora
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER
DOÇ. DR. ALPAN BEK
- Galyum arsenik tabanlı fotoiletken terahertz anten üretim ve iyileştirme çalışmaları
Galium arsenic based photoconductive terahertz antenna production and improvement studies
HASAN MERT BOZACI
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK