Azot iyonları ekilmiş tabakalı galyum selenit kristallerinde fotolüminesans
A photoluminescence study of n ions implanted gallium selenide layered crystals
- Tez No: 182867
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MEVLÜT KARABULUT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Galyum Selenit, Bridgman Metodu, EksitonFotolüminesansı, yon Ekme Metodu, Gallium Selenide, Bridgman Method, ExcitonPhotoluminescence, Ion Implantation Method
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kafkas Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 90
Özet
Son yıllarda Galyum Selenit(GaSe) tabakalı kristalleri, kristal yapısı vefotoelektronik cihazlardaki potansiyel uygulamalarından dolayı büyük ilgigörmektedir. Özellikle farklı metotlar kullanılarak katkılanan GaSe kristallerinineksiton fotolüminesansı geniş olarak araştırılmaktadır.Bu çalışmada GaSe tabakalı kristalleri geleneksel Bridgman metodukullanılarak büyütüldü ve iyon ekme tekniği kullanılarak katkılandı. Büyütülen bukristaller 60keV enerjili 6x1014 iyon/cm2 dozunda ve 100keV enerjili 1016iyon/cm2dozunda N+ iyonlarıyla c-eksenine paralel olarak bombardıman edildi. 20-300Ksıcaklık aralığında saf ve farklı dozlarda N+ iyonları ekilmiş GaSe kristallerindeeksiton fotolüminesansı araştırıldı. Bu katkılamanın sonucu olarak eksitonfotolüminesans pikinin şiddetinin azaldığı gözlendi. Bunun yanı sıra eksitonfotolüminesansındaki azalmanın yüksek dozda iyon ekilen numuneler için dahayüksek olduğu görüldü. Ayrıca eksiton-fonon etkileşmesinde belirleyici olanfononların enerjisi, saf numune için hÏ p = 18meV , 1014iyon/cm2 dozunda N+iyonları ekilmiş GaSe kristali için hÏ p = 17 meV ve 1016iyon/cm2 dozunda N+iyonları ekilen numune için de olarak bulunmuştur. GaSehÏ p = 15meVkristallerinde farklı dozlarda N iyonlarının ekilmesi sonucu gözlenmesi beklenenheteroeklem davranışı gözlenilememiştir. Numunelerin tavlanmaması ve bu yüzdenN-iyonlarının elektriksel olarak aktif olan uygun alt örgü noktalarına dahilolmamalarının heteroeklem davranışının gözlenilememesinin nedeni olduğudüşünülmektedir.
Özet (Çeviri)
In recent years, Gallium Selenide(GaSe) layered crystals attractedconsiderable attention because of the crystal structure of this material and potentialapplications in photoelectronic devices. Especially exciton photoluminescence ofGaSe crystals which are doped using different methods has been being widelyinvestigated.n this study, GaSe layered crystals were grown by the conventionalBridgman method and doped by using ion implantaion technique. This as-growncrystals were bombarded in the direction paralel to c-axis by N ion beams of about60 keV ions with 6x1014 ions/cm2 doses and 100keV ions 1016 ions/cm2 dose.Exciton photoluminescence investigated in undoped and N-implanted GaSecrystals in the 20-300K temperature range. It was observed that the intensity of theexciton photoluminescence peak decreased as a result of these implantations.However, the decrease in the exciton photoluminescence peak found to be higher forhigher doses of implanted ions. The energy of phonons that are involved in theexciton-phonon interaction are found to be hÏ p = 18meV for undoped sample,hÏ p = 17 meV for 1014 ion/cm2 N-ions implanted sample and hÏ p = 15meV for 1016ion/cm2 N-ions implanted sample, respectively. The heterojunction behaviorexpected to be seen in N-ion implanted samples has not been observed. The sampleswere not annealed and thus N-ions have not been incorporated into the appropriatelattice sites where they could be electrically active which is thought to be the reasonfor not observing the heterojunction behavior.
Benzer Tezler
- Organo-kil bileşiklerinin hazırlanması, karakterizasyonu ve 2,4-D'nin çözeltiden adsorpsiyonunda kullanılması
Başlık çevirisi yok
GÜLTEN AKÇAY
- Structural and magnetic characterization of nitrogen ion implanted stainless steel and cocrmo alloys
Azot iyon implante edilmiş paslanmaz çelik ve cocrmo alaşımlarının yapısal ve manyetik karakterizasyonu
MEHMET FİDAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Bölümü
PROF. DR. ORHAN ÖZTÜRK
- Structural and nanohardness behavior of low energy, high flux nitrogen implanted austenitic stainless steel
Düşük enerji yüksek akıda azot implante edilmiş austenitik paslanmaz çeliğin yapı ve nano sertlik davranışı
REFİKA DAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Metalurji Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ORHAN ÖZTÜRK
- Plazma daldırma iyon implantasyonu (PIII) yöntemi ile demir dışı metallerin nitrürlenmesi
Nitriding of nonferrous metals by plasma immersion ion implantation
GÖKÇE MEHMET GENÇER
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Makine MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiKonstrüksiyon ve İmalat Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN KARADENİZ
- Demir dışı malzemelerin plazma daldırma iyon implantasyonu ve depozisyonu (PIII&D) yöntemi ile yüzey işlemi yapılarak incelenmesi
Investigation of non ferrous materials by doing surface process with PIII&D method
MURAT ŞAVUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Makine MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN KARADENİZ