Si üzerinde oluşturulan metal ince filmin (Au) elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Formation of metal thin film on Si (Au), investigation of its elektrical and optical properties
- Tez No: 139902
- Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL BEKTÖRE
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 78
Özet
Bu çalışmada n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotu, vakum buharlaştırma yöntemiyle iki aşamada hazırlanmıştır ve elektriksel özellikleri incelenerek, Schottky bariyerdeki baskın akım geçişinin hangi yolla olduğu belirlenmiştir. Aynı zamanda n- tipi Si/Au Schottky bariyer diyotun elektriksel özellikleri ve optik özellikleri incelenerek bariyer yüksekliği üç farklı yöntemle belirlenmiştir. n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotunun oluşturulmasındaki ilk aşama ohmik kontak oluşturulması sürecidir. Bu süreçte, n-tipi Si' un arka yüzeyine yaklaşık 30 dakika süre ile AuSb vakum buharlaştırma yöntemiyle kaplanmıştır. İkinci aşama n-tipi Si' un ön yüzüne Au ince film kaplanmasıdır. Bu işlemde yaklaşık 25 dakika süre ile vakum buharlaştırma yöntemiyle yapılmıştır. Böylece n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotu elde edilmiştir. Oluşturulan n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotun elektriksel özelliklerinde, akım- gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) karakteristikleri incelenmiştir. Akım-gerilim karakteristiklerinde ln(I)' mn V ye göre grafiği çizilerek n ideal faktörün 1' e çok yakın bir değer olduğu bulunmuştur. Bu sonuç bize n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotun ideale yakın olduğunu ve akım geçişinde termoiyonik yayılmanın baskın olduğunu göstermiştir. Kapasitans-gerilim karakteristiklerinde l/C2' nin V ye göre grafiği çizilerek tükenim bölgesindeki donor konsantrasyonu Nd hesaplanmıştır. Son olarak I-V ve C-V ölçümlerinden elde edilen grafiklerden n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotun bariyer yüksekliği hesaplanmıştır. n-tipi Si/Au Schottky bariyer diyotun optik özelliklerinde ise (Y.hy)1/2' nin hy' ye göre grafiği çizilerek bariyer yüksekliği belirlenmiştir. Deneysel olarak üç farklı yöntemle hesapladığımız bariyer yüksekliklerinin teorik sonuçlar ile çok yakın değerlerde olduğu görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this study n-type Si/Au Schottky barrier diode was prepared by vacuum evaporation method in two steps and dominant current transport in Schottky barrier was determined by investigation of electrical properties. We also determined the barrier height by investigation of electrical and optical properties of the n-type Si/Au Schottky barrier diode. The first step of the study is forming of the ohmic contact. AuSb was deposited on the back side of the n-type Si by vacuum evaporation for 30 minutes. In the second step, Au thin film was deposited on the front side of the n-type Si by vacuum evaporation for 25 minutes. Thereby n-type Si/Au Schottky barrier diode was obtained. I-V and C-V characteristics of the n-type Si/Au Schottky barrier diode were investigated. By plotting ln(I) versus V it is found that n ideality factor equals approximately one. Therefore n-type Si/Au Schottky barrier diode is ideal and thermionic emission is dominant in current transport. Donor concentration No in the depletion region is determined by 1/C2-V graph, n-type Si/Au Schottky barrier height is determined by graphs obtained from I-V and C-V measurements. The barrier height is determined by plotting (Y.hy)1/2 versus hy [(Y.hy)1/2-hy] for optical measurements. Obtained barrier heights by three different ways are convenient to theoretical values.
Benzer Tezler
- Metal/organik/inorganik yarıiletken yapıların sıcaklığa bağlı olarak elektriksel ve optik parametrelerinin belirlenmesi
Determination of temperature dependent electrical and optical parameters of metal/organic/inorganic semiconductor structures
ENİSE ÖZERDEN
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAHSİN KILIÇOĞLU
- Au/Ru(II) kompleks/n-Si yapılarının elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Examination of temperature dependent electrical properties of Au/Ru(II) complex/n-Si structure
EMİNE DİNÇOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEZAİ ASUBAY
- WO3 memristör aygıtların geliştirilmesi
Developement of WO3 memristor devices
HALİL İBRAHİM EFKERE
Doktora
Türkçe
2022
Mühendislik BilimleriGazi ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HAKAN ATEŞ
PROF. DR. SAİME ŞEBNEM AYDIN
- SILAR yöntemi kullanılarak PbO ince filminin üretimi ve Pb/PbO/p-Si MIS kontaklarının elektronik ve arayüzey özellikleri
Production of PbO thin film by using SILAR technique and electronic and interfacial properties of the Pb/PbO/p-Si MIS contacts
EMİNE ERDEM
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiBatman ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER GÜLLÜ
- Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi
The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices
DİLEK DEMİROĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR