SILAR yöntemi kullanılarak PbO ince filminin üretimi ve Pb/PbO/p-Si MIS kontaklarının elektronik ve arayüzey özellikleri
Production of PbO thin film by using SILAR technique and electronic and interfacial properties of the Pb/PbO/p-Si MIS contacts
- Tez No: 659900
- Danışmanlar: PROF. DR. ÖMER GÜLLÜ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Diyot, MIS, PbO, Schottky, SILAR, Diode, MIS, PbO, Schottky, SILAR
- Yıl: 2021
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Batman Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 78
Özet
Son yıllarda, metal oksit ince filmler yoğun bir şekilde piezoelektrik, elektronik, optronik cihazlar ve fotovoltik hücrelerde kullanılmaktadır. Bu tez çalışmasında düşük maliyetli ve kontrolü oldukça kolay olan, SILAR ince film büyütme tekniği kullanılarak kurşun oksit (PbO) ince filmini mikroskop camı (lam) ve inorganik yarıiletken silisyum (Si) altlık üzerine büyütülmüştür. Kullanılan altlıklar uygun kimyasal temizleme işlemlerinden sonra SILAR tekniği ile kaplanmıştır. Kaplama işlemi çözeltiler 80℃'de tutularak yapılmıştır. Kaplama esnasında hem cam hem silisyum kristali (mat yüzey) 25 adımlık daldırma tur sayısı ile kaplanmıştır. Silisyum yarıiletkeni üzerine ince film oluşturduktan sonra üst yüzeyine (parlak yüzey) Pb iletkeni fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırılarak kontak oluşturulmuştur. Cam üzerinde oluşturulan PbO ince filmin optik, morfolojik ve yapısal özellikleri, araştırılmıştır. Oluşturulan Pb/PbO/p-Si MIS Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri karanlık ortamda akım-gerilim (I-V), 10kHz-2MHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V), kondüktans-gerilim (G-V) ve 1kHz-10MHz frekans aralığında kapasite-frekans (C-F) özellikleri incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
In recent years, metal oxide thin films have been used extensively in piezoelectric, electronic, optronic devices and photovoltic cells. In this thesis, using SILAR thin film magnification technique, which is low cost and easy to control, the lead oxide (PbO) thin film was enlarged on microscope glass (slide) and inorganic semiconductor silicon (Si) pads. The pads used were coated with SILAR technique after appropriate chemical cleaning processes. Coating was done by keeping the solution at 80 ℃. Films of different thicknesses were obtained by changing the number of dipping rounds during coating. After forming a thin film on the silicon semiconductor, the coating was performed by evaporating the Pb conductor to its upper surface (bright surface). Optical, morphological and structural properties of PbO thin film formed on glass were investigated. The electrical and interface characteristics of the Pb /PbO/p-Si MIS Schottky diode created were investigated in the dark by using current-voltage (I-V), capacity-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) in 10kHz-2MHz frequency range and capacity-frequency (C-f) characteristics in 1kHz-10MHz frequency range.
Benzer Tezler
- Cu katkılı PbO ince filmlerin SILAR tekniği ile üretilmesi, karakterizasyonu ve Al/(%2-4-6-8)Cu:PbO/p-Si Schottky diyotun elektronik özellikleri
Production and characterization of Cu-doped PbO thin films by SILAR technique and electronic properties of Al/(2-4-6-8%)Cu:PbO/p-Si Schottky diode
BURAK OKAN YAZAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Alkali ve kurşun alkali sırların yapısının Raman Spektroskopisi ile karakterizasyonu
Characterization of structure of alkali and lead-alkali glazes by Raman Spectrometry
GÜLSU ŞİMŞEK
Doktora
Türkçe
2011
Arkeometriİstanbul Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. A. EMEL GEÇKİNLİ
- PbO-indirgenmiş grafen oksit nanokompozitlerinin elektrokimyasal sentezi ve karakterizasyonu
Electrochemical synthesis and characterization of PbO-reduced graphene oxide nanocomposites
BİNGÜL KURT URHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
KimyaAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÜMİT DEMİR
- Sılar yöntemi kullanılarak elde edilen kurşun sülfür filmlerin bazı fiziksel özellikleri
Some physical properties of lead sulfide films deposited by silar method
SEVİL ÇEVİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiMehmet Akif Ersoy ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FATMA GÖDE
- SILAR yöntemi ile farklı altlıklar üzerinde depolanan bakır oksit ince filmlerin özelliklerine tavlamanın etkisi
Effects of annealing to the properties of copper oxide thin films deposited on different substrates by SILAR method
ONUR YILMAZ
Doktora
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CEBRAİL GÜMÜŞ