Geri Dön

SILAR yöntemi kullanılarak PbO ince filminin üretimi ve Pb/PbO/p-Si MIS kontaklarının elektronik ve arayüzey özellikleri

Production of PbO thin film by using SILAR technique and electronic and interfacial properties of the Pb/PbO/p-Si MIS contacts

  1. Tez No: 659900
  2. Yazar: EMİNE ERDEM
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ÖMER GÜLLÜ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Diyot, MIS, PbO, Schottky, SILAR, Diode, MIS, PbO, Schottky, SILAR
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Batman Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 78

Özet

Son yıllarda, metal oksit ince filmler yoğun bir şekilde piezoelektrik, elektronik, optronik cihazlar ve fotovoltik hücrelerde kullanılmaktadır. Bu tez çalışmasında düşük maliyetli ve kontrolü oldukça kolay olan, SILAR ince film büyütme tekniği kullanılarak kurşun oksit (PbO) ince filmini mikroskop camı (lam) ve inorganik yarıiletken silisyum (Si) altlık üzerine büyütülmüştür. Kullanılan altlıklar uygun kimyasal temizleme işlemlerinden sonra SILAR tekniği ile kaplanmıştır. Kaplama işlemi çözeltiler 80℃'de tutularak yapılmıştır. Kaplama esnasında hem cam hem silisyum kristali (mat yüzey) 25 adımlık daldırma tur sayısı ile kaplanmıştır. Silisyum yarıiletkeni üzerine ince film oluşturduktan sonra üst yüzeyine (parlak yüzey) Pb iletkeni fiziksel buharlaştırma yöntemi (PVD) ile buharlaştırılarak kontak oluşturulmuştur. Cam üzerinde oluşturulan PbO ince filmin optik, morfolojik ve yapısal özellikleri, araştırılmıştır. Oluşturulan Pb/PbO/p-Si MIS Schottky diyotun elektriksel ve arayüzey özellikleri karanlık ortamda akım-gerilim (I-V), 10kHz-2MHz frekans aralığında kapasite-gerilim (C-V), kondüktans-gerilim (G-V) ve 1kHz-10MHz frekans aralığında kapasite-frekans (C-F) özellikleri incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

In recent years, metal oxide thin films have been used extensively in piezoelectric, electronic, optronic devices and photovoltic cells. In this thesis, using SILAR thin film magnification technique, which is low cost and easy to control, the lead oxide (PbO) thin film was enlarged on microscope glass (slide) and inorganic semiconductor silicon (Si) pads. The pads used were coated with SILAR technique after appropriate chemical cleaning processes. Coating was done by keeping the solution at 80 ℃. Films of different thicknesses were obtained by changing the number of dipping rounds during coating. After forming a thin film on the silicon semiconductor, the coating was performed by evaporating the Pb conductor to its upper surface (bright surface). Optical, morphological and structural properties of PbO thin film formed on glass were investigated. The electrical and interface characteristics of the Pb /PbO/p-Si MIS Schottky diode created were investigated in the dark by using current-voltage (I-V), capacity-voltage (C-V) and conductance-voltage (G-V) in 10kHz-2MHz frequency range and capacity-frequency (C-f) characteristics in 1kHz-10MHz frequency range.

Benzer Tezler

  1. Alkali ve kurşun alkali sırların yapısının Raman Spektroskopisi ile karakterizasyonu

    Characterization of structure of alkali and lead-alkali glazes by Raman Spectrometry

    GÜLSU ŞİMŞEK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Arkeometriİstanbul Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. A. EMEL GEÇKİNLİ

  2. PbO-indirgenmiş grafen oksit nanokompozitlerinin elektrokimyasal sentezi ve karakterizasyonu

    Electrochemical synthesis and characterization of PbO-reduced graphene oxide nanocomposites

    BİNGÜL KURT URHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    KimyaAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÜMİT DEMİR

  3. Sılar yöntemi kullanılarak elde edilen kurşun sülfür filmlerin bazı fiziksel özellikleri

    Some physical properties of lead sulfide films deposited by silar method

    SEVİL ÇEVİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMehmet Akif Ersoy Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. FATMA GÖDE

  4. Growing doped (Cu-Sn) and undoped zno semiconductor thin films by SILAR method; structural and electrical characterization

    SILAR yöntemiyle (Cu-Sn) katkılı ve katkısız zno yarıiletken ince filmlerin büyütülmesi; yapısal ve elektriksel karakterizasyonu

    FIRAS MUAYAD HABEEB HABEEB

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇankırı Karatekin Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ İLKER KARA

  5. SILAR yöntemiyle üretilmiş CdO filmlerin hidrojen gazı (H2) algılama özelliklerine tavlama sıcaklığının etkisi

    Effects of annealing on the (H2) sensing properties of cdo films grown by the SILAR metod

    EYYÜP DÖNMEZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMustafa Kemal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BÜNYAMİN ŞAHİN