Instability studies in amorphous silicon based alloys
Amorf silisyum tabanlı alaşımlardaki kararsızlık çalışmaları
- Tez No: 153401
- Danışmanlar: PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kararsızlık, Sızma, Yük Enjeksiyonu, MİS, TFT, Biçim Üreteci, Admittans Spektroskopi, DLTS, Geniş Alanlı Elektronik vı, Instability, Percolation, Charge Injection, MİS, TFT, Pattern Generator, Admittance Spectoscopy, DLTS, Large Area Electronics, Image Sensor IV
- Yıl: 2004
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 213
Özet
oz AMORF SİLİSYUM TABANLI ALAŞIMLARDAKİ KARARSIZLIK ÇALİŞMALARİ Özdemir, Orhan Doktora, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bayram Katırcıoğlu Ocak 2004, 185 sayfa P-i-n diyot ve ince film transistorun tümleşmesiyle oluşan gözenek, tarama ve görüntüleme teknolojisinde, görüntü sensor örgüsünün temel öğesidir. Bu yapının üretilmesinde kullanılan hidrojenlenmiş silisyum tabanlı yarıiletken ve yalıtkan ince filmlerin geniş yüzeyde biriktirilmesi gerekmektedir. Bu amaca ulaşmak için genellikle düşük sıcaklıklarda ve geniş yüzeylerde biriktirme yeteneğinden dolayı plazma destekli kimyasal buhar biriktirme tekniği (PECVD) kullanılmıştır. Özellikle, yüksek kaliteli yalıtkan (a-SiNx:H) ve p-i-n diyodun aktif bölgesinin (katkılanmamiş hidrojenlenmiş silisyum karbür, a-SiCx:H) PECVD tekniğiyle büyütülebileceği kanıtlanmiştır. Ayrıca, ardışık yapılan büyütmelerle ara yüzeyle ilgili problemlerin en aza indirilmesine çalışılmıştır. Bu arayüzeyler metal yalıtkan yarıiletken ve ince film transistor yapılarında önemli rol oynar. p tipi kristal Silisyum ve metal taşıyıcılar üzerine PECVD ile büyütülmüş a- SiCx:H ve a-SiNx:H filmlerin, hem admittans spektroskopisi (sığa veya iletkenliğe karşı gerilim, sıcaklık veya frekans ölçümleriyle) hemde DLTS spektroskopisiyle ara yüzey durumları incelenmiştir. Bu yönden, kararsizlık olayları ( yeni yerel durumların oluşması ve yüklerin ön elekroda doğru sızması) c-Si/a-SiCx:H (ve/veya a-SiNx:H) heterojen ekleminde yapılan ölçümlerle izlenmiştir. Özellikle, sığa gerilim kinetiği ve işin gerisinde olan tuzak enerji düzeyleri DLTS'in sıcaklık tarama moduyla belirlenmiştir.Bu çalışmalar boyunca diyodlar üzerine ulaşılan birikim ve deneyim, ince film transistor (TFT) üretilmesinde ve özelliklerinin belirlenmesinde kullanılmıştır. Bu açıdan bakıldığında, alt geçit türü transistor, Combo-251 Biçim üreteci kullanılmak suretiyle, ilk defa üretildi ve karakterize edildi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT INSTABILITY STUDIES IN AMORPHOUS SILICON BASED ALLOYS özdemir, Orhan Ph.D., Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Bayram Katırcıoğlu January 2004, 185 pages The pixel element which is an integrated combination of a p-i-n diode with a thin film transistor (TFT) is used to produce image sensor arrays in scanning and displays technologies, necessitating the deposition of hydrogenated silicon based semiconducting and insulating thin films such as a-Si:H, a-SiNx:H over large area. The widely used techniques to achieve this goal is the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) due to its large area and low temperature (< 300 °C) abilities. In particular, PECVD has proved to be able to deposit both high quality insulator (a-SiNx:H) and active layer of p-i-n diode (intrinsic hydrogenated amorphous silicon carbide, a-SiCx:H) and by sequential deposition, it is possible to minimize the interface related problems, which play an important role in metal insulator semiconductor (MIS) and TFT structures. PECVD deposited a-SiCx:H films over p-type crystal Si and metal substrates (MIS and MIM) were investigated by both admittance spectroscopy (Capacitance or conductance vs. voltage, temperature or frequency measurements) and Deep Level Transient spectroscopy (DLTS) to investigate the interface related problems. In this respect, instability phenomena (due to the creation of metastable states and charge injection into the gate electrode) were studied via the c-Si/a-SiCx:H (and/or a- SiNx:H) heterojunction. Specially, capacitance voltage kinetics were worked out and then the enrolled trap energies were identified with temperature mode DLTS. mThe expertise gathered as a result of these studies were used in the fabrication and characterization of TFT's. In this respect, inverted gate staggered type Thin Film Transistor produced and characterized for the first time after Combo- 251 Pattern Generator was implemented.
Benzer Tezler
- Mikro ark oksidasyon işlemi uygulanmış ZA-8 alaşımının yüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of surface properties of micro arc oxidized ZA-8 alloy
BERKAN ÇAMLIBEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi
The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices
DİLEK DEMİROĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR
- Yapılarda ısı yalıtımı için geopolimer malzeme üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of geopolymer materials for thermal insulation in constructions
UĞUR KUT
Doktora
Türkçe
2018
Mühendislik BilimleriDumlupınar ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSKENDER IŞIK
- Mikro kristal silisyum ince film malzemelerdeki kararsızlık probleminin fotoiletkenlik yöntemi ile incelenmesi
Investigation of instability problem on hidrogenated microcrystalline silicon thin film material by using photoconductivity method
GÖKHAN YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET GÜNEŞ