Instability studies in amorphous silicon based alloys
Amorf silisyum tabanlı alaşımlardaki kararsızlık çalışmaları
- Tez No: 153401
- Danışmanlar: PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Kararsızlık, Sızma, Yük Enjeksiyonu, MİS, TFT, Biçim Üreteci, Admittans Spektroskopi, DLTS, Geniş Alanlı Elektronik vı, Instability, Percolation, Charge Injection, MİS, TFT, Pattern Generator, Admittance Spectoscopy, DLTS, Large Area Electronics, Image Sensor IV
- Yıl: 2004
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz AMORF SİLİSYUM TABANLI ALAŞIMLARDAKİ KARARSIZLIK ÇALİŞMALARİ Özdemir, Orhan Doktora, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bayram Katırcıoğlu Ocak 2004, 185 sayfa P-i-n diyot ve ince film transistorun tümleşmesiyle oluşan gözenek, tarama ve görüntüleme teknolojisinde, görüntü sensor örgüsünün temel öğesidir. Bu yapının üretilmesinde kullanılan hidrojenlenmiş silisyum tabanlı yarıiletken ve yalıtkan ince filmlerin geniş yüzeyde biriktirilmesi gerekmektedir. Bu amaca ulaşmak için genellikle düşük sıcaklıklarda ve geniş yüzeylerde biriktirme yeteneğinden dolayı plazma destekli kimyasal buhar biriktirme tekniği (PECVD) kullanılmıştır. Özellikle, yüksek kaliteli yalıtkan (a-SiNx:H) ve p-i-n diyodun aktif bölgesinin (katkılanmamiş hidrojenlenmiş silisyum karbür, a-SiCx:H) PECVD tekniğiyle büyütülebileceği kanıtlanmiştır. Ayrıca, ardışık yapılan büyütmelerle ara yüzeyle ilgili problemlerin en aza indirilmesine çalışılmıştır. Bu arayüzeyler metal yalıtkan yarıiletken ve ince film transistor yapılarında önemli rol oynar. p tipi kristal Silisyum ve metal taşıyıcılar üzerine PECVD ile büyütülmüş a- SiCx:H ve a-SiNx:H filmlerin, hem admittans spektroskopisi (sığa veya iletkenliğe karşı gerilim, sıcaklık veya frekans ölçümleriyle) hemde DLTS spektroskopisiyle ara yüzey durumları incelenmiştir. Bu yönden, kararsizlık olayları ( yeni yerel durumların oluşması ve yüklerin ön elekroda doğru sızması) c-Si/a-SiCx:H (ve/veya a-SiNx:H) heterojen ekleminde yapılan ölçümlerle izlenmiştir. Özellikle, sığa gerilim kinetiği ve işin gerisinde olan tuzak enerji düzeyleri DLTS'in sıcaklık tarama moduyla belirlenmiştir.Bu çalışmalar boyunca diyodlar üzerine ulaşılan birikim ve deneyim, ince film transistor (TFT) üretilmesinde ve özelliklerinin belirlenmesinde kullanılmıştır. Bu açıdan bakıldığında, alt geçit türü transistor, Combo-251 Biçim üreteci kullanılmak suretiyle, ilk defa üretildi ve karakterize edildi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT INSTABILITY STUDIES IN AMORPHOUS SILICON BASED ALLOYS özdemir, Orhan Ph.D., Department of Physics Supervisor: Prof. Dr. Bayram Katırcıoğlu January 2004, 185 pages The pixel element which is an integrated combination of a p-i-n diode with a thin film transistor (TFT) is used to produce image sensor arrays in scanning and displays technologies, necessitating the deposition of hydrogenated silicon based semiconducting and insulating thin films such as a-Si:H, a-SiNx:H over large area. The widely used techniques to achieve this goal is the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) due to its large area and low temperature (< 300 °C) abilities. In particular, PECVD has proved to be able to deposit both high quality insulator (a-SiNx:H) and active layer of p-i-n diode (intrinsic hydrogenated amorphous silicon carbide, a-SiCx:H) and by sequential deposition, it is possible to minimize the interface related problems, which play an important role in metal insulator semiconductor (MIS) and TFT structures. PECVD deposited a-SiCx:H films over p-type crystal Si and metal substrates (MIS and MIM) were investigated by both admittance spectroscopy (Capacitance or conductance vs. voltage, temperature or frequency measurements) and Deep Level Transient spectroscopy (DLTS) to investigate the interface related problems. In this respect, instability phenomena (due to the creation of metastable states and charge injection into the gate electrode) were studied via the c-Si/a-SiCx:H (and/or a- SiNx:H) heterojunction. Specially, capacitance voltage kinetics were worked out and then the enrolled trap energies were identified with temperature mode DLTS. mThe expertise gathered as a result of these studies were used in the fabrication and characterization of TFT's. In this respect, inverted gate staggered type Thin Film Transistor produced and characterized for the first time after Combo- 251 Pattern Generator was implemented.
Benzer Tezler
- Mikro ark oksidasyon işlemi uygulanmış ZA-8 alaşımının yüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of surface properties of micro arc oxidized ZA-8 alloy
BERKAN ÇAMLIBEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURAT BAYDOĞAN
- Lityum iyon piller için üç boyutlu grafen/karbon nanotüp/silisyum nanokompozit anotların geliştirilmesi
Development of three-dimensional graphene/carbon nanotube/silicon nanocomposite anodes for lithium-ion batteries
SELİN DEMİRCİ
Doktora
Türkçe
2024
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilimi ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİLGÜN YAVUZ
- Production of TiO2-poly (alkylenedioxythiophene) nanostructures for dssc application
Boya uyarımlı güneş pili uygulamarı için TiO2poli (alkilendioksitiyofen) nano yapılarının üretimi
TİMUÇİN BALKAN
Doktora
İngilizce
2016
Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. A. SEZAİ SARAÇ
- Characterization of levan produced by limosilactobacillus fermentum att06 isolated from lactic acid–fermented shalgam beverage
Laktik asit fermantasyonu ile üretilen şalgam suyundan izole edılen lımosılactobacıllus fermentum att06 tarafından üretilen levanın fizikokimyasal karakterizasyonu
ŞEYMA ÇAKIRCA
Yüksek Lisans
İngilizce
2026
Gıda Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiGıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FATİH ORTAKCI