Schottky metalinin kalınlığı ve H2 tavlamasının Au/n-GaAs diyotlarının karakteristik parametreleri üzerine etkileri
Influences of the thickness of the schottky metal and hydrogen annealing on the characteristic diode parameters of the Au/n-GaAs diodes
- Tez No: 155582
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. MEHMET BİBER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky Diyot, Nano Kontak, Engel Metali Kalınlığı, Hidrojen Tavlaması, Termiyonik Emisyon, Schottky diode, Nano contact, Barrier metal thickness, Hydrogen annealing, Thermionic emission
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 96
Özet
ÖZET Y. Lisans Tezi SCHOTTKY METALİNİN KALINLIĞI ve H2 TAVLAMASININ Au/rc-GaAs DİYOTLARININ KARAKTERİSTİK PARAMETRELERİ ÜZERİNE ETKİLERİ Ömer GÜLLÜ Atatürk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Yrd.Doç.Dr.Mehmet BİBER Bu çalışma, engel metal kalınlığının ve hidrojen tavlamasının metal-yarı iletken arayüzeyleri üzerinde yapacağı muhtemel etkileri incelemek için yapıldı. Bunun için, [100] doğrultusunda büyütülmüş, 450 um kalınlığında ve donor konsantrasyonu l-5xl0I7cm"3 olan «-tipi GaAs(:Te) kristali kullanıldı. Kristallerin yüzeyine buharlaştırma ile Au-Ge alaşımı kullanılarak omik kontaklar yapıldı. Daha sonra iki çeşit Schottky kontak yapıldı; birinci tip Schottky kontaklar için yarıiletken diğer yüzeyine herhangi bir işlem yapılmadan vakum ortamında farklı kalınlıklarda Au metali buharlaştırıldı. İkinci tip Schottky kontaklarda ise yarıiletkenin diğer yüzeyi metalizasyondan önce hidrojene maruz bırakıldı daha sonra vakum ortamında değişik kalınlıklarda Au metali buharlaştırıldı. Elde edilen tüm Au/«-GaAs Schottky diyotlara ait/-Fve C-V ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlıkta yapıldı. I-V grafiklerinden engel yükseklikleri, idealite faktörleri ve ters beslem sızıntı akımları hesaplandı. Her iki tip diyot için idealite faktörü ve engel yüksekliklerinin artan metal kalınlığıyla azaldığı görüldü. Yine her iki tip diyot için elde edilen sızıntı akımlarının artan metal kalınlığıyla arttığı gözlendi. Bununla birlikte Cheung fonksiyonları kullanılarak metal kalınlığına ve hidrojen etkisine bağlı olarak idealite faktörleri, engel yükseklikleri ve seri direnç değerleri hesaplandı. Bu yöntemle hesaplanan idealite faktörleri ve engel yüksekliklerinin metal kalınlığına bağlı olarak değişiminin, /-Pden hesaplanan parametrelerin kalınlıkla değişimi ile hemen hemen benzer karakteristik sergilediği görüldü. Ters beslem C-V karakteristiklerinden elde edilen C2-V grafiklerinden engel yüksekliği, donor konsantrasyonu, difüzyon potansiyeli ve Fermi enerji seviyesi değerleri hesaplandı. Bu metot ile bulunan engel yüksekliklerinin metal kalınlığı ile değişiminin, 7-Fden elde edilen engel yüksekliğinin metal kalınlığına bağlı değişimi ile benzer karakter ortaya koyduğu bulundu. Elde edilen tüm sonuçlar literatürle karşılaştırıldı ve bulunan sonuçların literatür ile iyi bir uyum sergilediği görüldü. 2004, 84 Sayfa
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Master Thesis INFLUENCES OF THICKNESS OF SCHOTTKY METAL AND HYDROGEN ANNEALING ON THE CHARACTERISTIC DIODE PARAMETERS OF Au/H-GaAs DIODES Ömer GÜLLÜ Atatürk University, Graduate School of Naturel and Applied Sciences Department of Physics Supervisor: Asst.Prof.Dr.Mehmet BÎBER This study has been made in order to investigate the probable effect of hydogen annealing and barrier metal thickness on the metal-semiconductor interfaces. Therefore, n-GaAs(:Te) semiconductor sample with [100] orientation 450 u.m thickness and l-5xl017 cm"3 donor concentration was used. Ohmic contacts were formed by evaporation method Au-Ge alloy to the face of samples. Then two types of Schottky contacts were formed; first types of schottky contacts were made with evaporation method to the other surface of semiconductor using Au with varying metal thicknesses without a treatment in the vacuum. Whereas second types of Schottky contacts were made with evaporation method using Au with different metal thicknesses annealed in hydrogen atmosphere the other surface of semiconductor before metallisation in the vacuum. I-V and C-V measurements of all Au/«-GaAs Schottky diodes were performed at room temperature and in the dark. The barrier heights, ideality factors and reverse bias saturation currents were computed from I-V graphics. It has been seen that the ideality factors and barrier heights of both type diodes have decreased with increasing metal thickness. Nevertheless, for both type diodes it has been seen that obtained saturation currents rose with increasing metal thickness. In addition to these, ideality factors, barrier heights and series resistances by variation of metal thickness and hydrogen effect were calculated from Cheung functions. It has been seen that the variation of metal thickness of ideality factors and barrier heights obtained from Cheung functions and 7- V graphics have almost been same. The barrier heights, donor concentrations, diffusion potentials and Fermi energy levels calculated from C2-V graphics by making use of reverse bias C-V characteristics. It has been investigated that the variation of metal thickness of barrier heights obtained from C2-V graphics and I-V characteristics have exhibited similar action. All obtained results have been compared with the literature and it has been seen that evaluated results exhibited well accord with the literature. 2004, 84 Pages
Benzer Tezler
- Metal/yalıtkan/n-GaAs hidrojen sensörlerinin araştırılması ve geliştirilmesi
Investigation and development of metal/insulator/n-GaAs hydrojen sensors
NEVİN UĞUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ZAFER ZİYA ÖZTÜRK
Y.DOÇ.DR. FATİH DUMLUDAĞ
- Schottky diyotlarında akım iletim olayı ve seri direnç etkisi
Başlık çevirisi yok
AHMET GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- P+ PM, p+PP+ yapılarının akım-iletim özellikleri ve yapısal parametrelerin tayini
Başlık çevirisi yok
AHMET KARAPINAR
Doktora
Türkçe
1990
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Katodik ark plazma işlemi ile CrSi2 yarıiletken filmlerin üretimi
CrSi2 semiconductor film production via cathodic arc plasma deposition
BERİL KOZÇAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN
- n-Si/Mo Schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependent electrical characterization of n-Si/Mo Schottky diodes
RECAİ ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KEMAL AKKILIÇ