n-Si/Mo Schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependent electrical characterization of n-Si/Mo Schottky diodes
- Tez No: 647230
- Danışmanlar: PROF. DR. KEMAL AKKILIÇ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Metal-Yarıiletken Kontak, Schottky Diyot, Schottky Engel Yüksekliği, Metal-Semiconductor Contact, Schottky Diode, Schottky Barrier Height
- Yıl: 2020
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dicle Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 52
Özet
Bu çalışmada DC saçtırma yöntemi ile Mo metalinin n-Si yarıiletken üzerine saçtırılması ile n-Si/Mo metal-yarıiletken kontağı elde edilmiştir. Oda sıcaklığında ve karanlıkta yapılan akım-gerilim ölçümlerinde yapının doğrultucu kontak özelliği gösterdiği görülmüştür. Oluşturulan n-Si/Mo Schottky diyotunun elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlılığını incelemek amacıyla 80-300 K aralığında akım-gerilim ölçümleri alınmıştır. Schottky diyotun elektriksel özellikleri için termoiyonik emisyon teorisi kullanılmıştır. Yapılan ölçümlerde n-Si/Mo Schottky diyotunun idealite faktörünün artan sıcaklıkla azaldığı tespit edilmiştir. Yapılan analizlerde ayrıca idealite faktörü ile engel yüksekliği arsında lineer bir bağıntının olduğu ve ideal n-Si/Mo Schottky diyotu için engel yüksekliğinin 0,64 eV olduğu gösterilmiştir. Elde edilen I-V eğrilerinin ileri beslem gerilim altında lineerlikten saptığı gözlemlenmiştir. Bu sapmanın nedeninin diyotun sahip olduğu seri direnç etkisine atfedilmiştir. Norde tarafından önerilen fonksiyonlar yardımı ile yapının sıcaklığa bağlı seri direnç ve engel yükseklikleri hesaplanmıştır. Yapılan bu analizlerde engel yüksekliği değerlerinin aynen lnI-V verileriyle elde edilen sonuçlarla uyum içinde gözlemlenmiştir. lnI-V verileri ve Norde fonksiyonları ile hesaplanan engel yükseklikleri arasındaki farklığın yöntemler arasındaki farktan kaynaklandığı ifade edilmiştir. Bunun asıl nedeni olarak lnI-V verileri ile engel yüksekliği hesaplanırken doğru beslem akım-gerilim grafiğinin lineer kısmının dikkate alınmasına rağmen Norde fonksiyonları ile engel yüksekliği hesaplanmasında tüm doğru beslem akım-gerilim verilerinin kullanılması gösterilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, n-Si/Mo metal-semiconductor contact was obtained by scattering Mo metal on n-Si semiconductor by DC scattering method. In current-voltage measurements made at room temperature and in the dark, it was seen that the structure has a rectifier contact feature. In order to examine the temperature dependence of the electrical properties of the n-Si/Mo Schottky diode created, current-voltage measurements in the range of 80-300 K were taken. Thermoionic emission theory is used for the electrical properties of Schottky diode. In the measurements made, it was determined that the ideal factor of n-Si/Mo Schottky diode decreases with increasing temperature. The analyzes also showed that there is a linear correlation between the ideality factor and the obstacle height, and the obstacle height for the ideal n-Si/Mo Schottky diode is 0.64 eV. It was observed that the obtained I-V curves deviate from linearity under forward feed voltage. The reason for this deviation is thought to be due to the series resistance effect of the diode. With the help of the functions proposed by Norde, the series resistance and obstacle heights depending on the temperature were calculated. In these analyzes, it was observed that the height of the obstacles increased exactly in parallel with the results obtained with the lnI-V data. It was stated that the difference between lnI-V data and Norde functions and calculated obstacle heights was caused by the difference between the methods. As the main reason for this, while calculating the obstacle height with the lnI-V data, the linear portion of the correct supply current-voltage graph is used, while using the correct supply current-voltage data to calculate the obstacle height with Norde functions.
Benzer Tezler
- Farklı sıcaklıklarda termal tavlamanın Mo/n-Si schottky diyotların bazı elektriksel karakteristiklerine etkileri
The effects of thermal annealing at different temperatures on some electrical characteristics of Mo/n-Si schottky diodes
HÜLYA ÖLÇER
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR
- Mo/n-Si Schottky yapılarında engel yüksekliği dağılımının ısıl işlem ile değişimi
Barrier height distrubition dependence Toof Mo/n-Si Schottky structures annealing temperature
HAKAN ERTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
- Production and characterization of nanocrystalline CIGS thin film devices and neutron irradiation effects on its structural and electrical properties
Nanokristal CIGS yarı iletken aygıtların üretimi ve karakterizasyonu ve nötron ışınlamanın yapısal ve elektiriksel özelliklerine etkisi
SALMAN AJEEL ALI AL-SAEDI
Yüksek Lisans
İngilizce
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MURAT KALELİ
- The photovoltaic characterization of Mo/Mehtylene Blue/N-Si/Al/Aucontacts
Mo/Metilen Mavisi/N-Sı/Al/Au kontakların fotovltaik kaharakterizasyonu
OMAR MOHAMMED TAHSEEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. KADİR EJDERHA
- Cu2Sn(S,Se)3 ince filmlerinin üretilmesi ve aygıt özelliklerinin incelenmesi
Production of Cu2Sn(S,Se)3 thin films and investigation of device properties
TUĞBA BAYAZIT
Doktora
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiRecep Tayyip Erdoğan ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MURAT TOMAKİN