P+ PM, p+PP+ yapılarının akım-iletim özellikleri ve yapısal parametrelerin tayini
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 356585
- Danışmanlar: PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1990
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 56
Özet
Bu çalışmanın amacı, yüksek özdirençli (p=1150 Q cm.) [III] doğrultusunda kesilmiş p-tipi Si kristalinden yapılan AI/pSi Schottky diyot yapısının akım iletim mekanizmalarının incelenmesi ve bu yapıya ait parametrelerin I-V ve C-V karakteristiklerinden tayin edilmesidir. Özellikle Cheung (1986) tarafından verilen yöntem bu yapıların parametrelerini bulmak için uygulandı. Schottky diyot yapısında omik kontak, Al-Si sisteminin eutektik sıcaklığı olan 577 °C de p tipi Si'a alaşım yapılması ile; doğrultucu kontak ise Aİ metalinin p tipi Si'a kontak yapılması ile gerçekleştirildi. Tüm bu işlemlerde 10-5 torr basınçla çalışıldı. Klasik DC yöntemleri ile p+pM Schottky diyot yapısının, C-V karakteristiklerinden kristal kalınlığı d=17jım., difüzyon potansiyeli eV^iO.2410.02) eV., çoğunluk taşıyıcı yoğunluğu p= (1.5+0.2). 1013 cm"3 ve hole engeli eQ =(0.59±0.02) eV. olarak elde edildi. Bu durumda elektronlar için hesaplanan engel yüksekliği e^ =0.53 eV. dir. Schottky cüyot yapısının Î-V karakteristikleri yardımı ile Schottky çiziminden eg=(0.60±0.02) eV. doğru beslem [dV/d(lnI)]~I ve H(I)-I karakteristiklerinden eg=(0.61±0.03) eV. değerleri bulundu. Bu değerlere göre sırasıyla e^=0.52 eV. ve e^=0,&1 eV. değerleri elde edildi. Ayrıca diyot idealite çarpanı n=1.10±0.03 , diyot seri direnci Rs=130 O , R$=100 H bulundu. Sonuç olarak, p+pM ve p+pp+ yapılarının C-V ve I-V ölçümlerinden elde edilen değerlerin birbirleri ile ve teorinin öngördükleri ile uyum içinde olduğu görüldü
Özet (Çeviri)
The aim of this work is to search the current transport mechanisms of the Schottky diodes Al/pSi and determine the parameters of the diodes made of p type Si having a high resistivity (p=1150 Q cm) and cut [lii] direction. The paramétrés of the diodes are calculated from I-V and C-V characteristics. Especially, Cheung's method (1986) has been applied to work out the paramétrés of the structures. The ohmic contact to the material is made with alloying the metal Al to the p-type Si at the eutectic temperature 577 °C and the rectifying contact is made with evapoting the metal Al onto the other side crystal. All of these processes are applied in the vacuum of 1CT5 torr pressure. Classical DC methods are used in the measurements. The thickness of the crystal, d=17|im; the majority carrier density , p=(1.5±0.2).1013 cm-3 and hole barrier height, eg=(0.59±0.02) eV., obtained by using C-V characteristics of p+pM Schottky diodes structures. In this case,calculated electron barrier height is eB=(0.60±0.02) eV. and eB=(0.61±0.03) eV. respectively. According to these values, the barrier heights of the electrons are e^=052 eV. and ec|)^=0.51 eV. In addition , the diode ideality factor and the series resistance obtained as n=1.10±0.03 and Rg=130 Cl, R$=100 Q As a result ,the measured values from 1-V and C-V characteristics of the p+pM and p+pp+ structures are in good agreement with each other and the theoretical predictions
Benzer Tezler
- P- tipi silisyum yarıiletkeni ile yapılan bipolar ve simetrik kontak yapıların I-V ve C-V karakteristikleri incelenerek çeşitli parametrelerin hesaplanması
The Study of I-V and C-V characteristic of bipolar and symmetric contact structures by using the semiconductor of p-type
ABDULKADİR DARTICI
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Schottky diyotlarında akım iletim olayı ve seri direnç etkisi
Başlık çevirisi yok
AHMET GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Bimodal fonksiyonel dokusuz hava filtrelerinin üretimi ve geçirgenlik özelliklerinin karakterizasyonu
Production of bimodal functional non-woven air filters and characterization of their permeability properties
ALİ TOPTAŞ
Doktora
Türkçe
2023
Tekstil ve Tekstil Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ KILIÇ
- Genel kabuklara ait fonksiyonel ve parabolik silindir kabuklar için karma sonlu eleman formülasyonu
A Functional for shells of arbitrary geometry and the mixed finite element method for parabolic cylindirical shells
ATİLLA ÖZÜTOK
- Yeni tetrapirol türevlerinin sentezi
The synthesis of new tetrapyrrol derivatives
BEHİCE ŞEBNEM SUNGUR