Geri Dön

P+ PM, p+PP+ yapılarının akım-iletim özellikleri ve yapısal parametrelerin tayini

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 356585
  2. Yazar: AHMET KARAPINAR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. NECATİ YALÇIN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1990
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmanın amacı, yüksek özdirençli (p=1150 Q cm.) [III] doğrultusunda kesilmiş p-tipi Si kristalinden yapılan AI/pSi Schottky diyot yapısının akım iletim mekanizmalarının incelenmesi ve bu yapıya ait parametrelerin I-V ve C-V karakteristiklerinden tayin edilmesidir. Özellikle Cheung (1986) tarafından verilen yöntem bu yapıların parametrelerini bulmak için uygulandı. Schottky diyot yapısında omik kontak, Al-Si sisteminin eutektik sıcaklığı olan 577 °C de p tipi Si'a alaşım yapılması ile; doğrultucu kontak ise Aİ metalinin p tipi Si'a kontak yapılması ile gerçekleştirildi. Tüm bu işlemlerde 10-5 torr basınçla çalışıldı. Klasik DC yöntemleri ile p+pM Schottky diyot yapısının, C-V karakteristiklerinden kristal kalınlığı d=17jım., difüzyon potansiyeli eV^iO.2410.02) eV., çoğunluk taşıyıcı yoğunluğu p= (1.5+0.2). 1013 cm"3 ve hole engeli e<j>Q =(0.59±0.02) eV. olarak elde edildi. Bu durumda elektronlar için hesaplanan engel yüksekliği e^ =0.53 eV. dir. Schottky cüyot yapısının Î-V karakteristikleri yardımı ile Schottky çiziminden e<J>g=(0.60±0.02) eV. doğru beslem [dV/d(lnI)]~I ve H(I)-I karakteristiklerinden e<j>g=(0.61±0.03) eV. değerleri bulundu. Bu değerlere göre sırasıyla e<j>^=0.52 eV. ve e<j>^=0,&1 eV. değerleri elde edildi. Ayrıca diyot idealite çarpanı n=1.10±0.03 , diyot seri direnci Rs=130 O , R$=100 H bulundu. Sonuç olarak, p+pM ve p+pp+ yapılarının C-V ve I-V ölçümlerinden elde edilen değerlerin birbirleri ile ve teorinin öngördükleri ile uyum içinde olduğu görüldü

Özet (Çeviri)

The aim of this work is to search the current transport mechanisms of the Schottky diodes Al/pSi and determine the parameters of the diodes made of p type Si having a high resistivity (p=1150 Q cm) and cut [lii] direction. The paramétrés of the diodes are calculated from I-V and C-V characteristics. Especially, Cheung's method (1986) has been applied to work out the paramétrés of the structures. The ohmic contact to the material is made with alloying the metal Al to the p-type Si at the eutectic temperature 577 °C and the rectifying contact is made with evapoting the metal Al onto the other side crystal. All of these processes are applied in the vacuum of 1CT5 torr pressure. Classical DC methods are used in the measurements. The thickness of the crystal, d=17|im; the majority carrier density , p=(1.5±0.2).1013 cm-3 and hole barrier height, e<j>g=(0.59±0.02) eV., obtained by using C-V characteristics of p+pM Schottky diodes structures. In this case,calculated electron barrier height is e<j)^-0.53 eV. The hole barrier heights due to Schottky plots from reverse biascharacteristics.the plots of [dV/d(lnI)]-I and H(I)-I obtained from forward bias characteristics and found as e<j>B=(0.60±0.02) eV. and e<j>B=(0.61±0.03) eV. respectively. According to these values, the barrier heights of the electrons are e<J>^=052 eV. and ec|)^=0.51 eV. In addition , the diode ideality factor and the series resistance obtained as n=1.10±0.03 and Rg=130 Cl, R$=100 Q As a result ,the measured values from 1-V and C-V characteristics of the p+pM and p+pp+ structures are in good agreement with each other and the theoretical predictions

Benzer Tezler

  1. Tez No

    418974

    Design, fabrication and characterizations of n-Si columnar structures for solar cell applications

    Nano-Si kolon yapılarının güneş pili uygulamarı için tasarlanıp, üretilip, karakterize edilmesi

    AYŞEGÜL DEVELİOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. LEVENT TRABZON

  2. Tez No

    561382

    Investigation of capacitive behaviour of emulsion polymerized pedot and its nanocomposites

    Emülsiyon polimerizasyonu ile sentezlenen pedot ve nanokompozitlerinin kapasitif özelliklerinin incelenmesi

    DENİZ GÜLERCAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Polimer Bilim ve Teknolojisiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Polimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDÜLKADİR SEZAİ SARAÇ

  3. Tez No

    46115

    Vortex induced oscillations of an elastically mounte circular cylinder

    Başlık çevirisi yok

    OKŞAN ÇETİNER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1995

    Uçak Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. M. FEVZİ ÜNAL

  4. Tez No

    3179

    Türkiye'nin ekonomik gelişmesinde tarımın parasal sorunları ve tarımsal kredi uygulaması

    Başlık çevirisi yok

    AHMET CEMAL SİVASLIGİL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1986

    EkonomiCumhuriyet Üniversitesi

    Tarım Ekonomisi Ana Bilim Dalı

  5. Tez No

    23111

    P- tipi silisyum yarıiletkeni ile yapılan bipolar ve simetrik kontak yapıların I-V ve C-V karakteristikleri incelenerek çeşitli parametrelerin hesaplanması

    The Study of I-V and C-V characteristic of bipolar and symmetric contact structures by using the semiconductor of p-type

    ABDULKADİR DARTICI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECATİ YALÇIN

Geri Dön