Geri Dön

GaN yarıiletken ince filmlerin optik özelliklerinin fotolüminesans tekniğiyle incelenmesi

Optical properties of GaN thin films semiconductor investigated by photoluminescence technique

  1. Tez No: 155721
  2. Yazar: SANCAR CEBE
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. MAHİR BÜLBÜL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2004
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 71

Özet

GaN YARIİLETKEN İNCE FİLMLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİNİN FOTOLÜMİNESANS TEKNİĞİYLE İNCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Sancar CEBE GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Nisan 2004 ÖZET Bu tez çalışmasında GaAs alttaş üzerine MBE yöntemiyle büyütülmüş katkılı ve katkısız altıgen (wurtzite) yapıdaki GaN yarıiletken numuneler ile katkılı ve katkısız kübik çinko sülfit (zinc blende) yapıdaki GaN yarıiletken numunelerin fotolüminesans spektrumları oda sıcaklığında 337.1 nm dalga boyu ve 7mW güç çıkışlı N2 lazeri ile ölçüldü. Altıgen ve kübik çinko sülfit yapıların oda sıcaklığındaki bant enerji aralığı tayin edildi. Ölçülen sonuçların literatürdeki değerlerle uyum içinde olduğu görüldü. Bilim Kodu Anahtar Kelimeler Sayfa Adedi Tez Yöneticisi 404.05.01 GaN, Fotolüminesans 62 Yrd. Doç. Dr. M. Mahir BÜLBÜL

Özet (Çeviri)

11 OPTICAL PROPERTIES OF GaN THIN FILMS SEMICONDUCTOR INVESTIGATED BY PHOTOLUMINESCENCE TECHNIQUE (M.Sc. Thesis) Sancar CEBE GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY April 2004 ABSTRACT In this study, the photoluminescence spectram of both undoped and doped GaN semiconductor samples in the both wurtzite structure and zinc blende structure are measured by using 337.1 nm laser line and 7 mW output power of N2 laser at room temperature. The energy band values of the wurtzite and zinc blende structures are determined. It is found that measured values are in good agreement with the literature. Science Code Key Words Page Number Adviser 404.05.01 GaN, Photoluminescence 62 Asst. Prof. M. Mahir BÜLBÜL

Benzer Tezler

  1. Çinko oksit (ZnO) tabanlı ultraviyole (UV) ışık yayan diyotların elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical and optical properties of ZnO based ultraviolet light emitting diodes

    EMRE ARSLAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    EnerjiGiresun Üniversitesi

    Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL

  2. III-nitrür yarıiletken yapıların termal buharlaştırma yöntemi ile üretilmesi, elektriksel ve radyasyona bağlı özelliklerinin araştırılması

    Production of III-nitride semiconductor structures by thermal evaporation method and investigation of their electrical and radiation properties

    ALİ OLKUN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERTAN KEMAL AKAY

  3. Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD

    III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD'deki uygulamaları

    ALI HAIDER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    Assist. Prof. AYKUTLU DANA

    DR. NECMİ BIYIKLI

  4. Electrical properties and device applications of atomic layer deposited ZnO and GaN thin films

    Atomik katman kaplama metoduyla büyütülen ZnO ve GaN ince filmlerin elektriksel özellikleri ve aygıt uygulamaları

    SAMİ BOLAT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY

  5. Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması

    Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications

    HATİCE ASIL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN