GaN yarıiletken ince filmlerin optik özelliklerinin fotolüminesans tekniğiyle incelenmesi
Optical properties of GaN thin films semiconductor investigated by photoluminescence technique
- Tez No: 155721
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. MAHİR BÜLBÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 71
Özet
GaN YARIİLETKEN İNCE FİLMLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİNİN FOTOLÜMİNESANS TEKNİĞİYLE İNCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Sancar CEBE GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Nisan 2004 ÖZET Bu tez çalışmasında GaAs alttaş üzerine MBE yöntemiyle büyütülmüş katkılı ve katkısız altıgen (wurtzite) yapıdaki GaN yarıiletken numuneler ile katkılı ve katkısız kübik çinko sülfit (zinc blende) yapıdaki GaN yarıiletken numunelerin fotolüminesans spektrumları oda sıcaklığında 337.1 nm dalga boyu ve 7mW güç çıkışlı N2 lazeri ile ölçüldü. Altıgen ve kübik çinko sülfit yapıların oda sıcaklığındaki bant enerji aralığı tayin edildi. Ölçülen sonuçların literatürdeki değerlerle uyum içinde olduğu görüldü. Bilim Kodu Anahtar Kelimeler Sayfa Adedi Tez Yöneticisi 404.05.01 GaN, Fotolüminesans 62 Yrd. Doç. Dr. M. Mahir BÜLBÜL
Özet (Çeviri)
11 OPTICAL PROPERTIES OF GaN THIN FILMS SEMICONDUCTOR INVESTIGATED BY PHOTOLUMINESCENCE TECHNIQUE (M.Sc. Thesis) Sancar CEBE GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY April 2004 ABSTRACT In this study, the photoluminescence spectram of both undoped and doped GaN semiconductor samples in the both wurtzite structure and zinc blende structure are measured by using 337.1 nm laser line and 7 mW output power of N2 laser at room temperature. The energy band values of the wurtzite and zinc blende structures are determined. It is found that measured values are in good agreement with the literature. Science Code Key Words Page Number Adviser 404.05.01 GaN, Photoluminescence 62 Asst. Prof. M. Mahir BÜLBÜL
Benzer Tezler
- Çinko oksit (ZnO) tabanlı ultraviyole (UV) ışık yayan diyotların elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and optical properties of ZnO based ultraviolet light emitting diodes
EMRE ARSLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL
- III-nitrür yarıiletken yapıların termal buharlaştırma yöntemi ile üretilmesi, elektriksel ve radyasyona bağlı özelliklerinin araştırılması
Production of III-nitride semiconductor structures by thermal evaporation method and investigation of their electrical and radiation properties
ALİ OLKUN
Doktora
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERTAN KEMAL AKAY
- Atomic layer deposition of III-nitrides and metal oxides; their application in area selective ALD
III-nitratların ve metal oksitlerin atomik katman kaplamısı; bunların alan seçici ALD'deki uygulamaları
ALI HAIDER
Doktora
İngilizce
2017
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
Assist. Prof. AYKUTLU DANA
DR. NECMİ BIYIKLI
- Electrical properties and device applications of atomic layer deposited ZnO and GaN thin films
Atomik katman kaplama metoduyla büyütülen ZnO ve GaN ince filmlerin elektriksel özellikleri ve aygıt uygulamaları
SAMİ BOLAT
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması
Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications
HATİCE ASIL
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN