Geri Dön

Silikon P-I-N fotodiyotların elektriksel karakterizasyonu

Electrical characterization of silicon P-I-N photodiodes

  1. Tez No: 167836
  2. Yazar: ŞADAN ÖZDEN
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. HABİBE BAYHAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Foto diyot, Güneş Pili, Elektriksel Karakterizasyon, Akım İletim Mekanizmaları, Admitans ve Empedans Spektroskopisi
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Muğla Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 121

Özet

IV SİLİKON P - 1 - N FOTODÎYOTLARIN ELEKTRİKSEL İCARAKTERİZASYONU (Yüksek Lisans Tezi) Şadan ÖZDEN MUĞLA ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ 2005 ÖZET Bu çalışmada, BPW 34 ve BPW 41 silikon p-i-n fotodiyot aygıtlar ile tipik bir ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 güneş pilinin elektriksel özellikleri sıcaklık bağımlı karanlık akrm-gerilim ve admittans spektroskopisi ölçüm teknikleri kullanılarak araştırılmıştır BPW34 ve BPW41 fotodiyotların verimlilik değerleri sırayla yaklaşık 5% ve 12% olup doğrultma oranlan ise yaklaşık 106 -107 civarındadır. Pin fotodiyotların akım iletim mekanizmaları, Logl-V karakteristiklerinde iki farklı voltaj bölgesi ele alınarak incelenmiştir. Tipik bir fotodiyot için, I. bölgede (düşük besleme gerilimi); sıcaklığın 200K den büyük değerleri için p/i ara yüzeyi civarında i-tabaka yasak enerji aralığı ortalarına yalan kısımlarda bulunan elektron ve deşik yerel tuzak durumları arasındaki yeniden birleşme mekanizmasının toplam akıma önemli katkı yaptığı saptanmıştır. I. bölgede düşük sıcaklıklarda (T0.3 V için ise soğurucu tabaka tükenmiş bölgesi içinde meydana gelen yeniden birleşmenin toplam akım iletiminde etkin mekanizma olduğu belirlenmiştir. Admitans spektroskopi tekniği ile aktivasyon enerjisi Ea=l,49 eV ve durum yoğunluğu yaklaşık 2x1 017 cm“3 eV”1 olan bir tuzak durumu belirlenmiştir. Empedans verilerinin analizi, eşdeğer devre modelinin birbirine paralel bağlı kapasitans, direnç elemanına seri bağlı olan bir dirençten oluştuğunu göstermiştir.

Özet (Çeviri)

VI ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF SILICON P - 1 - N PHOTODIODES (Ph. M. Thesis) Şadan ÖZDEN MUGLA UNIVERSITY INSTITUTE of SCIENCE and TECHNOLOGY 2005 ABSTRACT In this study, the electrical properties of silicon based BPW34 and BPW 41 photodiodes and a typical ZnO/CdS/Cu(In,Ga)Se2 solar cell have been investigated using temperature dependent current-voltage and admittance spectroscopy measurement techniques. The efficiencies of BPW34 ve BPW41 photodiodes are measured as 4.9% and 11.95%, respectively and the rectification ratio for both devices is about 106 -107. The conduction mechanism in pin photodiodes are analysed by dividing the Logl-V characteristics into two distinct voltage regions. For a typical photodiode, in region I. and for temperatures above than 200K, the recombination between localised acceptor and donor states located at about the mid gap of i-layer and near the p/i interface was found to have an important contribution to the total current. At low temperatures (T

Benzer Tezler

  1. Organometalik ara katmanlı metal/yarıiletken schottky fotodiyotların elektriksel ve fotoelektriksel karakteristiklerinin deneysel ve optimizasyon teknikleri ile belirlenmesi

    Determination of electrical and photoelectrical characteristics of metal/semiconductor schottky photodiodes with organometallic intermediate layer using experimental and optimization techniques

    FATMA ZEHRA BAYAT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜLYA DOĞAN

    DOÇ. DR. MUSTAFA ŞEKER

  2. Fabrication of CdS quantum dots and nanostructure ZnO based photodetectors

    CdS kuantum noktaları ve nanoyapılı ZnO esaslı foto dedektörlerin üretilmesi

    BESTOON ANWER HAMAD AMEEN HAMAD AMEEN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    BiyomühendislikKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Biyomühendislik ve Bilimleri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ABDULKADİR YILDIZ

    PROF. DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU

  3. Yeni nesil Si3N4:ZnO fotodiyotların üretimi ve elektro-optik karakterizasyonu

    Manufacturing of novel Si3N4:ZnO photodiodes and their electro-optical characterisation

    ERHAN İBRAHİMOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Metalurji MühendisliğiSakarya Uygulamalı Bilimler Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZAFER TATLI

    PROF. DR. FATİH ÇALIŞKAN

  4. Üç bileşenli metal oksit yarıiletken fotodiyotların üretilmesi ve elektriksel özellikleri

    Fabrication and electrical characterization of ternary metal oxide semiconductor photodiodes

    GÜLŞAH TUNCEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ

  5. High efficient PİN photodiode fabrication and evaluation for medical applications

    Yüksek verimli PIN foto diyot üretilmesi ve tıbbi uygulamalar için değerlendirilmesi

    EMRE DOĞANCI

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERCAN YILMAZ