Geri Dön

Cu/p-Si Schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi

The determination the current mechanism of the Cu/p-Si Schottky diodes

  1. Tez No: 167930
  2. Yazar: HAMZA TEMİR
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. AHMET GÜMÜŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, Silisyum, idealite faktörü, metal-yaniletken kontak, omik kontak, doğrultucu kontak, yüzey durumları, oksit, donor, akseptör. m
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Niğde Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 91

Özet

ÖZET Cu/p-Si SCHOTTKY DİYOTLARINDA AKIM MEKANİZMALARININ BELİRLENMESİ TEMİR,Hamza Niğde Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Ana Bilim Dalı Danışman :Yrd. Doç. Dr. Ahmet GÜMÜŞ Temmuz 2005, 80 sayfa Bu çalışmada, yüksek özdirençli [111] doğrultusunda kesilmiş p-tipi Si kristalinden yapılan Al/pSi/Cu Schottky diyot yapısının akım iletim mekanizması ve karakteristik parametreleri araştırıldı. Yapıya ait parametrelerin bulunmasında I-V karakteristikleri kullanıldı. N.V. Cheung ve S.K. Cheung tarafından verilen yöntemle diyot parametreleri hesaplandı. Schottky diyot yapısındaki omik kontak, Al-Si (p-tipi) sistemin eutectik sıcaklığı olan 577 °C 'de alaşım yapılması ile; doğrultucu kontak ise Cu metalinin p-tipi Si'a vakumda termal buharlaştırma yöntemiyle gerçekleştirildi. Buharlaştırma işlemleri 10"5 torr basınçta gerçekleştirildi. Yapıların akım-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında, karanlık ortamda yaklaşık 0-8 Volt aralığında ters ve düz belsemlerde alınmıştır. Ayrıca, Schottky diyot yapısının I-V karakteristikleri yardımı ile Schottky çiziminden dt>p= 0,78 eV, doğru beslem [dV/cUnl ]-I ve H(I)-I karakteristiklerinden eOp= 0,80 eV değerleri bulundu. Diyot idealite çarpanı n = 1,66 ile diyot seri direnci Rs=57,21 kQ ve Rs=51,36 kfi olarak bulundu.

Özet (Çeviri)

SUMMARY THE DETERMINATION IN THE CURRENT MECHANISM OF THE Cu/p-Si SCHOTTKY DIODES TEMİR, Hamza Niğde University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor :Yrd. Doç. Dr. Ahmet GÜMÜŞ July 2005, 80 pages In this study Al/p-Si/Cu Schottky diode made of p-type Si Crystal that was cut in the [111] direction of high resistivity and it is parameters characteristics have been researched. So in order to find the parameters relating to the structure the characteristics of I-V were used. The diode parameters have been calculated by the use of methods given by N.V. Cheung and S.K. Cheung. The ohmic contact in the Schottky diode was fulfilled by making p-type Si alloy at 577 °C which was the eutectic temperature of P+P structure and the was made with the contact of Cu metal and p-type Si. Evaporation processes was done under the pressure of 10"5 torr. Current- Voltage (I-V) measurements of the sample at room temperature and dark medium have been taken for the range of approximately 0-8 Volts of forward and reverse bias. In addition, by using the I-V characteristics of the Schottky diode structure, e

Benzer Tezler

  1. A study of surface improvement of p-si by electrolytic solution in cu/p-si schottky contact fabrication

    Cu/p-sı schottky kontak fabrikasyonunda elektrolitik çözeltiyle p-si yüzeyi iyileştirilmesi üzerine bir çalışma

    QUDAMA ALI HUSSEIN HUSSEIN

    Tıpta Uzmanlık

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiVan Yüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CABİR TEMİRCİ

  2. Elektrodepozisyon yoluyla elde edilmiş olan n-Si/Cu, p-Si/Cu Schottky diyotlarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Examining the electrical properties of n-Si/Cu ,p-Si/Cu Schottky diodes formed by electrodeposition method

    BURCU GÜRPINAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ.DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU

  3. Hidrostatik basınç altında metal/p-Si schottky diyotların elektriksel karakterizasyonu

    Electrical characterization of metal/p-Si schottky diodes under hydrostatic pressure

    GÜVEN ÇANKAYA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NAZIM UÇAR

  4. Nanokompozit Cu:DLC ince film tabakalı Al/(Cu:DLC)/p-Si schottky diyotların hazırlanması, elektrik ile dielektrik özelliklerinin geniş frekans ve voltaj aralığında incelenmesi

    Preparation of Al/(Cu:DLC)/p-Si schottky diodes with nanocomposite Cu:DLC thin film layer, investigation of electrical and dielectric properties in a wide frequency and voltage range

    AYLAR FEIZOLLAHI VAHID

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Mühendislik BilimleriZonguldak Bülent Ecevit Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BARIŞ AVAR

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  5. Schottky diyotlarında akım iletim olayı ve seri direnç etkisi

    Başlık çevirisi yok

    AHMET GÜMÜŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECATİ YALÇIN