Cu/p-Si Schottky diyotlarının karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
The determination the current mechanism of the Cu/p-Si Schottky diodes
- Tez No: 167930
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. AHMET GÜMÜŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, Silisyum, idealite faktörü, metal-yaniletken kontak, omik kontak, doğrultucu kontak, yüzey durumları, oksit, donor, akseptör. m
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 91
Özet
ÖZET Cu/p-Si SCHOTTKY DİYOTLARINDA AKIM MEKANİZMALARININ BELİRLENMESİ TEMİR,Hamza Niğde Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Ana Bilim Dalı Danışman :Yrd. Doç. Dr. Ahmet GÜMÜŞ Temmuz 2005, 80 sayfa Bu çalışmada, yüksek özdirençli [111] doğrultusunda kesilmiş p-tipi Si kristalinden yapılan Al/pSi/Cu Schottky diyot yapısının akım iletim mekanizması ve karakteristik parametreleri araştırıldı. Yapıya ait parametrelerin bulunmasında I-V karakteristikleri kullanıldı. N.V. Cheung ve S.K. Cheung tarafından verilen yöntemle diyot parametreleri hesaplandı. Schottky diyot yapısındaki omik kontak, Al-Si (p-tipi) sistemin eutectik sıcaklığı olan 577 °C 'de alaşım yapılması ile; doğrultucu kontak ise Cu metalinin p-tipi Si'a vakumda termal buharlaştırma yöntemiyle gerçekleştirildi. Buharlaştırma işlemleri 10"5 torr basınçta gerçekleştirildi. Yapıların akım-gerilim (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında, karanlık ortamda yaklaşık 0-8 Volt aralığında ters ve düz belsemlerde alınmıştır. Ayrıca, Schottky diyot yapısının I-V karakteristikleri yardımı ile Schottky çiziminden dt>p= 0,78 eV, doğru beslem [dV/cUnl ]-I ve H(I)-I karakteristiklerinden eOp= 0,80 eV değerleri bulundu. Diyot idealite çarpanı n = 1,66 ile diyot seri direnci Rs=57,21 kQ ve Rs=51,36 kfi olarak bulundu.
Özet (Çeviri)
SUMMARY THE DETERMINATION IN THE CURRENT MECHANISM OF THE Cu/p-Si SCHOTTKY DIODES TEMİR, Hamza Niğde University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor :Yrd. Doç. Dr. Ahmet GÜMÜŞ July 2005, 80 pages In this study Al/p-Si/Cu Schottky diode made of p-type Si Crystal that was cut in the [111] direction of high resistivity and it is parameters characteristics have been researched. So in order to find the parameters relating to the structure the characteristics of I-V were used. The diode parameters have been calculated by the use of methods given by N.V. Cheung and S.K. Cheung. The ohmic contact in the Schottky diode was fulfilled by making p-type Si alloy at 577 °C which was the eutectic temperature of P+P structure and the was made with the contact of Cu metal and p-type Si. Evaporation processes was done under the pressure of 10"5 torr. Current- Voltage (I-V) measurements of the sample at room temperature and dark medium have been taken for the range of approximately 0-8 Volts of forward and reverse bias. In addition, by using the I-V characteristics of the Schottky diode structure, e
Benzer Tezler
- A study of surface improvement of p-si by electrolytic solution in cu/p-si schottky contact fabrication
Cu/p-sı schottky kontak fabrikasyonunda elektrolitik çözeltiyle p-si yüzeyi iyileştirilmesi üzerine bir çalışma
QUDAMA ALI HUSSEIN HUSSEIN
Tıpta Uzmanlık
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiVan Yüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CABİR TEMİRCİ
- Elektrodepozisyon yoluyla elde edilmiş olan n-Si/Cu, p-Si/Cu Schottky diyotlarının elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Examining the electrical properties of n-Si/Cu ,p-Si/Cu Schottky diodes formed by electrodeposition method
BURCU GÜRPINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ.DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Hidrostatik basınç altında metal/p-Si schottky diyotların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of metal/p-Si schottky diodes under hydrostatic pressure
GÜVEN ÇANKAYA
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NAZIM UÇAR
- Nanokompozit Cu:DLC ince film tabakalı Al/(Cu:DLC)/p-Si schottky diyotların hazırlanması, elektrik ile dielektrik özelliklerinin geniş frekans ve voltaj aralığında incelenmesi
Preparation of Al/(Cu:DLC)/p-Si schottky diodes with nanocomposite Cu:DLC thin film layer, investigation of electrical and dielectric properties in a wide frequency and voltage range
AYLAR FEIZOLLAHI VAHID
Doktora
Türkçe
2024
Mühendislik BilimleriZonguldak Bülent Ecevit ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BARIŞ AVAR
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Schottky diyotlarında akım iletim olayı ve seri direnç etkisi
Başlık çevirisi yok
AHMET GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN