A study of surface improvement of p-si by electrolytic solution in cu/p-si schottky contact fabrication
Cu/p-sı schottky kontak fabrikasyonunda elektrolitik çözeltiyle p-si yüzeyi iyileştirilmesi üzerine bir çalışma
- Tez No: 705568
- Danışmanlar: PROF. DR. CABİR TEMİRCİ
- Tez Türü: Tıpta Uzmanlık
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Diyot, Doğrultucu, Kontak, Schottky, Yüzey iyileştirme, Yüzey pasivasyonu, Contact, Diode, Rectifier, Schottky, Surface improvement, Surface passivation
- Yıl: 2021
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
Bu çalışmada, yönelimi (100) ve özdirenci ρ = 1-10 cm olan p-tipi silikon tek kristal kullanıldı. Geleneksel kimyasal temizleme işlemlerinin ardından saf Alüminyum metali (%99.999) kristalin arka yüzeyine buharlaştırıldı ve bir kuvars tüp fırın kullanılarak azot atmosferinde tavlandı. Arka yüzeyinde ohmik kontak bulunan p-Si wafer üç parçaya bölündü ve bir parçası hemen vakum kaplama ünitesindeki numune tutucudaki maskenin üzerine yerleştirildi. Wafer'ın ön yüzeyine saf bir bakır metal (%99.98) buharlaştırıldı ve bu parça referans numune olarak adlandırıldı. Wfer'ın kalan iki parçasının omik kontakları üzerine iletken tel lehimler yapıldı. Bunlardan bir tanesinin ön yüzeyine %10'luk H2O2 elektrolitik çözeltisi ve %10'luk HF çözeltisi kullanılarak yüzey iyileştirme (yüzey pasivasyonu) işlemi uygulandı. Diğerinin ön yüzeyi kontrollü bir şekilde sadece %10'luk H2O2 elektrolitik çözeltisi kullanılarak oksitlendi. Böylece, termal olarak saf bakır metalinin (%99.98) p-Si wafer'lerin pasifleştirilmiş yüzeyi ve oksitlenmiş yüzeyi üzerine buharlaştırılmasıyla yüzey pasivasyonlu Schottky kontakları ve MIS Schottky kontakları üretildi. Cu/p-Si Schottky kontaklarının akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı ve grafikleri çizildi. Akım-voltaj verileri grafiklerle birlikte değerlendirildi. Schottky diyotların idealite faktörleri (n), engel yükseklikleri (Фb) gibi karakteristik parametrelerinin değerleri belirlendi. Cheung fonksiyonları kullanılarak seri direnç (Rs) değerleri belirlendi. Ayrıca sonuçların tutarlılığını kontrol etmek için idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği (Фb) değerleri yeniden belirlendi. Böylece kullanılan yüzey iyileştirme işleminin Cu/p-Si Schottky kontaklarının karakteristik parametreleri üzerine etkileri incelenmiş ve elde edilen sonuçlar yorumlanarak değerlendirilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, a p-type silicon single crystal, with an orientation of (100) and resistivity of ρ = 1-10 cm was used. After traditional chemical cleaning processes, pure (Al) metal (99.999%) was evaporated to the back surface of the crystal and annealed by a quartz tube furnace in a nitrogen atmosphere. The p-Si wafer with ohmic contact on the back surface was divided into three parts. One part of them was immediately placed on the mask on the sample holder in the vacuum coating unit. A pure copper metal (99.98%) was evaporated to the front surface of the wafer and this piece was named as a reference sample. Conductive wire solders were made onto the ohmic contacts of the remaining two parts of the wafer. Surface improvement (surface passivation) was applied to the front surface of one of them by using 10% H2O2 electrolytic solution and 10% HF solution. The front surface of the other was oxidized using only 10% H2O2 electrolytic solution in a controlled manner. Thus, the Schottky contacts with surface passivation and MIS Schottky contacts were produced by evaporation of thermally pure copper metal (99.98%) onto the passivated surface and the oxidized surface of p-Si wafers. Current (I-V) voltage measurements of the Cu/p-Si Schottky contacts were performed and their graphs were drawn. Current-voltage data were evaluated together with the graphics. The values of the characteristic parameters of the Schottky diodes such as ideality factors (n), barrier heights (Фb) were determined. Using Cheungs' functions, the values of the series resistance (Rs) were determined (Cheung and Cheung, 1986). Thus, the effects of the surface improvement process used on the characteristic parameters of the Cu/p-Si Schottky contacts were examined and the results obtained were evaluated by interpreting.
Benzer Tezler
- P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films
HAYRETTİN YÜZER
- Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi
The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices
DİLEK DEMİROĞLU
Doktora
Türkçe
2019
Enerjiİstanbul Teknik ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN
DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR
- DLC arayüzey tabakalı metal- yarıiletken yapıların üretilmesi ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Production of DLC interface layered metal-semiconductor structures and frequency dependent investigation of dielectric properties
NURAY URGUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Mekatronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiMekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN
- Cam fırını yan duvar refrakterinde oluşan korozyon ve sıcaklıkların sayısal olarak hesaplanması ve deneysel değerlerle karşılaştırılması
Başlık çevirisi yok
MAHMUT AYDIN
Doktora
Türkçe
1998
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiEnerji Bilim Dalı
PROF. DR. E. TANER ÖZKAYNAK
- Ga2O3/p-Si P-N hetero eklemli UV fotodedektörlerinin üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of Ga2O3/p-Si P-N hetero junction UV photodetectors
UĞUR HARMANCI
Doktora
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHarran ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TAHİR GÜLLÜOĞLU
PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ