Geri Dön

A study of surface improvement of p-si by electrolytic solution in cu/p-si schottky contact fabrication

Cu/p-sı schottky kontak fabrikasyonunda elektrolitik çözeltiyle p-si yüzeyi iyileştirilmesi üzerine bir çalışma

  1. Tez No: 705568
  2. Yazar: QUDAMA ALI HUSSEIN HUSSEIN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. CABİR TEMİRCİ
  4. Tez Türü: Tıpta Uzmanlık
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Diyot, Doğrultucu, Kontak, Schottky, Yüzey iyileştirme, Yüzey pasivasyonu, Contact, Diode, Rectifier, Schottky, Surface improvement, Surface passivation
  7. Yıl: 2021
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 93

Özet

Bu çalışmada, yönelimi (100) ve özdirenci ρ = 1-10  cm olan p-tipi silikon tek kristal kullanıldı. Geleneksel kimyasal temizleme işlemlerinin ardından saf Alüminyum metali (%99.999) kristalin arka yüzeyine buharlaştırıldı ve bir kuvars tüp fırın kullanılarak azot atmosferinde tavlandı. Arka yüzeyinde ohmik kontak bulunan p-Si wafer üç parçaya bölündü ve bir parçası hemen vakum kaplama ünitesindeki numune tutucudaki maskenin üzerine yerleştirildi. Wafer'ın ön yüzeyine saf bir bakır metal (%99.98) buharlaştırıldı ve bu parça referans numune olarak adlandırıldı. Wfer'ın kalan iki parçasının omik kontakları üzerine iletken tel lehimler yapıldı. Bunlardan bir tanesinin ön yüzeyine %10'luk H2O2 elektrolitik çözeltisi ve %10'luk HF çözeltisi kullanılarak yüzey iyileştirme (yüzey pasivasyonu) işlemi uygulandı. Diğerinin ön yüzeyi kontrollü bir şekilde sadece %10'luk H2O2 elektrolitik çözeltisi kullanılarak oksitlendi. Böylece, termal olarak saf bakır metalinin (%99.98) p-Si wafer'lerin pasifleştirilmiş yüzeyi ve oksitlenmiş yüzeyi üzerine buharlaştırılmasıyla yüzey pasivasyonlu Schottky kontakları ve MIS Schottky kontakları üretildi. Cu/p-Si Schottky kontaklarının akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı ve grafikleri çizildi. Akım-voltaj verileri grafiklerle birlikte değerlendirildi. Schottky diyotların idealite faktörleri (n), engel yükseklikleri (Фb) gibi karakteristik parametrelerinin değerleri belirlendi. Cheung fonksiyonları kullanılarak seri direnç (Rs) değerleri belirlendi. Ayrıca sonuçların tutarlılığını kontrol etmek için idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği (Фb) değerleri yeniden belirlendi. Böylece kullanılan yüzey iyileştirme işleminin Cu/p-Si Schottky kontaklarının karakteristik parametreleri üzerine etkileri incelenmiş ve elde edilen sonuçlar yorumlanarak değerlendirilmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, a p-type silicon single crystal, with an orientation of (100) and resistivity of ρ = 1-10 cm was used. After traditional chemical cleaning processes, pure (Al) metal (99.999%) was evaporated to the back surface of the crystal and annealed by a quartz tube furnace in a nitrogen atmosphere. The p-Si wafer with ohmic contact on the back surface was divided into three parts. One part of them was immediately placed on the mask on the sample holder in the vacuum coating unit. A pure copper metal (99.98%) was evaporated to the front surface of the wafer and this piece was named as a reference sample. Conductive wire solders were made onto the ohmic contacts of the remaining two parts of the wafer. Surface improvement (surface passivation) was applied to the front surface of one of them by using 10% H2O2 electrolytic solution and 10% HF solution. The front surface of the other was oxidized using only 10% H2O2 electrolytic solution in a controlled manner. Thus, the Schottky contacts with surface passivation and MIS Schottky contacts were produced by evaporation of thermally pure copper metal (99.98%) onto the passivated surface and the oxidized surface of p-Si wafers. Current (I-V) voltage measurements of the Cu/p-Si Schottky contacts were performed and their graphs were drawn. Current-voltage data were evaluated together with the graphics. The values of the characteristic parameters of the Schottky diodes such as ideality factors (n), barrier heights (Фb) were determined. Using Cheungs' functions, the values of the series resistance (Rs) were determined (Cheung and Cheung, 1986). Thus, the effects of the surface improvement process used on the characteristic parameters of the Cu/p-Si Schottky contacts were examined and the results obtained were evaluated by interpreting.

Benzer Tezler

  1. P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films

    HAYRETTİN YÜZER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. A. HİKMET ÜÇIŞIK

  2. Organik yarıiletken tabanlı fotovoltaik aygıtlar için şekilli ince film altlıkların kullanımı ve etkilerinin incelenmesi

    The effect of the usage of sculptured thin film substrates for organic semiconductor based photovoltaic devices

    DİLEK DEMİROĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Enerjiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA KAMİL ÜRGEN

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BEYHAN TATAR

  3. DLC arayüzey tabakalı metal- yarıiletken yapıların üretilmesi ve dielektrik özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi

    Production of DLC interface layered metal-semiconductor structures and frequency dependent investigation of dielectric properties

    NURAY URGUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Mekatronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Mekatronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERHAT ORKUN TAN

  4. Ga2O3/p-Si P-N hetero eklemli UV fotodedektörlerinin üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of Ga2O3/p-Si P-N hetero junction UV photodetectors

    UĞUR HARMANCI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TAHİR GÜLLÜOĞLU

    PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ