n-GaAs yarı iletkeni üzerine Schottky diyotunun yapımı, diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Production of Schottky diode on n-type GaAs semiconductor, and investigating its electrical properties
- Tez No: 167929
- Danışmanlar: PROF.DR. REFİK KAYALI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky Diyot, Galyum Arsenit, I-V ve C-V Ölçümleri, Ohmik Kontak, Metal- Yarıiletken Kontaklar. İnce Film u
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Niğde Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 53
Özet
ÖZET n-GaAs YARlİLETKENİ ÜZERİNE SHOTTKY DİYODUNUN YAPIMI, DİYOTUN ELEKTRİKSEL ÖZELİKLERİNİN İNCELENMESİ. ŞANE, Şakir Niğde Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Prof. Dr. Refik KAYALI Ağustos 2005, 43 sayfa Ohmik kontak yapmanın yöntemlerinden biri, n tipi GaAs (Galyum Arsenit) yarıiletkeni üzerine yapılan metali kalaylama tekniğidir. Metalin düşük erime sıcaklığı (230°C) kontak yapma esnasında yarıiletken yapışırım değişmeyeceğinin bir garantisidir. Schottky kontaklar yapılmadan önce yarıiletken numuneler temizlendi ve yakıldı. Schottky kontaklar vakum altında gümüş kalaylaması ile yapıldı. Yapılan her schottky diyotu TO-5 transistor başlığı üzerine monte edildi. Schottky diyotları I-V ve C-V ölçümlerinde kullanıldı.her diyot için elde edilen I-V ve C-V dataları tartışıldı. Schottky diyotunun elektriksel özellikleri, yarıiletken yüzeyin çok geniş bir şekilde bağlı olduğu bulundu.
Özet (Çeviri)
SUMMARY PRODUCTION OF SCHOTTKY DIODE ON n-TYPE GaAs SEMICONDUCTOR, AND INVESTIGATING ITS ELECTRICAL PROPERTIES. SANE, Şakir Nigde University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor : Prof. Dr. Refik KAYALI August 2005, 43 pages A common method of forming ohmic contacts is the alloying technique whereby a metal (tin) is alloyed to the heavily doped substrate of the n-GaAs sample. The low metling temperature (23 0C) ensured that there was no change in the composition of the InP during the contact formation. The samples were cleaned and etched before the making of Schottky contacts. The Schottky contacts were produced by the evaporation of silver globules under vacuum. Each fabricated Schottky diode was mounted on a TO-5 transistor header. The mounted Schottky diyotes were used for I-V and C-V measurements. The I-V and C-V spectra of each diode are discussed. It is found that the electrical properties of a Schottky diode depend to a large extent on the surface of the semiconductor. Key Words : Schottky Diode, Gallium Arsenide, I-V and C-V Measurements, Ohmic Contact, Metal-Semiconductor Contacts, Thin Film m
Benzer Tezler
- GaAs yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulan yapının elektriksel ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electrical and optical properties of the structure formed by coating conductive polymer onto GaAs semiconductor
AHMET KIRSOY
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU
- Metal-yalıtkan-yarıiletken (MYY) yapılarda akım iletimi ve sığa özellikleri
Current transport and capacity properties in metal-insulator-semiconductor (MIS) structure
YUNUS BAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Metal/n-GaAs Schottky diyot üretimi ve elektriksel özelliklerinin I-V, C-V-f, G/ω-V-f ölçümlerinden incelenmesi
Production of metal/N-GaAs Schottky diodes and theinvestigaton their electrical characteristics ussing I-V, C-V-f, G/ω-V-f measurement
HASAN ATÇEKEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAZİRET DURMUŞ
- Organik arayüzeyli GaAs schottky diyodların elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of GaAs schottky diodes with organic interface
FEZA BOY
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. MEHMET ŞAHİN
- H2 öntavlamalı Au/N-GaaS diyotlarda elektriksel karakteristiklerin Schottky metal kalınlığı ve sıcaklığa bağlı değişiminin incelenmesi
Investigation of Schottky metal thickness and temperature dependent changes on the electrical characteristics of Au/N-GaaS diodes with H2 pre-anneal
ÖMER GÜLLÜ
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MEHMET BİBER