Geri Dön

Silisyumdan yapılmış metal/yarıiletken/metal sandeviç yapılarda uzay-yüküyle-sınırlı-akım (SCLC)

Space-charge-limited-current in metal/semiconductor/metal sandwich structure made of silicon

  1. Tez No: 170211
  2. Yazar: BORA KETENOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF.DR. NECMİ SERİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Uzay-yüküyle-sınırlı-alam (SCLC), Child kanunu, I-V karakteristiği, diyot, metal/yaniletken/metal sandviç yapı, silisyum, vakum, Space-charge-limited-current (SCLC), Child's law, I-V characteristic, diode, metal/semiconductor/metal sandwich structure, silicon, vacuum
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Ankara Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 60

Özet

ÖZET Yüksek Lisans Tezi SİLİSYUMDAN YAPILMIŞ METAL/YARIİLETKEN/METAL SANDVİÇ YAPILARINDA UZAY- YÜKÜYLE-SINIRLI- AKIM Bora KETENOĞLU Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Necmi SERİN Bu çalışmada, yüksek özdirençli, doğrultusunda kesilmiş n-tipi silisyum kristalinden yapılmış metal/yarıiletken/metal sandviç yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi ve uzay-yüküyle-sınırlı-akımın gözlenmesi amaçlanmıştır. Yaklaşık 15 mm2 yüzeyindeki silisyum kristal parçalan inceltme, yüzey düzgünleştirme, kimyasal temizleme ve parlatma işleminden sonra, fiber desteklere yapıştırılmıştır. Daha sonra silisyum kristal yüzeyleri, 8x1 0"7 Torr vakumda bakır ve alüminyum kaplanarak metal/yaniletken/metal sandviç yapısı elde edilmiştir. Bu yapıların akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) belirtgenleri değişik sıcaklıklarda ölçülmüştür. Yapıların akım-gerilim belirtgenlerinden, bakır/yanilelken/alüminyum yapılarında diyot davranışı ve uzay-yüküyle- sınırlı-akım (SCLC) gözlenmiştir. Yapılan deneysel çalışmalardan, silisyum kristalinin özdirenci (p), doğrultma oram (r), ideallik faktörü (n), Vd tayin edilmiş ve elde edilen sonuçlar, silisyum kristalinin bilinen değerleriyle karşılaştırılmıştır. 2005, 50 sayfa

Özet (Çeviri)

ABSTRACT Masters Thesis SPACE-CHARGE-LIMITED-CURRENT in METAL/SEMICONDUCTOR/METAL SANDWICH STRUCTURE MADE of SILICON Bora KETENO?LU Ankara University Graduate School of Natural and Applied Science Department of Engineering Physics Supervisor: Prof. Dr. Necmi SERİN In this study, it was aimed to investigate the electrical conduction mechanism of metal/semiconductor/metal sandwich structure and to observe the space-charge-limited-current (SCLC) made of n-type silicon single crystal with high resistivity (around 10x10s Q.cm) and orientation. In order to achieve the electrical measurements silicon crystal pieces were mounted to the fibre holders by means of araldithe. In order to fabricate Copper/(n-type) silicon/Aluminium structure, the subsequent surfaces of the silicon crystal were coated by Copper and Aluminium metals under a vacuum 8xl0"7 Torr. The current- voltage (I-V) and the capasitance-voltage (C-V) characteristics of the samples were measured for various temperatures. It was observed from the I-V characteristics that Copper/(n-type) silicon/Aluminium structure had a diode and space-charge-limited-current behaviours. Resistivity (p), rectification ratio (r), ideality factor (n), Vd parameters of silicon were determined by means of the I-V and C-V measurements and the results were compared with the published results. 2005, 50 pages

Benzer Tezler

  1. Amorf silisyum güneş pillerinde 'degrading' olayının incelenmesi

    Degradation of amorphous silicon solar cells

    TÜLAY SERİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ARSIN AYDINURAZ

  2. Ni/Si eklemlerin elektrik ve optik karakteristikleri

    Electrical and optical characteristics of Ni/Si junctions

    AYŞEGÜL ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. TAYYAR CAFEROV

  3. Anodizasyon koşullarının gözenekli silisyum esaslı hidrojen pili parametrelerine etkisi

    Effect of anodization conditions of porous silicon based hydrogen cell parameters

    EMİNE ESRA AĞCABAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ LUŞ

  4. Ötektik Al-Si alaşımının mikroyapı kontrolünde yavaş soğutma tekniği

    Slow cooling technique of Al-Si eutectic alloy under the microstructure control

    TURGAY TURSUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ÖMER AYDIN ATASOY