Silisyumdan yapılmış metal/yarıiletken/metal sandeviç yapılarda uzay-yüküyle-sınırlı-akım (SCLC)
Space-charge-limited-current in metal/semiconductor/metal sandwich structure made of silicon
- Tez No: 170211
- Danışmanlar: PROF.DR. NECMİ SERİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Uzay-yüküyle-sınırlı-alam (SCLC), Child kanunu, I-V karakteristiği, diyot, metal/yaniletken/metal sandviç yapı, silisyum, vakum, Space-charge-limited-current (SCLC), Child's law, I-V characteristic, diode, metal/semiconductor/metal sandwich structure, silicon, vacuum
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 60
Özet
ÖZET Yüksek Lisans Tezi SİLİSYUMDAN YAPILMIŞ METAL/YARIİLETKEN/METAL SANDVİÇ YAPILARINDA UZAY- YÜKÜYLE-SINIRLI- AKIM Bora KETENOĞLU Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman: Prof. Dr. Necmi SERİN Bu çalışmada, yüksek özdirençli, doğrultusunda kesilmiş n-tipi silisyum kristalinden yapılmış metal/yarıiletken/metal sandviç yapıların elektriksel özelliklerinin incelenmesi ve uzay-yüküyle-sınırlı-akımın gözlenmesi amaçlanmıştır. Yaklaşık 15 mm2 yüzeyindeki silisyum kristal parçalan inceltme, yüzey düzgünleştirme, kimyasal temizleme ve parlatma işleminden sonra, fiber desteklere yapıştırılmıştır. Daha sonra silisyum kristal yüzeyleri, 8x1 0"7 Torr vakumda bakır ve alüminyum kaplanarak metal/yaniletken/metal sandviç yapısı elde edilmiştir. Bu yapıların akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim (C-V) belirtgenleri değişik sıcaklıklarda ölçülmüştür. Yapıların akım-gerilim belirtgenlerinden, bakır/yanilelken/alüminyum yapılarında diyot davranışı ve uzay-yüküyle- sınırlı-akım (SCLC) gözlenmiştir. Yapılan deneysel çalışmalardan, silisyum kristalinin özdirenci (p), doğrultma oram (r), ideallik faktörü (n), Vd tayin edilmiş ve elde edilen sonuçlar, silisyum kristalinin bilinen değerleriyle karşılaştırılmıştır. 2005, 50 sayfa
Özet (Çeviri)
ABSTRACT Masters Thesis SPACE-CHARGE-LIMITED-CURRENT in METAL/SEMICONDUCTOR/METAL SANDWICH STRUCTURE MADE of SILICON Bora KETENO?LU Ankara University Graduate School of Natural and Applied Science Department of Engineering Physics Supervisor: Prof. Dr. Necmi SERİN In this study, it was aimed to investigate the electrical conduction mechanism of metal/semiconductor/metal sandwich structure and to observe the space-charge-limited-current (SCLC) made of n-type silicon single crystal with high resistivity (around 10x10s Q.cm) and orientation. In order to achieve the electrical measurements silicon crystal pieces were mounted to the fibre holders by means of araldithe. In order to fabricate Copper/(n-type) silicon/Aluminium structure, the subsequent surfaces of the silicon crystal were coated by Copper and Aluminium metals under a vacuum 8xl0"7 Torr. The current- voltage (I-V) and the capasitance-voltage (C-V) characteristics of the samples were measured for various temperatures. It was observed from the I-V characteristics that Copper/(n-type) silicon/Aluminium structure had a diode and space-charge-limited-current behaviours. Resistivity (p), rectification ratio (r), ideality factor (n), Vd parameters of silicon were determined by means of the I-V and C-V measurements and the results were compared with the published results. 2005, 50 pages
Benzer Tezler
- Amorf silisyum güneş pillerinde 'degrading' olayının incelenmesi
Degradation of amorphous silicon solar cells
TÜLAY SERİN
Doktora
Türkçe
1988
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ARSIN AYDINURAZ
- Ni/Si eklemlerin elektrik ve optik karakteristikleri
Electrical and optical characteristics of Ni/Si junctions
AYŞEGÜL ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Anodizasyon koşullarının gözenekli silisyum esaslı hidrojen pili parametrelerine etkisi
Effect of anodization conditions of porous silicon based hydrogen cell parameters
EMİNE ESRA AĞCABAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ LUŞ
- Ötektik Al-Si alaşımının mikroyapı kontrolünde yavaş soğutma tekniği
Slow cooling technique of Al-Si eutectic alloy under the microstructure control
TURGAY TURSUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖMER AYDIN ATASOY