Geri Dön

Ga2S3 monokristalinde 57Fe ve 151 Eu katkı izotoplarının nükleer gama rezonans ve elektron spin rezonans yöntemiyle incelenmesi

The investigation of effects of 57Fe and 151Eu doped atoms in Ga2S2 monocrystals by methods of the nuclear gamma resonance and the electron spin resonance

  1. Tez No: 171049
  2. Yazar: FATİH YAŞAR
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. ŞEREF OKUDUCU, PROF.DR. İSKENDER ASKEROĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Nükleer Gama Rezonans, Elektron spin rezonans, Mössbauer spektrumu, Yük durumları, İzomer kayma, Nuclear Gamma Resonance, Electron spin resonance, Mössbaüer spectra, Charge states, izomer shift
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gaziosmanpaşa Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 72

Özet

ÖZET Ga2S3 MONOKRİSTALİNDE 57Fe VE 151Eu KATKI İZOTOPLARININ NÜKLEER GAMA REZONANS VE ELEKTRON SPİN REZONANS YÖNTEMİYLE İNCELENMESİ Fatih YAŞAR Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Yüksek Lisans Tezi 2005, 64 sayfa Danışman: Prof. Dr. İskender ASKEROĞLU Doç. Dr. Şeref OKUDUCU Jüri: Prof. Dr. İskender ASKEROĞLU Jüri: Doç. Dr. Ahmet SARI Jüri: Yrd. Doç. Dr. Ziya MERDAN Bu çalışmada Ga2S3 tek kristalinde farklı oranlarda 57Fe ve 151Eu katkılarının elektron yapısını 77 ve 300 K sıcaklık aralığında nükleer gama rezonans yöntemiyle incelenmiştir. Mössbauer spektrumları kaynak olarak 57Co kullanılarak MS 700 M markalı spektrometre ile alınmıştır. Mössbauer spektrumları incelenerek Fe ve Eu için izomer kayma ve yük durumları hesaplanmıştır. Sonuçta Fe2+ ve Eu2+ durumları S=7/2 spininde olduğu bulunmuştur. Elektron spin rezonans çalışmasında ise statik manyetik alanın farklı yönelimleri için 8-29 K ve 0°-180° arasında kusurlu Ga2S3 tek kristalinde Eu2+ merkezlerinin ESR spektrumunun açısal bağımlılığı ve düşük sıcaklık bağımlılığının ölçümlerinin sonuçlan sunulmuştur.

Özet (Çeviri)

11 ABSTRACT THE INVESTIGATION OF EFFECTS OF 57Fe AND,51Eu DOPED ATOMS IN Ga2S3 MONOCRYSTALS BY METHODS OF THE NUCLEAR GAMMA RESONANCE AND THE ELECTRON SPIN RESONANCE Fatih YAŞAR Gaziosmanpaşa University Graduate School of Natural and Applied Science Department of Physics Science Masters Thesis 2005, 64 pages Supervisor: Prof. Dr. iskender ASKEROGLU Assoc. Prof. Dr. Şeref OKUDUCU Jury: Prof. Dr. İskender ASKEROGLU Jury: Assoc. Prof. Dr. Ahmet SARI Jury: Asst. Doc. Dr. Ziya MERDAN In this study, the electron structures of impurities 57Fe and,5IEu atoms in Ga2S3 single criystal has been studied by using the nuclear resonance method at temperatures between 77 and 300 K by using different doping proportions of Fe and Eu atoms with 57Co as the source for MS 700 M spectrometer. By investigating the Mössbaüer spectra, we first determined the values of isomer shift and then the charge states for Fe and Eu, which turned out to be Fe2+ and Eu2+ ions with spin S=7/2. In the electron spin resonance studies, we present the result of measurements of the low temperature and angular dependences ESR spectra of Eu2+ centers in defect Ga2S3 single crystals in range of 8-29 K and 0°-180° for different orientations of the static magnetic field.

Benzer Tezler

  1. Mn ve Eu katkı atomlarının Ga2Se3 monokristalinin fiziksel özelliklerine etkisi

    The Effect of Mn and Eu doped atoms on the physical properties of Ga2Se3 single crystal

    ŞÜKRÜ YILDIZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziosmanpaşa Üniversitesi

    PROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU

  2. P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films

    HAYRETTİN YÜZER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. A. HİKMET ÜÇIŞIK

  3. Ga2O3/p-Si P-N hetero eklemli UV fotodedektörlerinin üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of Ga2O3/p-Si P-N hetero junction UV photodetectors

    UĞUR HARMANCI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHarran Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TAHİR GÜLLÜOĞLU

    PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ

  4. RF saçtırma yöntemi ile galyum oksit (Ga2O3) ince filmlerinin büyütülmesi yapısal, morfolojik ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Growth of gallium oxide (Ga2O3) thin films by RF sputter, investigation of structural, morphological and optical properties

    HÜLYA AKÇAY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUTLU KUNDAKÇİ

  5. Ultraviolet solar blind Ga2O3 based photodetectors

    Ultraviyole güneş körü Ga2O3 tabanlı fotodedektörler

    ISA HATİPOGLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiUniversity of Central Florida

    Optik ve Fotonik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. WINSTON V. SCHOENFELD