Ga2S3 monokristalinde 57Fe ve 151 Eu katkı izotoplarının nükleer gama rezonans ve elektron spin rezonans yöntemiyle incelenmesi
The investigation of effects of 57Fe and 151Eu doped atoms in Ga2S2 monocrystals by methods of the nuclear gamma resonance and the electron spin resonance
- Tez No: 171049
- Danışmanlar: DOÇ.DR. ŞEREF OKUDUCU, PROF.DR. İSKENDER ASKEROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Nükleer Gama Rezonans, Elektron spin rezonans, Mössbauer spektrumu, Yük durumları, İzomer kayma, Nuclear Gamma Resonance, Electron spin resonance, Mössbaüer spectra, Charge states, izomer shift
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gaziosmanpaşa Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 72
Özet
ÖZET Ga2S3 MONOKRİSTALİNDE 57Fe VE 151Eu KATKI İZOTOPLARININ NÜKLEER GAMA REZONANS VE ELEKTRON SPİN REZONANS YÖNTEMİYLE İNCELENMESİ Fatih YAŞAR Gaziosmanpaşa Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Yüksek Lisans Tezi 2005, 64 sayfa Danışman: Prof. Dr. İskender ASKEROĞLU Doç. Dr. Şeref OKUDUCU Jüri: Prof. Dr. İskender ASKEROĞLU Jüri: Doç. Dr. Ahmet SARI Jüri: Yrd. Doç. Dr. Ziya MERDAN Bu çalışmada Ga2S3 tek kristalinde farklı oranlarda 57Fe ve 151Eu katkılarının elektron yapısını 77 ve 300 K sıcaklık aralığında nükleer gama rezonans yöntemiyle incelenmiştir. Mössbauer spektrumları kaynak olarak 57Co kullanılarak MS 700 M markalı spektrometre ile alınmıştır. Mössbauer spektrumları incelenerek Fe ve Eu için izomer kayma ve yük durumları hesaplanmıştır. Sonuçta Fe2+ ve Eu2+ durumları S=7/2 spininde olduğu bulunmuştur. Elektron spin rezonans çalışmasında ise statik manyetik alanın farklı yönelimleri için 8-29 K ve 0°-180° arasında kusurlu Ga2S3 tek kristalinde Eu2+ merkezlerinin ESR spektrumunun açısal bağımlılığı ve düşük sıcaklık bağımlılığının ölçümlerinin sonuçlan sunulmuştur.
Özet (Çeviri)
11 ABSTRACT THE INVESTIGATION OF EFFECTS OF 57Fe AND,51Eu DOPED ATOMS IN Ga2S3 MONOCRYSTALS BY METHODS OF THE NUCLEAR GAMMA RESONANCE AND THE ELECTRON SPIN RESONANCE Fatih YAŞAR Gaziosmanpaşa University Graduate School of Natural and Applied Science Department of Physics Science Masters Thesis 2005, 64 pages Supervisor: Prof. Dr. iskender ASKEROGLU Assoc. Prof. Dr. Şeref OKUDUCU Jury: Prof. Dr. İskender ASKEROGLU Jury: Assoc. Prof. Dr. Ahmet SARI Jury: Asst. Doc. Dr. Ziya MERDAN In this study, the electron structures of impurities 57Fe and,5IEu atoms in Ga2S3 single criystal has been studied by using the nuclear resonance method at temperatures between 77 and 300 K by using different doping proportions of Fe and Eu atoms with 57Co as the source for MS 700 M spectrometer. By investigating the Mössbaüer spectra, we first determined the values of isomer shift and then the charge states for Fe and Eu, which turned out to be Fe2+ and Eu2+ ions with spin S=7/2. In the electron spin resonance studies, we present the result of measurements of the low temperature and angular dependences ESR spectra of Eu2+ centers in defect Ga2S3 single crystals in range of 8-29 K and 0°-180° for different orientations of the static magnetic field.
Benzer Tezler
- Mn ve Eu katkı atomlarının Ga2Se3 monokristalinin fiziksel özelliklerine etkisi
The Effect of Mn and Eu doped atoms on the physical properties of Ga2Se3 single crystal
ŞÜKRÜ YILDIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziosmanpaşa ÜniversitesiPROF. DR. İSKENDER ASKEROĞLU
- P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films
HAYRETTİN YÜZER
- Ga2O3/p-Si P-N hetero eklemli UV fotodedektörlerinin üretimi ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of Ga2O3/p-Si P-N hetero junction UV photodetectors
UĞUR HARMANCI
Doktora
Türkçe
2023
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiHarran ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TAHİR GÜLLÜOĞLU
PROF. DR. ABDULLAH YILDIZ
- RF saçtırma yöntemi ile galyum oksit (Ga2O3) ince filmlerinin büyütülmesi yapısal, morfolojik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Growth of gallium oxide (Ga2O3) thin films by RF sputter, investigation of structural, morphological and optical properties
HÜLYA AKÇAY
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUTLU KUNDAKÇİ
- Ultraviolet solar blind Ga2O3 based photodetectors
Ultraviyole güneş körü Ga2O3 tabanlı fotodedektörler
ISA HATİPOGLU
Doktora
İngilizce
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiUniversity of Central FloridaOptik ve Fotonik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. WINSTON V. SCHOENFELD