Geri Dön

İyon ekimi ile amorflaştırılmış silikonun pulslu laserle tavlanmasında elektriksel aktivasyon

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 171950
  2. Yazar: SELÇUK DEDA
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. ATİLLA AYDINLI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1986
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 85

Özet

IV ÖZET Bu çalışmadaP ekilen silikon tek kristalinde oluşan ince amorf tabakalar, fırında ve ayrıca laboratuvarda kurulan bir pulslu boya laseri ile iki farklı dalgaboyunda tavlanmıştır. Hail etkisi deneyi van der Pauw yöntemi ile yonca yaprağı şeklinde kum tabancasıyla kesilen örneklerde, örnek üzerine buharlaştırma yolu ile kaplanan AuSb'nm laserle dövülüp alttaş ile alaşım yapmasıyla elde edilen omik eklemler kullanılarak yapılmıştır. Elektriksel ölçümler 300 K ve bir alçak sıcaklıklar krayostadı kullanılarak 77 K'de yapılmıştır. Kullanılan la ser pulsunun süresi (^ 300 ns) göz önüne alındığında bu deney ilk defa yapılmaktadır. Sonuçlar uygun fırın sıcaklıkları ve laser enerji yoğunluklarında ekilen iyon dozunun 100 % aktive edilebildiğini göstermektedir. Ayrıca elde edilen taşıyıcı mobilitesi değerleri literatürdeki (Finetti, Galloni, ve Mazzone, 1978) değerlerle uyum içerisindedir.

Özet (Çeviri)

SUMMARY In this work, thin amorphous layers produced by P implantation on silicon single crystals have been annealed using a furnace and a pulsed dye laser at two different wavelengths. Hall effect experiments have been carried out using van der Pauw method on clover leaf shaped samples cut by a sand blaster, employing contacts made by pulsed laser alloying of thin AuSb films evaporated on appropriate regions on the sample surface. Electrical measurements are performed at 300 K and using a low temperature cryostad, at 77 K. We believe this, to be the first study on the subject considering the pulse length (^ 300 ns) of the laser pulses employed in this study. Results show that it is possible to achieve 100 % activation under proper temperatures and laser energy densities. In addition electron mobility values are comparable or better then values found in the literature. (Finetti, Galloni and Mazzone 1978).

Benzer Tezler

  1. Synthesis of silican-germanium by high dose germanium ion implantation into silican

    Silisyum içine yüksek doz germanyum iyon ekimi ile silisyum-germanyum sentezlenmesi

    MEHMET ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. RAŞİT TURAN

  2. Dynamic ion behavior in plasma source ion implantation

    Plazma kaynaklı iyon ekiminde dinamik iyon hareketi

    BİGE BOZKURT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2006

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF.DR. SİNAN BİLİKMEN

  3. Fe iyon katkılandırılmış tek kristal yttria-stabilzed zirconia (YSZ)(100) alt taşının manyetik özelliklerinin araştırılması

    Investigation of magnetic properties of Fe ions doped single crystal yttria-stabilized zirconia(100) (YSZ) substrate

    ADEM PARABAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA ÖZDEMİR

  4. Structural, electrical and optical characterization of Ge-implanted GaSe single crystal grown by Bridgman method

    Bridgman yöntemi ile büyütülen Ge-ekilmiş GaSe tek kristallerin yapısal, elektriksel ve optik karakterizasyonu

    HAZBULLAH KARAAĞAÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BÜLENT AKINOĞLU

    PROF. DR. MEHMET PARLAK

  5. Aşırı selenyum katkılı siyah silisyum görünür ve kızılötesi dedektörlerin üretimi ve karakterizasyonu

    Fabrication and characterization of selenium hyperdoped black silicon visible and infrared detectors

    OZAN AYDIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. TUNAY TANSEL