Synthesis of silican-germanium by high dose germanium ion implantation into silican
Silisyum içine yüksek doz germanyum iyon ekimi ile silisyum-germanyum sentezlenmesi
- Tez No: 82759
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: İyon Ekme, MOS kapasitörleri, Silisyum-Germanyum. iv, Ion Implantation, MOS capacitors, Silicon-Germanium. in
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 111
Özet
oz SİLİSYUM İÇİNE YÜKSEK DOZ GERMANYUM İYON EKİMİ İLE SİLİSYUM-GERMANYUM SENTEZLENMESİ Şahin, Mehmet Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Raşit Turan Nisan 1999, 111 sayfa Silisyum örneği içinde bir Silisyum-Germanyum tabakası sentezlemek için iyon ekme tekniği kullanıldı. SiGe tabakası, Ge iyonu ekerek yüksek sıcaklıkta fırınlamanın ardından basan ile büyütüldü. SiGe tabakasının varlığı SIMS ölçümü ile kanıtlandı. XRD ölçümleri kristalde bir gerilmenin olduğunu gösterdi. Bunun sebebi SiGe kristal sabitinin Si kristal sabitinden daha büyük olmasıdır. Ayrıca, deneysel bulgularla beklenen sonuçlan karşılaştırmak için TRIM simülasyon programı kullanıldı. Sonuçlar beklenenlerle uyumludur. Kapasitans-Voltaj (C-V) ve İletkenlik- Voltaj (G-V) ölçümleri ile Ge ekilmiş Si ve saf Si üzerinde üretilen MOS kapasitörleri incelendi. Ge ekilmiş örneklerin C-V ve G-V sonuçlannı ve deneysel gözlemlerin diğer özelliklerini açıklamak için bir band yapısı modeli ve buna bağlı eşdeğer devre geliştirildi. Bu model ölçümlerin sonuçlarının başanlı bir şekilde açıklanmasını sağladı.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT SYTHESIS OF SILICON-GERMANIUM BY HIGH DOSE GERMANIUM ION IMPLANTATION INTO SILICON Şahin, Mehmet M.Sc, Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Raşit Turan April 1999, 111 pages Ion implantation technique has been used to synthesize a SiGe alloy layer in Si substrate. SiGe layer has been successfully grown by Ge implantation followed by high temperature annealing. The presence of SiGe layer has been evidenced by SIMS measurement. XRD measurements have shown the presence of a strain in the lattice. This is because the lattice constant of SiGe is larger than Si substrate. TRIM simulation program has also been used to compare the experimental findings with the expectations. The results are in agreement with the expected ones. MOS capacitors fabricated on Ge- implanted Si and on pure Si has been investigated by C-V and G-V measurements. A band structure model and associated equivalent circuit have been introduced to explain the C-V characteristics of Ge-implanted samples and other features of the experimental observations. This model has provided a successful description of the results of the measurements.
Benzer Tezler
- Murgul cevherlerinden nadir metallerin kazanılması
Recovery of race metals from. Murgul areas
SERDAR TÜFEKÇİ
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiCevher-Kömür Hazırlama ve Değerlendirme Ana Bilim Dalı
DR. VECİHİ GÜRHAN
- CdTe nanomalzeme ile güneş hücresi üretimi ve karakterizasyonu
Solar cell production and characterization with CdTe nanomaterial
ERDEM ELİBOL
Doktora
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDüzce ÜniversitesiElektrik-Elektronik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NEDİM TUTKUN
- Clathrate I compounds of barium with transition metal, silicon and germanium framework and contributions to TaNiSi
Baryum, geçiş metali, silikon ve germanyumdan oluşan I-tipte kafes bileşikleri ve TaNiSi bileşiğine katkılar
UMUT AYDEMİR
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiKoç ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET SUAT SOMER
- Size controlled germanium nanocrystals in dielectrics: Structural and optical analysis and stress evolution
Dielektriık matrislerde germanium nanokristaller: Yapısal ve optik analiz ve zor evrimi
RAHIM BAHARIQUSHCHI
Doktora
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OĞUZ GÜLSEREN
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- LiP-CVD growth of multi-shape monolayer WS2: Determination and investigation of defect domains
Çok şekilli tek katmanlı WS2' ün LiP-CVD ile büyütülmesi: Kusur alanlarının belirlenmesi ve incelenmesi
HASRET AĞIRCAN
Doktora
İngilizce
2024
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLDEM KARTAL ŞİRELİ