Geri Dön

Al/n-Si schottky diyodlarının ideal olmayan I-V, C-V karakteristikleri ve arayüzey hallerinin enerji dağılımı

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 17422
  2. Yazar: MUSTAFA SAĞLAM
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 1991
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 50

Özet

ÖZET Bu çalışmada kullanılan Al/n-Si Schottky diyodlar, 1400 Q-cm özdirençli Si (111) yarıiletkeninin bir yüzüne doğrultuca kontak için Al(% 99.99) ve diğer yüzüne omik kontak için Au-Sb buharlaştırılarak elde edildiler. Diyodiarın doğru beslen ln{l/[1-exp(-eV7kT)]}-V grafiğinin doğru kısmının eğiminden idealite faktörün 'nün değeri 1.46 olarak elde edildi. Ayrıca, C-V ölçümlerinden çizilen C“2 -V grafiği 0-0.5 V aralığında aşağı doğru bükülen bir eğri verdi. Bu durumlar, l-V ve C-V karakteristiklerinin ideal olmadığını gösterir. Bu ideallikten sapma, metal ile Si yarıiletkeni arayüzeyinde bir arayüzey tabakasının varlığını gösterir. C-(Vd+V)-1/2 grafiğinden ”artık kapasite“ C0'ın değeri elde edilerek, ideal olmayan C”2 -V grafiği linear olan (C-C0)“2 -V grafiğine dönüştürüldü. (C-C0)-2 -V grafiğinin eğiminden ve V ekseni iie kesişiminden ortalama serbest taşıyıcı yoğunluğu Nd ve difüzyon potansiyeli V^ sırasıyla 6.56x1 01 8 m”3 ve 0.36 V olarak bulundu. Böylece etkin engel yüksekliği abc 'nin değeri eV^ + Ep = 0.77 eV olarak hesaplandı. Bunlara ilave olarak, doğru beslem l-V karakteristiklerinden elde edilen Cheung'un fonksiyonları kullanılarak idealite faktörü n ve seri direnç değerleri sırasıyla 1.80 ve 1240 û, 1480 û olarak bulundu. Ayrıca, arayüzey hallerinin yarıiletkenle dengede olduğu farzedildi. Arayüzey hal yoğunluğu Nsb'nin gerilime bağlı değerleri doğru beslem l-V karakteristiklerinden elde edildi. Böylece, arayüzey hallerinin enerji dağılımını veren (Ec - Es)'ye karşı NSD grafiği çizildi. Arayüzey hal yoğunluğu ve enerji dağılımının başka araştırmacılar tarafından verilen sonuçlarla hem biçim hem de mertebe olarak uyum içinde olduğu görüldü.

Özet (Çeviri)

SUMMARY The Al/n-Si Schottky diodes used in this study were fabricated by evaporating Al (% 99.99) for rectifying contact one face of bulk Si (111) with resistivity 1400 Q-cm (from Wacker Chemitronic) and Au-Sb the other face for ohmic contact. I-V and C-V characteristics of the Al/n-Si diode were obtained from measurements. A value of 1.46 for ideality factor n was found from slope of the linear partion of the forward bias ln{l/[1-exp(-eV/kT)]} vs V plot. Furthermore, a curvature downward was observed in the 0-0.5 V region of the C'2 -V plot. These cases indicate that l-V and C-V characteristics are non-ideal. It was assumed that the non-ideality was caused by interfacial oxide layer of atomic dimensions which exists between the metal-Si interface. Such a layer may be formed during surface preparation or metal evopariton. Non-ideal C“2 -V plot was transformed into the linear (C-C0)”2 -V plot by determining the“excess capacitance”C0 which is the intercept of C- (V£j+V)_1/2 plot. A Value of 0.36 V for diffusion potential Vj was obtained from intercepts of (C-C0)-2 -V plot with V axis. Thus, the effective barrier height e*e was calculated as eVg- + Ep = 0.77 eV. Again, an average value of 6.56 x 1018 m*3 for doping concentration was obtained from the slopes of the (C-C0)~2 -V plot. In addition to those, the values of the ideality factor and the series resistance were found to be 1.80 and 1240 Q, 1480 Q, respectively, by using Cheung's functions derived from forward bias l-V characteristics. In addition, it has been assumed that the interface states which are introduced from interfacial layer are in equilibrium with the semiconductor. The values of NSD as a function of aplied voltage V were obtained from forward bias l-V characteristics. The results of voltage dependence of NSD was converted to a function of Es, it was thus pioted NSD vs (Ec-Es) curve which gives energy distribution of interface states. The interface states and their energy distribution were observed to be in agreement with the results of other authors.

Benzer Tezler

  1. İletken polimer/p-Si diyortlarının üretimi ve elektriksel özellikleri

    Electrical proporties and production of conducting polymer/p-Si diodes

    MALİK KAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ

  2. Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures

    DİLBER ESRA YILDIZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  3. Al/Coronene/n-Si Schottky diyotlarının seri dirençlerinin hesaplanması

    Calculation of serial resistors of Al/Coronene/n-Si Schottky diodes

    CEMALETTİN KAYGUSUZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BEHZAD BARIŞ

  4. Al/NiCo₂O₄/n-Si/Al konfigürasyonuna sahip schottky diyotlarının fotodiyot özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of the photodiode properties of schottky diodes with Al/NiCo₂O₄/n-Si/Al configuration

    YUSUF ATMACA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞÜKRÜ ÇAVDAR

  5. Farklı fonksiyonel grup bulunduran naftalimit bileşiği ile schottky diyot yapımı ve diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Fabrication of schottky diode with naphthalimide having different functional groups and investigation of its electrical properties

    EMİNE KARAGÖZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZİYA MERDAN

    DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL