Al/NiCo₂O₄/n-Si/Al konfigürasyonuna sahip schottky diyotlarının fotodiyot özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the photodiode properties of schottky diodes with Al/NiCo₂O₄/n-Si/Al configuration
- Tez No: 909260
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞÜKRÜ ÇAVDAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Bu çalışmada NiCo2O4 (nikel kobaltit) ince film yapısını elektriksel ve optik olarak karakterize etmek için Schottky yapılı diyot ve farklı alttaş üzerinde kaplanmıştır. Co3O4 (kobalt oksit) çekirdek tabakası üzerinde NiCo2O4 ince film yapısı, n-tipi Si, cam ve FTO (flor katkılı kalay oksit) yüzeyleri üzerine döndürmeli kaplama tekniği kullanılarak oluşturuldu. NiCo2O4 ince film yapısı yüzey analizi taramalı elektron mikroskobu (SEM) kullanılarak yapıldı. Enerji dağılım spektroskopisi (EDS) analizi ile NiCo2O4 ince film detaylı yapısal özellikleri incelendi. NiCo2O4 ince film kristal yapısının incelemesi de X- ışını kırınımı (XRD)analizi ile yapılmıştır. Cam ve FTO yüzeyleri üzerindeki NiCo2O4 ince film yapısı ultraviyole ve görünür ışık (UV-Vis) spektroskopisi ile optik geçirgenlik ve soğurma analizi yapıldı. Al/NiCo2O4/n-Si/Al Schottky diyot yapısı oluşturularak da görünür ışık dalga boylarında farklı aydınlatma şiddetlerinde elektro-optik ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Akım-gerilim (I-V) grafikleri kullanılarak malzemelerin idealite faktörü (n), bariyer yüksekliği (Φb) ve doyma akımı (I0) değerleri hesaplandı. Aydınlatma şiddeti arttıkça ters kutuplama da fotoakımın arttığı, numunelerin ışığa duyarlı olduğu ve fotodiyot özelliği gösterdiği belirlendi. Son olarak da kapasitifik özelliklerini incelemek amacıyla da kapasitans-gerilim (C-V) ve iletkenlik-gerilim (G-V) özellikleri incelendi. Tüm bu veriler değerlendirildiğin de de NiCo2O4'ün bu özellikleriyle farklı alanlardaki optoelektronik uygulamalarda fotodiyot olarak kullanılabilecek uygun bir malzeme olduğu görüldü.
Özet (Çeviri)
In this study, NiCo2O4 (nickel cobaltite) thin film structure was coated on Schottky diode and different substrates to characterise its electrical and optical properties. NiCo2O4 thin film structure on Co3O4 (cobalt oxide) seed layer was formed using spin coating technique on n-type Si, glass and FTO (fluorine doped tin oxide) substrates. Surface analysis of the NiCo2O4 thin film structure was performed using scanning electron microscopy (SEM). Detailed structural properties of NiCo2O4 thin film were investigated by energy dispersive spectroscopy (EDS) analysis. The crystal structure of NiCo2O4 thin film was also investigated by x-ray diffraction (XRD) analysis. The NiCo2O4 thin film structure on glass and FTO surfaces was analysed by ultraviolet and visible light (UV-Vis) spectroscopy and optical transmittance and absorption analysis. Al/NiCo2O4/n-Si/Al Schottky diode structure was formed and its electro-optical and electrical properties were investigated at different illumination intensities at visible light wavelengths. The ideality factor (n), barrier height (Φb) and saturation current (I0) values of the materials were calculated using current-voltage (I-V) graphs. It was determined that the photocurrent in reverse polarisation increased as theillumination intensity increased, the samples were photosensitive and showed photodiode properties. Finally, capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G-V) properties were analysed to investigate the capacitive properties. When all these data were evaluated,it was seen that NiCo2O4 is a suitable material that can be used as a photodiode in optoelectronic applications in different fields with these properties.
Benzer Tezler
- Advancing creep performance and oxidation resistance of inconel 939 alloy fabricated by selective laser melting
Seçici lazer ergitme yöntemi ile üretilen ınconel 939 alaşımının sürünme performansı ve oksidasyon direncinin geliştirilmesi
FATİH GÜLER
Doktora
İngilizce
2025
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZGÜL KELEŞ
DR. HÜSEYİN AYDIN
- NİO, NiCr2O4 ve α-Fe2O3 ince filmlerinin büyütülmesi, karekterizasyonu ve NiO ince filmlerinin gaz sensörü özelliğinin incelenmesi
Magnification of NİO, NiCr2O4 and α-Fe2O3 thin films, characterization and investigation of gas sensor properties of NiO thin films
ERDAL TURGUT
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHAMMET YILDIRIM
DOÇ. DR. TEVHİT KARACALI
- Süyuti'nin el-Muzhir isimli eserinin içerik ve metot açısından incelenmesi
The examining of al-Suyuti's work titled al-Muzhir in terms of content and methods
SENAN UMUYEV
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
DilbilimSakarya ÜniversitesiTemel İslam Bilimleri Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HAMZA ERMİŞ
- Al-Ukyânûsu'l-Basît fî Tarcamati'l-Kâmûsi'l-Muhît - Bâbu'l Kaf Faslu'l-fâ «al-uʾāk - al-İfāka» giriş -Metin - sözlük -dizin
Al-Ukyânûsu 'l-Basît fî Tarcamati̇'l-Kâmûsi̇ 'l-Muhît Bâbu'l-Kâf - fâ - Arti̇cle « al-fuʾāk - al-ifāka» introduction –Text - vocabulary - index
MERAL YAĞMUR
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Türk Dili ve EdebiyatıErzincan ÜniversitesiTürk Dili ve Edebiyatı Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FAYSAL OKAN ATASOY
- Al/Poly(Methyl methacrylate)/p-Si organik schottky diyotların üretimi, elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Fabrication, investigation electrical and dielectric properties of Al/poly(methyl methacrylate)/p-Si organic schottky diodes
FİKRET GONCA ARAS
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ERTUĞRUL
PROF. DR. ELİF ORHAN