Geri Dön

Bir IGBT kesim karakteristiğinin Hefner modeli ile incelenmesi

Investigation of IGBT turn off characteristics with Hefner model

  1. Tez No: 179099
  2. Yazar: AYÇA KIYAK
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BÜNYAMİN TAMYÜREK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Hefner analitik IGBT modeli, IGBT kesim durumu davranışı, kuyruk akımı, Hefner analytical IGBT model, turn-off behavior of IGBT, tail current
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 111

Özet

Bu tezde, Mitsubishi firmasınca üretilmiş farklı anahtarlama hız karakteristiğine sahip iki IGBT'nin farklı anot kaynak gerilimleri altında iletimden kesim durumuna geçiş karakteristiği Hefner analitik modeli kullanılarak incelenmiştir. Model analizleri ve simülasyonları Matlab kullanılarak yapılmıştır. Her iki IGBT'ye ait baz katkı yoğunluğu ve delik ambipolar difüzyon katsayıları cihaz dayanma gerilimi, jonksiyon sıcaklığı, metalürjik baz genişliği parametrelerinden yararlanarak elde edilmiştir ve bu değerler simülasyonlar yapılırken sabit olarak alınmıştır. Sonraki aşamada, farklı baz yüksek-seviye taşıyıcı yaşam ömrü kullanılarak yapılan simülasyonların ölçümlerle olan uyumu incelenmiştir. Bu çalışmanın sonucunda, her iki IGBT için kesim karakteristiklerinin düşme zamanı bölgesinde Hefner analitik modelinin ölçümlerle uyum içinde olduğu, kuyruk akımı olarak adlandırılan etkinin ise modelle tam bir uyum içinde olmadığı gösterilmiştir.

Özet (Çeviri)

In this thesis, the turn-off behavior of two particular IGBTs with different speed characteristics manufactured by Mitsubishi Company is investigated under different anode source voltages using Hefner analytical model. The analysis of the model and the simulations are carried out in Matlab. The base doping concentration and the hole diffusivity parameters of selected devices are calculated from the breakdown voltage specification by the manufacturer, the junction temperature, and the metallurgical base width. These values are taken constant while the simulations are carried out. In the final step, we investigated the performance of the model experimentally. The base high-level lifetime is varied during the simulations to obtain a good fit to the measured results. In conclusion, we observed the Hefner model predicts the turn-off behavior of the IGBTs during the fall time of the current; however, the model cannot predict the tail current part.

Benzer Tezler

  1. Yeni bir sıfır akım ve sıfır gerilim anahtarlamalı iki anahtarlı ileri yönlü dönüştürücünün tasarımı

    A new zero current and zero voltage switching two switch forward converter design

    ÇAĞLAR YAVUZER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET FARUK BAKAN

  2. Senkron alçaltan çeviricide farklı anahtarlarla başarım karşılaştırılması

    A comparison of different types of switches used in synchronous buck converter design

    GÖZDE YILDIRIM KUYUMCU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. DERYA AHMET KOCABAŞ

  3. Yüksek güçlü IGBT'ler için kapı sürme devresi

    Gate drive circuit for high power IGBTs

    OSMAN TANRIVERDİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ DENİZ YILDIRIM

  4. Highly modular and scalable power module platform for railway traction converter applications

    Raylı ulaşım cer konverteri uygulamaları için modüler ve ölçeklenebilir güç modülü platformu

    EKREM RAUF GÜNEŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2024

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SALİH BARIŞ ÖZTÜRK

  5. Eviricilerde yeni bir yumuşak anahtarlama devresinin tasarımı, gerçekleştirilmesi ve analizi

    A new soft switching circuit design for inverters, perform and analysis

    MUSTAFA NİL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKocaeli Üniversitesi

    Elektrik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BEKİR ÇAKIR