Geri Dön

Metal-organik kimyasal buharlaştırma yöntemi ile kristal büyütme (MOCVD) sisteminin incelenmesi

An investigation of metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) crystal growth system

  1. Tez No: 179889
  2. Yazar: HÜSEYİN EKİNCİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2008
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 222

Özet

Bu çalışmada, üniversitemiz bünyesinde Fizik bölümü öncülüğünde kurulanMOCVD sistemi detaylıca incelendi. MOCVD, nanoyapıların yapımında kullanılanönemli bir tek kristal büyütme ?Epitaxial Growth? sistemidir. Ülkemizde N-tabanlıikinci As/P tabanlı ilk sistem olan bu sistemin kapasitesi ve diğer sistemler ilekarşılaştırılması oldukça önemli bir çalışma konusu olup, bu konuda çalışacak gençaraştırmacılar için çok önemli bir kaynak olacaktır. Kristal büyütme sisteminin genelprensipleri araştırıldıktan sonar, özellikle III-V grubu heteroyapı yarıiletkenmalzemeler ile yapılan bazı nano-aygıtlar incelenerek, yapımı muhtemel yapılarınanalizi yapılacaktır.

Özet (Çeviri)

In this work a detailed investigation of the MOCVD epitaxial single crystal growthsystem is aimed. It is well know that MOCVD systems are very important for nanostructures growth, and Physics department of Cumhuriyet University has pioneeredinstalling an MOCVD system. This particular system will be the second in Turkey(first if As/P growth is considered). The study of this system and the comparison of itwith the other systems are important for especially young researchers who are willingto study in this area. After a general investigation of crystal growth system, we willinvestigate some nano-devices that are based on III-V?s and discuss the future roadmap.

Benzer Tezler

  1. Metal organic framework (MOF) based mixed matrix membranes for Co2 separation: Microporous metal imidazolate framework (MMIF) and strontium-based mofs

    Co2 ayırma amaçlı metal organik kafes (MOF) içeren karışık matrisli membranlar: mikrogözenekli metal imidazolat kafes (MMIF) ve stronsiyum esaslı mof yapılar

    MAHDI AHMADI

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞERİFE BİRGÜL ERSOLMAZ

  2. Au/(NiS:PVP)/n-Si (MPS) yapısının kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümlerini kullanarak elektriksel özelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi

    Investigation of electrical properties of Au/(NiS:PVP)/n-Si (MPS) structure using capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements depending on frequency

    MURAT ULUSOY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ

  3. Sol-jel yöntemi ile ZrO2 ince film üretimim ve yapısal olarak incelenmesi

    ZrO2 thin film production of sol-gel methods and structural features

    KAMER ESEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NALAN ÇİÇEK BEZİR

  4. Saçtırma yöntemiyle elde edilen sade ve metil kırmızısı organik arayüzeyli pd/n-si schottky güneş pillerinin elektriksel ve fotovoltaik karakterizasyonu

    Electrical and photovoltaic characterization of pd/n-si schottky solar cells with plain and methyl red organic interface obtained by sputtering method

    MUHAMMET BIRA ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiArdahan Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ HASAN HÜSEYİN ÇOBAN

  5. Farklı aşındırma parametreleri ile oluşturulan kapı elektrodu'nun GaN temelli yüksek elektron devingenlikli transistör aygıtları üzerindeki etkisi

    The effect of gate electrode on GaN hemt devices fabricatedwith di̇fferent etching parameters

    İRFAN ALP GEZGİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYHAN ELMALI