Farklı aşındırma parametreleri ile oluşturulan kapı elektrodu'nun GaN temelli yüksek elektron devingenlikli transistör aygıtları üzerindeki etkisi
The effect of gate electrode on GaN hemt devices fabricatedwith di̇fferent etching parameters
- Tez No: 746648
- Danışmanlar: PROF. DR. AYHAN ELMALI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2022
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 92
Özet
Bu tez çalışmasında, SiC alttaş üzerine Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme yöntemi ile büyütülmüş GaN/AlN/AlGaN epitaksiyel heteroeklem yapıdaki HEMT aygıtının DC elektriksel özellikleri incelenecektir. Öncelikle Adacık (Mesa) litografisi ile desenlenen örnekler İndüktif Eşleşmiş Plazma Reaktif İyon Aşındırma (ICP-RIE) cihazında Cl2/BCl3 gaz kimyasalı karışımında aşındırılmıştır. Mesa adımı sonrasında, Omik metal litografisi ile desenlenen örnekler Elektron Demeti ile Fiziksel Buharlaştırma Yöntemi kullanılarak Ti/Ni/Al/Au metal yapısı desenlenen bölgelere kaplanmıştır. Kapı elektrodu metalizasyon adımı öncesinde yüzeyde bulunan SiN katmanı, Fotolitografi tekniği ile 1μm açıklıkta desenlendikten sonra ayrı ayrı SF6 ve CF4 gazları ile aşındırılmıştır. Aşındırılan bölgelere, Elektron Demeti ile Fiziksel Buharlaştırma Yöntemi kullanılarak Ni/Au metal yapısı kaplanmıştır. Yapılan DC elektriksel I-V ölçümlerinde, SF6 gazı ile aşındırılan örneğin ortalama ölçüm sonuçları CF4 ile aşındırılan örnekten daha yüksek performans göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, DC electrical performance of GaN/AlN/AlGaN epitaxial heterostructure on SiC substrate HEMT devices will be investigated. Firstly, the samples patterned with Lithography technique and Mesa mask then Dry Etched with Cl2/BCl3 chemical gas mixture in the ICP-RIE system. Secondly, the samples patterned with Lithography technique and Ohmic mask then coated Ti/Ni/Al/Au metals with Electron Beam Evaporator system (E-Beam). Before gate metallization, the surface of samples coated SiNx passivation material with Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) system then Fotolithography technique used to develop openings with 1μm length.
Benzer Tezler
- Fabrication of junctionless silicon nanowire transistors via mix and match patterning based on field emission scanning probe lithography
Alan-salımlı tarama probu litografisine dayalı karıştır ve eşleştir modelleme ile bağlantısız silisyum nanotel transistörlerin üretimi
MERT ÖZDEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Makine MühendisliğiKoç ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BURHANETTİN ERDEM ALACA
- Hibrit perovskit güneş gözelerinin ultrasonik sprey piroliz yöntemi ile üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of hybrid perovskite solar cells by ultrasonic spray pyrolysis method
SALİH AKYÜREKLİ
Doktora
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT KALELİ
- Kuru aşındırma yöntemiyle titanyum silisite seçici kontak aşındırma prosesinin optimizasyonu
Optimization of selective titanium silicide contact hole etching process via dry etching method
TUĞBA BİLGİÇ KELLE
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞEGÜL MERİÇBOYU
- Denizli ili için heyelan duyarlılık haritalarının oluşturulması
Preparation of landslide susceptibility maps for Denizli city
MURAT DURGUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Jeoloji MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BERAN ÇELİK
- Fabrication of well-organized plasmonic interfaces by nanosphere lithography
İyi düzenlenmiş plazmonik arayüzeylerin, nanoküre litografi yöntemi ile üretimi
YUSUF KASAP
Yüksek Lisans
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALPAN BEK