Geri Dön

İndiyum katkılı ZnO ince filmlerin bazı fiziksel özellikleri

Some physical properties of indium doped ZnO thin films

PDF İndir

  1. Tez No: 181570
  2. Yazar: BARIŞ DEMİRCİ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. SALİHA ILICAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Yarıiletkenler, İndiyum katkılı ZnO, Püskürtme yöntemi, Yasak enerji Aralığı, X-ışınları kırınım spektrumu, Van derPauw Metodu, Semiconductors, Indium doped ZnO, Spray Pyrolysis method, Optical band gap, X-ray diffraction patterns, Van der Pauw method
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 76

Özet

Katkısız çinko oksit (ZnO) ve indiyum-katkılı çinko oksit (IZO) ince filmleri camtabanlar üzerine püskürtme yöntemi kullanılarak elde edilmiştir. Inkatkılanmasıyla yapısal, elektriksel ve optik özelliklerindeki değişimlerincelenmiştir. ZnO ince filmlerinin kristal yapısı ve tercihli yönelimleri x-ışınıkırınım spektrumlarında belirlenmiştir. Bu spektrumlarından elde edilen bütünfilmlerin polikristal yapıda olduğu görülmektedir. Yapılanma katsayısı ve tanecikboyutu ince filmler için hesaplanmıştır. Filmlerin optik absorpsiyon spektrumları200-900 nm dalga boylu spektrofotometrik olarak ölçülmüş; yasak enerjiaralıkları, Urbach parametreleri ve optik sabitler (kırılma indisi, sönüm katsayısıve dielektrik sabitleri) hesaplanmıştır. Elektriksel parametreler Van der Pauwmethodu kullanılarak elde edilmiştir. Optikelektronik aygıtlara uygulamasında,geçirgenliği yaklaşık %89, ve özdirenci 11,71 Ωcm gibi düşük bir değer olan %3indiyum katkılı ZnO tercih edilir. Bu filmin özdirencinin, UV lambası ileaydınlatılarak yapılan ölçüm sonucunda 1,66 Ωcm değerine düştüğü gözlenmiştir.Sonuç olarak, ZnO filmine indiyum katkılandığında, filmin yapısal, elektriksel veoptik özelliklerinde önemli değişiklikler meydana gelir.

Özet (Çeviri)

Non-doped zinc oxide (ZnO) and indium-doped zinc oxide (IZO) thinfilms have been deposited onto glass substrates by the spray pyrolysis method.The variations of the structural, electrical and optical properties with the indiumincoporation were investigated. The crystal structure and orientation of the ZnOthin films were investigated by X-ray diffraction (XRD) patterns. From thesepatterns, it is seen that all the deposited films are polycrystalline in nature. Thetexture coefficient and grain size were evaluated for the thin films. The opticalabsorbance through the films was measured spectrophotometrically in thewavelength range 200-900 nm; the optical energy gap, Urbach parameters, andoptical constants (refractive index, extinction coefficient, and dielectric constants)was estimated. The electrical parameters were obtained by the Van der Pauwmethod. The ZnO thin film doped with 3 % indium, presents the low resistivity11.71 Ωcm associated to a high transmittance ~89%, characteristics required forapplication on optoelectronic devices. This film is illuminated by the UV lamb,the its resistivity value decreases to 1.66 Ωcm. Consequently, it was seen thatindium incorporation makes a significant change on the structural, optical and theelectrical properties.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    571380

    Synthesis of ZnO and Si nanowires for the fabrication of 3rd generation solar cells

    Üçüncü nesil güneş pillerinin üretimi için ZnO ve Si nanotellerin sentezlenmesi

    ELİF PEKSU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN KARAAĞAÇ

  2. Tez No

    488230

    Galyum katkılı çinko-oksit ince filmlerin özelliklerine sıçratma gücünün ve kaplama sonrası uygulanan ısıl işlemin etkileri

    Effect of sputtering power and post annealing process on properties of gallium-doped zinc oxide thin films

    BİRSEN HANDEM ERGÜNHAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET KARAASLAN

  3. Tez No

    651033

    Growth and characterization of undoped and indium doped zinc oxide thin films grown by hydrothermal method

    Katkısız ve indiyum katkılı çinko oksit ince filmlerin hidrotermal metot ile büyütülmesi ve karakterizasyonu

    TUĞÇE BAYRAKTAR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi

    Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYTUNÇ ATEŞ

  4. Tez No

    465251

    Galyum katkılı çinko oksit ince filmlerin karakterizasyonu ve üretim parametrelerinin ince filmlere olan etkilerinin incelenmesi

    Characterization of gallium doped zinc oxide thin films and investigation of the effect of growth parameters on the thin films

    ENVER KAHVECİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Bilim ve TeknolojiHacettepe Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİLİZ BETÜL KAYNAK

  5. Tez No

    600646

    ZnO yarıiletkenine nikel ve indiyum katkılamanın gaz sensör algılama özelliklerine etkisi

    The effect of nickel and indium dopant on gas sensing properties of ZnO semiconductor

    BAKTIYAR SOLTABAYEV

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SELİM ACAR

Geri Dön