Kimyasal biriktirme yöntemi ile CdS, ZnS ve PbS yarıiletken nano yapıların üretilmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of CdS, ZnS and PbS semiconductor nanostructure with chemical bath deposition
- Tez No: 184045
- Danışmanlar: DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Enerji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Savunma ve Savunma Teknolojileri, Energy, Physics and Physics Engineering, Defense and Defense Technologies
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2006
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 140
Özet
Güneş pilleri ve kızılötesi dedektörler gibi optoelektronik devreler içinyarıiletken nano kristaller Kimyasal Biriktirme Yöntemi ile üretilmiştir. Yarıiletkentekli kristaller ve nano kristaller XRD, EDS ve SEM ölçümleri ile araştırılmıştır. SEMgörüntüsünden GaSe tabakaların kalınlığının 3 nm ile 10 nm arasında değiştiğibelirlenmiştir. Cam tabanlar üzerinde CdS nano kistallerin boyutunun 5 nm ile 50 nmarasında olduğu belirlenmiştir. Yarıiletkenlerin band aralığı optik absorbansölçümlerinden bulunmuştur. GaSe tekli kristallerin eksiton bağlanma enerjisi 20 meVolarak hesaplanmıştır. Tüm numunelerin elektriksel özdirenci iki nokta Akım-Gerilimölçümlerinden hesaplanmıştır. Cam üzerine üretilen PbS nano kristallerin elektrikselözdirenci 5 cm olarak belirlenmiştir. CdS nano yapılar için yeni bir taban olan GaSeyüzeyler ilk olarak burada rapor edilmiştir. GaSe üzerine üretilen CdS nano kristallerinelektriksel iletkenliğinin, cam üzerine üretilen CdS nano kristallere göre 50 kat fazlaolduğu görülmüştür. Akım-Gerilim ve Kapasitans-Gerilim ölçümleri için Au/p-GaSeve Ag/n-CdS eklemler oluşturulmuştur. GaSe nano tabakaların serbest taşıyıcıyoğunluğu, Kapasitans-Gerilim ölçümlerinden, 3x1014 cm3 olarak hesaplanmıştır.Ayrıca serbest taşıyıcı yüklerin taşınabilirliği ve eklemlerin engel yüksekliği buölçümler ile belirlenmiştir. Optoelektronik devre yapımları için Au/p-GaSe/n-CdS,p-GaSe/p-PbS, Ag/p-PbS/n-CdS eklemler ve CdZnS kuantum noktalar oluşturulmuştur.Bu optoelektronik araçların savunma teknolojisinde kullanılması amaçlanmıştır.Anahtar Kelimeler : Yarıiletken nano yapılar, ince filmler, eksitonlar, X-ışınıdedektörleri, γ-ışını dedektörleri, kızılötesi dedektörler, termal dedektörler, güneşpilleri, p-n eklemler, metal-yarıiletken eklemler.
Özet (Çeviri)
Semiconductor nanocrystals were grown by Chemical Bath Depositiontechnique for optoelectronic devices such as IR dedectors, solar cells. Semiconductorsingle crystals and nanocrystals were investigated by XRD, EDS and SEM. Thicknessof GaSe layers were determined between 3 nm and 10 nm with SEM image. CdS nanoparticals on the glass substrate were determined between 5 nm and 50 nm. Band gap ofsemiconductors were found by optical absorbtion mesurement. Exciton binding energyof GaSe single crystals were calculated as 20 meV. Electrical resistivity of all sampleswas calculated with Current-Voltage mesurement by two point contact. Electricalresistivity of PbS nanocrystals was calculated as 5 cm on the glass substrate. CdSnanocrystals on GaSe substrates were reported. Electrical conductivity for CdSnanocrystals on a GaSe substrate increased 50 times according to CdS on glasssubstrates. Au/p-GaSe and Ag/n-CdS junctions were formed for Current-Voltage andCapacitans-Voltage measurements. Carrier density of GaSe layers was calculated as3x1014 cm3 with Capacitans-Voltage measurements. In addition to that carrier mobilityand barrier heigth were also determinated by these measurements. Optoelectronicdevices were made with Au/p-GaSe/n-CdS, p-GaSe/p-PbS, Ag/p-PbS/n-CdSheterojunctions and CdZnS quantum dots. These optoelectronic devices were purposedfor the defence technologyKey Words : Semiconductor nanostructures, thin films, excitons, X-ray dedectors,γ-ray dedectors, infrared dedectors, thermal dedectors, solar cells, p-n junctions,metal-semiconductor junctions
Benzer Tezler
- Nano boyutlu PbS ve CdS ince filmlerinin elektriksel, optik ve yapısal özelliklerinin belirlenmesi
The determination of electrical, optical and structural characteristics of nano sized PbS and CdS thin films
BARIŞ ALTIOKKA
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLANA CELALETTİN BAYKUL
- Kimyasal banyo biriktirme yöntemi ile üretilen nanoyapılı CdS ince filminin eksiton bağlanma enerjisinin belirlenmesi
Study of the exciton binding energy of nanostructured CdS thin film fabricated by chemical bath deposition method
AYKUT KÜÇÜKBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Mühendislik BilimleriEskişehir Osmangazi ÜniversitesiNanobilim ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEVLANA CELALETTİN BAYKUL
- Güneş pilleri için kimyasal banyo biriktirme yöntemi ile üretilen ZnO, CdS, PbS ince filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of some physical properties of ZnO, CdS, PbS thin films produced by chemical bath deposition method for solar cells
METEHAN ÖNAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
EnerjiBilecik Şeyh Edebali ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BARIŞ ALTIOKKA
- Güneş hücreleri için CdS tampon tabakasının üretilmesi
Production of CdS buffer layers for solar cells
BEGÜM ÜNVEROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
KimyaGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. FATİH AY
- Güneş pillerinde kullanılan ZnO, CdS, CdSe VE PbS ince filmlerin kimyasal banyo biriktirme yöntemi ile üretilmesi ve karakterisazyonu
Production and characterization of ZnO, CdS, CdSe and PbS thin films used in solar cells by chemical bath deposition method
METEHAN ÖNAL
Doktora
Türkçe
2024
EnerjiBilecik Şeyh Edebali ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BARIŞ ALTIOKKA