Geri Dön

Amorf ınte yarıiletken malzemesinin fiziksel özelliklerinin araştırılması

Investigating of physcial properties of amorphous inte semiconductor material

  1. Tez No: 185314
  2. Yazar: HANDAN BOSTANCI
  3. Danışmanlar: DOÇ.DR. FAHRETTİN YAKUPHANOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: InTe, Elektriksel İletkenlik, Amorf Yarıiletken, Dielektrik Sabiti, InTe, Electrical Conductivity, Amorphous Semiconductour, Dielectric constantI
  7. Yıl: 2006
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Fırat Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 80

Özet

ÖZETYÜKSEK LİSANS TEZİAMORF InTe YARIİLETKEN MALZEMESİNİN FİZİKSEL ÖZELLİKLERİNİNARAŞTIRILMASIHandan BOSTANCIFırat ÜniversitesiFen Bilimleri EnstitüsüFizik Anabilim Dalı2006, Sayfa : 80Bu çalışmada, InTe amorf yarıiletken malzemenin, X ışını difraksiyonu, elektrikseliletkenliği, optik ve dielektrik özellikleri araştırıldı. X-ışını difraksiyon sonuçları InTenumunesinin amorf yapıya sahip olduğunu gösterir. Numunenin elektriksel iletkenliğininsıcaklığa bağlılığı araştırıldı ve bulunan sonuçlar numunenin bir amorf yarıiletken olduğunudoğrular. InTe numunesi fotoiletkenlik özellik gösterir. Numunenin optik band aralığı ve optiksabitleri geçirgenlik ve yansıma spektrumları kullanılarak hesaplandı. Numunede doğrudanoptik geçişler meydana geldi. Numunenin kırılma indisi dispersiyon eğrisi tek osilatör modelineuydu. Numunenin dielektrik özellikleri frekansın ve sıcaklığın bir fonsiyonu olarak araştırıldı.Dielektrik parametrelerin sıcaklık ve frekansla değiştiği bulundu. Elektrik modulus eğrileridielektrik relaksasyon olayını analiz etmek için kullanıldı.

Özet (Çeviri)

ABSTRACTMASTER THESISINVESTIGATING OF PHYSICAL PROPERTIES OF AMORPHOUS InTeSEMICONDUCTOR MATERIALHandan BOSTANCIFırat UniversityGraduate School of Natural and Applied SciencesDepartment of Physics2006, Page: 80In this study, X-ray diffraction, electrical conductivity, optical and dielectrical propertiesof the InTe amorphous semiconductor material have been investigated. X-ray diffraction resultsshow that InTe sample has an amorphous structure. Temperature dependence of electricalconductivity of the sample has been investigated and the obtained results confirm that InTe is anamorphous semiconductor. The InTe sample shows photoconductivity behavior. The opticalband gap and optical constants of the sample were calculated using transmittance andreflectance spectra. In the sample, the direct optical transitions take place. The refractive indexdispersion curve of the sample obeys the single oscillator model. The dielectrical properties ofthe sample have been investigated as a function of frequency and temperature. It was found thatthe dielectrical parameters were changed with temperature and frequency. The electricalmodulus curves were used to analyze the dielectrical relaxation processes.

Benzer Tezler

  1. InSe, InTe ve InTe: Er yarıiletken ince filmlerin doğrusal olmayan optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of nonlinear optical properties of InSe, InTe ve InTe: Er semiconductors

    ECRİN AVCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET KARATAY

  2. Fabrication and characterization of amorphans silikon microcavities

    Amorf silikon mikroçınlaçlarının üretimi ve karakterizasyonu

    SELİM TANRISEVEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ALİ SERPENGÜZEL

  3. Amorf germanyumun büyütülmesinin Monte Carlo simülasyonu

    Başlık çevirisi yok

    GÖRKEM OYLUMOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞİNASİ ELLİALTIOĞLU

    PROF.DR. ŞENER OKTİK

  4. Amorf silisyumun alüminyum ve altın etkileşimli kristalleştirilmesi, elektriksel ve soğurma özelliklerinin incelenmesi

    Aluminum and gold induced crystallization of amorphous silicon, investigation of electrical and absorption properties

    ADNAN MÜSLİM MENEVŞE

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AKIN BACIOĞLU

  5. Amorf silikon yapıdaki Yapıdaki Elektronik Portal Görüntüleme Cihazının (EPID) rutin kalite kontrol testlerde, cihaz kabul testlerinde ve yoğunluk ayarlı radyoterapi tekniği Çok Yapraklı Kolimatör (ÇYK) testlerinde film yerine kullanılabilirliliği

    The usability of amorphous silicon Electronic Portal Imaging Device (EPID) in routine quality control tests, acceptance tests and Multi-Leaf Collimator (MLC) tests for intensity modulated radiotherapy instead of film

    DENİZ ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    OnkolojiHacettepe Üniversitesi

    Radyasyon Onkolojisi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FERAH YILDIZ