Geri Dön

CMOS buffer tasarımında optimizasyon

Optimum CMOS buffer design

  1. Tez No: 185538
  2. Yazar: DİLEK MANZAK
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ALİ MANZAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 58

Özet

iiÖZETCMOS Buffer Tasarımında OptimizasyonCMOS transistorlar düşük güç harcanımları sebebiyle yaygın olarak tümleşik devretasarımında kullanılmaktadır. İyi bir tümleşik devre güç, hız ve alan bakımından eniyi olmalıdır. Devre içinde düşük kapasiteli kapıların yüksek kapasiteli kapılarısürerken tampon devreler kullanılması iyi bilinen hız arttırma tekniklerinden biridir.Fakat, kullanılacak tampon devre sayısı ve NMOS ve PMOS transistorların kanalenlerinin oranı iyi belirlenmelidir. Tampon devre sayısı, ve kanal en oranlarıdevrenin hız, güç harcaması ve alanına direkt olarak etki eder. Literatürde en iyitampon devre boyutunu belirlemek için birçok çalışma yapılmış ve bazı teoriksonuçlar bulunmuştur. Ancak bu sonuçlar günümüzde kullanılan nanometretasarımlarla tam uyuşmamaktadır. Bu tezde biz, en iyi hız, alan ve güç harcamasıolan devreyi gerçeklemek için kullanılan tampon devreleri tasarlamak için yeni birtasarım stratejisi belirledik. Çalışmada Pspice programı ile 0.12nm IBM teknolojiverileri kullanılarak yapılan simülasyonların sonuçları tablo ve şekiller halindegösterilmiştir.ANAHTAR KELİMELER: CMOS Buffer, Buffer Optimizasyonu, Düşük Güç

Özet (Çeviri)

iiiABSTRACTOptimum CMOS Buffer DesignCMOS transistors are widely used for their low power dissippations in VLSI circuits.A good VLSI chip should be optimized in terms of power, speed and area. Bufferinsertion is a well known speed improvement technique when a low capacitive gateis driving high capacitive gate. However the number of buffer stages that need toinserted and the ratio of width of the NMOS and PMOS transistors should becarefully determined. Selection of number of buffer stages and the channel width ofthe transistors directly effects the speed, area and power consumption of the circuit.In the literature there has been great deal of work has been done and some theoreticalresults are presented to obtain the optimum buffer size. However these result do notcompletely fit the current technology using nanometer channel width. In this thesiswe have developed new design strategy to get optimum buffer size such that circuitis optimized in terms of speed, power and area. Simulations have been done usingPspice with 0.12nm IBM technology and results are shown with tables and figures.KEY WORDS: CMOS Buffer, Buffer Optimization, Low Power

Benzer Tezler

  1. CMOS realization of new alternative active elements for analog signal processing and their applications

    Analog sinyal işleme için yeni alternatif aktif elemanların CMOS gerçeklemesi ve uygulamaları

    ARDA GÜNEY

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HULUSİ HAKAN KUNTMAN

  2. Analog circuit design using current and transresistance amplifiers

    Akım ve geçiş-direnç kuvvetlendiriciler kullanarak analog devre tasarımı

    SELÇUK KILINÇ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2006

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR ÇAM

  3. Yüksek çözünürlüklü, direnç dizesi tipli sayısaldan analoğa dönüştürücülerde dinamik hata mekanizmalarının incelenmesi

    Investigating dynamic error mechanisms of high resolution resistor string D/A converters

    EMRE TOPÇU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. TÜRKER KÜYEL

  4. Analog circuit design with new active circuit components

    Yeni aktif devre elemanlarıyla analog devre tasarımı

    ERSİN ALAYBEYOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HULUSİ HAKAN KUNTMAN

  5. GF 22nm FDSOI power management unit with integrated SRAM design

    Entegre SRAM tasarımlı GF 22nm FDSOI güç yönetim birimi

    MAHMUT ÇOBAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ AHMET TEKİN