CMOS buffer tasarımında optimizasyon
Optimum CMOS buffer design
- Tez No: 185538
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ALİ MANZAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 58
Özet
iiÖZETCMOS Buffer Tasarımında OptimizasyonCMOS transistorlar düşük güç harcanımları sebebiyle yaygın olarak tümleşik devretasarımında kullanılmaktadır. İyi bir tümleşik devre güç, hız ve alan bakımından eniyi olmalıdır. Devre içinde düşük kapasiteli kapıların yüksek kapasiteli kapılarısürerken tampon devreler kullanılması iyi bilinen hız arttırma tekniklerinden biridir.Fakat, kullanılacak tampon devre sayısı ve NMOS ve PMOS transistorların kanalenlerinin oranı iyi belirlenmelidir. Tampon devre sayısı, ve kanal en oranlarıdevrenin hız, güç harcaması ve alanına direkt olarak etki eder. Literatürde en iyitampon devre boyutunu belirlemek için birçok çalışma yapılmış ve bazı teoriksonuçlar bulunmuştur. Ancak bu sonuçlar günümüzde kullanılan nanometretasarımlarla tam uyuşmamaktadır. Bu tezde biz, en iyi hız, alan ve güç harcamasıolan devreyi gerçeklemek için kullanılan tampon devreleri tasarlamak için yeni birtasarım stratejisi belirledik. Çalışmada Pspice programı ile 0.12nm IBM teknolojiverileri kullanılarak yapılan simülasyonların sonuçları tablo ve şekiller halindegösterilmiştir.ANAHTAR KELİMELER: CMOS Buffer, Buffer Optimizasyonu, Düşük Güç
Özet (Çeviri)
iiiABSTRACTOptimum CMOS Buffer DesignCMOS transistors are widely used for their low power dissippations in VLSI circuits.A good VLSI chip should be optimized in terms of power, speed and area. Bufferinsertion is a well known speed improvement technique when a low capacitive gateis driving high capacitive gate. However the number of buffer stages that need toinserted and the ratio of width of the NMOS and PMOS transistors should becarefully determined. Selection of number of buffer stages and the channel width ofthe transistors directly effects the speed, area and power consumption of the circuit.In the literature there has been great deal of work has been done and some theoreticalresults are presented to obtain the optimum buffer size. However these result do notcompletely fit the current technology using nanometer channel width. In this thesiswe have developed new design strategy to get optimum buffer size such that circuitis optimized in terms of speed, power and area. Simulations have been done usingPspice with 0.12nm IBM technology and results are shown with tables and figures.KEY WORDS: CMOS Buffer, Buffer Optimization, Low Power
Benzer Tezler
- CMOS realization of new alternative active elements for analog signal processing and their applications
Analog sinyal işleme için yeni alternatif aktif elemanların CMOS gerçeklemesi ve uygulamaları
ARDA GÜNEY
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HULUSİ HAKAN KUNTMAN
- Analog circuit design using current and transresistance amplifiers
Akım ve geçiş-direnç kuvvetlendiriciler kullanarak analog devre tasarımı
SELÇUK KILINÇ
Doktora
İngilizce
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR ÇAM
- Yüksek çözünürlüklü, direnç dizesi tipli sayısaldan analoğa dönüştürücülerde dinamik hata mekanizmalarının incelenmesi
Investigating dynamic error mechanisms of high resolution resistor string D/A converters
EMRE TOPÇU
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. TÜRKER KÜYEL
- Analog circuit design with new active circuit components
Yeni aktif devre elemanlarıyla analog devre tasarımı
ERSİN ALAYBEYOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HULUSİ HAKAN KUNTMAN
- GF 22nm FDSOI power management unit with integrated SRAM design
Entegre SRAM tasarımlı GF 22nm FDSOI güç yönetim birimi
MAHMUT ÇOBAN
Yüksek Lisans
İngilizce
2023
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ AHMET TEKİN