Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerin elektriksel özelliklerinin oksit tabakası kalınlığına bağlı değişimlerinin incelenmesi
Variation of electrical properties of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors depending on oxide layer thickness
- Tez No: 198643
- Danışmanlar: PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 59
Özet
iÖZETBu çalışmada kapasitör özelliği gösteren Metal-Oksit-Yarıiletken (MOS) yapılarile çalışılmıştır. Silisyum alt yüzeyler üzerinde çeşitli kalınlıklarda termal oksidasyon ileSiO2 tabakaları büyütüldükten sonra üst tarafı vakum buharlaştırma yöntemi ilealüminyum ile kaplanarak MOS kapasitörler oluşturulmuştur. 25, 33 ve 110 nmkalınlıklarında SiO2 tabakaları büyütülerek #C1, #C2 ve #C3 örnekleri hazırlanmıştır.Daha sonra bu örneklerin kapasitans-gerilim (C-V) grafikleri çizilerek teorik değerler ilekarşılaştırılmıştır.C-V ölçümleri ışık altında ve karanlıkta yapılmıştır. Yapılan ölçümlersonucunda 110 nm oksit tabakası kalınlığına sahip örnekten elde edilen kapasitansdeğerlerinin teorik değerler ile uyumlu olduğu görülmüştür. Ancak 25 ve 33 nm'likSiO2 tabakası kalınlığına sahip örneklerden elde edilen deneysel sonuçlar, teorikhesaplamalardan elde edilen değerlerden daha küçük çıkmıştır. Bunun nedeni ise, dahaönceden öngörüldüğü gibi, kalınlık azaldıkça SiO2'nin yalıtkanlık özelliğininbozulmasıdır.
Özet (Çeviri)
iiABSTRACTIn this study the metal-oxide-semiconductor (MOS) structures, which showcapacitor property have been investigated. The MOS structures have been produced bygrowing a SiO2 layer at different thicknesses on the p-type silicon substrates via thermaloxidation and aluminum was deposited by vacuum evaporation method as gate metal.The capacitance-voltage (C-V) characteristics of MOS capacitors have been plotted andcompared with theoretical values.The C-V measurements have been done under daylight and dark environment. Itis seen that the results which are obtained from sample #C3 are convenient with thetheoretical values. But the experimental results which are obtained from sample #C1and sample #C2 are less than the results which are obtained from theoreticalcalculations. Its reason is that dielectric property of SiO2 is degraded for smallthicknesses, as proposed before.
Benzer Tezler
- Capacitance voltage spectroscopy in metal-tantalum pentoxide (Ta250)-silicon MOS capacitors
Metal-tantalyum pentoksit (Ta250)-silisyum MOS kapasitörlerin kapasite-gerilim tekniğiyle incelenmesi
PINAR ÖZDAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET GÜNEŞ
- Nanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümleri
Retention time dependence on capacitance measurements of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor with nanocrystals
ALİM BOZER
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR
- Electrical characterization and gamma irradiation response of HFSIO4 metal oxide semiconductor (MOS) capacitors
HFSIO4 metal oksit yarıiletken (MOS) kapasitörlerin elektriksel karakterizasyonu ve gamma radyasyonu duyarlılıkları
RAMAZAN LÖK
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Bilim ve TeknolojiAbant İzzet Baysal ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HÜSEYİN KARAÇALI
- Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerde dielektrik sabitinin frekans, sıcaklık ve kalınlığa bağlı incelenmesi
The investigation of dielectric constant depending on frequency, temperature and thicknss in metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors
ADEM TATAROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal-oksit ara tabakalı myy yapıların dielektrik özellikleri
Dielectric properties of mis structures with metal-oxide interlayer
MUSTAFA COŞKUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET ALTINDAL
YRD. DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ