Geri Dön

Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerin elektriksel özelliklerinin oksit tabakası kalınlığına bağlı değişimlerinin incelenmesi

Variation of electrical properties of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors depending on oxide layer thickness

  1. Tez No: 198643
  2. Yazar: CÜNEYT HACIİSMAİLOĞLU
  3. Danışmanlar: PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Uludağ Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 59

Özet

iÖZETBu çalışmada kapasitör özelliği gösteren Metal-Oksit-Yarıiletken (MOS) yapılarile çalışılmıştır. Silisyum alt yüzeyler üzerinde çeşitli kalınlıklarda termal oksidasyon ileSiO2 tabakaları büyütüldükten sonra üst tarafı vakum buharlaştırma yöntemi ilealüminyum ile kaplanarak MOS kapasitörler oluşturulmuştur. 25, 33 ve 110 nmkalınlıklarında SiO2 tabakaları büyütülerek #C1, #C2 ve #C3 örnekleri hazırlanmıştır.Daha sonra bu örneklerin kapasitans-gerilim (C-V) grafikleri çizilerek teorik değerler ilekarşılaştırılmıştır.C-V ölçümleri ışık altında ve karanlıkta yapılmıştır. Yapılan ölçümlersonucunda 110 nm oksit tabakası kalınlığına sahip örnekten elde edilen kapasitansdeğerlerinin teorik değerler ile uyumlu olduğu görülmüştür. Ancak 25 ve 33 nm'likSiO2 tabakası kalınlığına sahip örneklerden elde edilen deneysel sonuçlar, teorikhesaplamalardan elde edilen değerlerden daha küçük çıkmıştır. Bunun nedeni ise, dahaönceden öngörüldüğü gibi, kalınlık azaldıkça SiO2'nin yalıtkanlık özelliğininbozulmasıdır.

Özet (Çeviri)

iiABSTRACTIn this study the metal-oxide-semiconductor (MOS) structures, which showcapacitor property have been investigated. The MOS structures have been produced bygrowing a SiO2 layer at different thicknesses on the p-type silicon substrates via thermaloxidation and aluminum was deposited by vacuum evaporation method as gate metal.The capacitance-voltage (C-V) characteristics of MOS capacitors have been plotted andcompared with theoretical values.The C-V measurements have been done under daylight and dark environment. Itis seen that the results which are obtained from sample #C3 are convenient with thetheoretical values. But the experimental results which are obtained from sample #C1and sample #C2 are less than the results which are obtained from theoreticalcalculations. Its reason is that dielectric property of SiO2 is degraded for smallthicknesses, as proposed before.

Benzer Tezler

  1. Capacitance voltage spectroscopy in metal-tantalum pentoxide (Ta250)-silicon MOS capacitors

    Metal-tantalyum pentoksit (Ta250)-silisyum MOS kapasitörlerin kapasite-gerilim tekniğiyle incelenmesi

    PINAR ÖZDAĞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2005

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MEHMET GÜNEŞ

  2. Nanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümleri

    Retention time dependence on capacitance measurements of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor with nanocrystals

    ALİM BOZER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR

  3. Electrical characterization and gamma irradiation response of HFSIO4 metal oxide semiconductor (MOS) capacitors

    HFSIO4 metal oksit yarıiletken (MOS) kapasitörlerin elektriksel karakterizasyonu ve gamma radyasyonu duyarlılıkları

    RAMAZAN LÖK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Bilim ve TeknolojiAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN KARAÇALI

  4. Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerde dielektrik sabitinin frekans, sıcaklık ve kalınlığa bağlı incelenmesi

    The investigation of dielectric constant depending on frequency, temperature and thicknss in metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors

    ADEM TATAROĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  5. Metal-oksit ara tabakalı myy yapıların dielektrik özellikleri

    Dielectric properties of mis structures with metal-oxide interlayer

    MUSTAFA COŞKUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. AHMET ALTINDAL

    YRD. DOÇ. DR. FATİH DUMLUDAĞ