Geri Dön

Nanokristalli-MOS (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde zamana bağlı kapasitans ölçümleri

Retention time dependence on capacitance measurements of MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor with nanocrystals

  1. Tez No: 343299
  2. Yazar: ALİM BOZER
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ERDEM YAŞAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Germanyum Nanokristal, Kapasitans-Zaman, TEM, PECVD, Kapasitans-Gerilim, Akım-Voltaj, Silisyum dioksit, Germanium Nanocrystal, Capacitance-time, TEM, PECVD, Capacitance-Voltage, Current-Voltage, Silicon Dioxid
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 74

Özet

Bu tezde Plazma ile Zenginleştirilmiş Kimyasal Buhar Depolama (PECVD) tekniği kullanılarak SiO2 yapılar içerisinde Ge nanokristalleri oluşturulmuştur ve yapısal özellikleri incelenmiştir. PECVD yöntemiyle oluşturulan amorf yapılara yüksek sıcaklık fırınında tavlama işlemi uygulanarak farklı sürelerde ısı verilmiştir ve yapıların amorf düzenden kristal hale geçmesi sağlanmıştır. Örnekler bir, üç ve beş katlı olarak oluşturulmuştur. Oluşturulan örneklerin elektriksel ölçümleri alınarak yapısı hakkında bilgiler edinilmeye çalışılmıştır. Üretilen örneklerin katman sayılarının değişmesinin elektriksel özelliklerine etkisi incelenmiştir. Nanokristallerin şarj oldukları akım-gerilim (I-V) eğrilerindeki ani artışlarla gözlemlenmiştir. Ayrıca şarj kapasiteleri de kapasitans-gerilim (C-V) eğrilerindeki histerisislerde gözlemlenmiştir. Histerislerde tek katlı örnekler arasında en fazla kayma 0,54 V olarak bulunmuştur. Kapasitans-zaman (C-t) ölçümleri alınmıştır ve Katman sayısının etkisi incelenmeye çalışılmıştır. Örneklere Al omik kontak eklenmiş ve Metal Oksit Yarıiletken yapısı hazır hale getirilmiştir. Omik kontak direnci Geçirgen Çizgi Methodu (TLM) kullanılarak ölçülmüştür ve kaçak akım olup olmadığı kontrol edilmiştir. Ge nanokristaller TEM görüntüleriyle ortaya konmuştur.

Özet (Çeviri)

In this thesis, Ge nanocrystals embedded in SiO2 were formed using by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique and structural features were studied. Amorphous structures which were formed by the method of PECVD were transformed to crystals by applying annealing process at a high temperature furnace with by giving different periods of heat. Samples were created as one-layer, three-layer and five-layer. Informations about the structure of the samples were obtained by taking electrical measurements. The effects of changes of layer numbers produced samples to electrical properties were studied. It was observed that Nanocrystals were charged that was due to the rapid increases in I-V curves. In addition, the hysteresis phenomenon was also observed in C-V measurement. This indicated that the charge storage effect resulted from the formed Ge nanocrystals. The highest slip obtained was found as 0,54 V in hysteresis among single layer samples. Capacitance-time (C-t) measurements were taken and the effect of layer numbers was investigated. Al ohmic contact was added to the samples hereby Metal Oxide Semiconductor structure was made available. Ohmic contact resistances were measured by using Transmission Line Method (TLM) and thus samples were checked for leakage. Ge nanocrystals were revealed with TEM images.

Benzer Tezler

  1. Nanokristalli metal oksit yarıiletken kapasitörlerin geliştirilmesi

    Improvement of mos capacitor with ge nanocrystals

    EREN CEM KAYİKCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEDAT AĞAN

  2. Mos (metal-oksit-yarıiletken) kapasitörlerde kapasitans ölçümleri

    Capacitance measurements of mos capacitors

    NEBİ MUSTAFA GÜMÜŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEDAT AĞAN

  3. Çok katlı Ge,SiGe nanokristal oluşumu ve nanokristalli metal oksit yarıiletken kapasitör uygulaması

    Fabrication of multilayer Ge, SiGe nanocrystals and it? s application in dot mos capacitor

    BEKTAŞ AKYAZI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKırıkkale Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEDAT AĞAN

  4. Structural and electical properties of flash memory cells with HfO2 tunnel oxide with/without nanocrystals

    Nanokristal içeren/içermeyen HfO2 tünel oksitinden oluşan bellek elemanlarının yapısal ve elektriksel özellikleri

    DÖNDÜ ŞAHİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. RAŞİT TURAN

  5. Exciton harvesting systems of nanocrystals

    Nanokristalli eksiton hasati sistemleri

    EVREN MUTLUGÜN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2011

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. HİLMİ VOLKAN DEMİR