Design of combined power amplifier using 0.35 micron SiGe HBT technology for IEEE 802.11a standard
0.35 mikron SiGe HBT teknolojisi ile IEEE 802.11a standardı için birleştirilmiş güç kuvvetlendiricisi tasarımı
- Tez No: 200350
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YAŞAR GÜRBÜZ, DOÇ. DR. İBRAHİM TEKİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Sabancı Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Bu tez çalışmasında, IEEE 802.11a Kablosuz Yerel Ağ standardına uygun 5GHz Radyo Frekansı (RF) güç kuvvetlendiricisi tasarımı yapılmış ve A sınıfı güç kuvvetlendiricisinin güç kazancı, verim, lineerlik, kazanç, çıkış gücü bakımından performansı ölçülmüştür. Kuvvetlendirici tasarımı, 100GHz ft'ye sahip AustriaMicroSystems (AMS) 0.35um SiGe BiCMOS HBT teknolojisi kullanılarak yapılmıştır. IEEE 802.11a standardı, UNII bandında iletilebilecek en yüksek çıkış gücünü tanımlamaktadır. Bu tanıma aynı zamanda 5.18-5.8GHz frekans bandındaki kuvvetlendiricinin çıkış gücü de girer ve şu şekilde tanımlanır: 40mW (5.18-5.24GHz), 200mW (5.26-5.32GHz) ve 800mW (5.74-5.8GHz). Güç kuvvetlendiricisi yüksek lineerliğe ulaşmak için A sınıfında çalışacak şekilde tasarlanmıştır ve besleme gerilimleri buna gore seçilmiştir. Tek katlı güç kuvvetlendiricisi tasarımından sonra, daha yüksek çıkış gücü elde etmek ve lineerliği arttırmak için Wilkinson güç birleştirme tekniği kullanılmıştır. İki tip devrenin davranışları karşılaştırılmış ve serimi yapılmıştır. Tüm simülasyonlar Agilent Design System (ADS) ve Cadence simülatörleri kullanılarak yapılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, a 5GHz Radio Frequency (RF) Power Amplifier (PA) design approach will be specified for IEEE 802.11a Wireless Local Area Network (WLAN) standard, and performance of Class-A PA will be specified in terms of power gain, Power Added Efficiency (PAE), linearity, gain, and output power. The amplifier design is based on AustriaMicroSystems (AMS) 0.35um SiGe BiCMOS HBT technology which has an ft of 100 GHz. IEEE 802.11a standard specifies the maximum power that can be transmitted in the Unlicensed National Information Infrastructure (UNII) band. These specifications are also the output power of the amplifier for frequency band of 5.18-5.8 GHz and specified as follows: 40mW (5.18- 5.24GHz), 200mW (5.26-5.32GHz) and 800mW (5.74-5.8GHz). The power amplifier is designed to operate in Class A to achieve high linearity and the bias points are chosen accordingly in order to preserve linearity. After the design of a single stage power amplifier, to reach higher output power and improve linearity, Wilkinson power combining technique is used in a new design. The behaviours of two kinds of circuits are compared and layouts are drawn. All the simulations are performed in Agilent Design System (ADS) and Cadence environments.
Benzer Tezler
- Power amplifier improvement techniques/circuits in 0.35 micron sige SiGe HBT Technology for 5 GHz wireless LAN band
0.35 mikron SiGe HBT Teknolojisi ile, 5 GHz kablosuz iletisim bandinda güç amfisi gelistirme teknikleri ve devreleri
CANAN KAVLAK
Yüksek Lisans
İngilizce
2006
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İBRAHİM TEKİN
- Design considerations, modeling and characterization of GaN HEMTs and design of high frequency and high power MMIC amplifiers
GaN HEMT yapılarının tasarımı, modellenmesi ve ölçümleri, ve yüksek hızlı ve yüksek güçlü MMIC yükselteçlerin tasarımı
ÖMER CENGİZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2011
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI
- GaN based high efficiency class AB power amplifier design for sub-6GHz 5G transmitter systems
6GHz altı 5G verici sistemleri için GaN tabalı yüksek verimliliğe sahip AB sınıfı güç kuvvetlendiricisi tasarımı
KUDRET ÜNAL
Yüksek Lisans
İngilizce
2021
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiElektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA BERKE YELTEN
- Design of a si-pin based gamma detector used for the assessment of environmental radioactivity
Çevresel radyasyon seviyesinin ölçümü için kullanılabilecek sı-pın bazlı bir gama dedektörünün tasarımı
GÖKÇEN TATAROĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CENAP ŞAHABETTİN ÖZBEN
- Bidirectional transceiver module for 8-28 GHz amplitude and phase errors in variable gain amplifiers
8-28 GHz faz dizili sistemler için çift yönlü alıcı/verici modülü ve değişken kazançlı kuvvetlendiricilerdeki genlik ve faz hatalarını düşürecek özgün yöntem
KUTAY ALTINTAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSabancı ÜniversitesiElektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAŞAR GÜRBÜZ