Geri Dön

Üçlü alaşım wurtzite InxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı

Band structure calculation of the wurtzite phase material, ternary alloy, InxGa1-xN

PDF İndir

  1. Tez No: 213128
  2. Yazar: SEVİL SARIKURT
  3. Danışmanlar: PROF.DR. İSMAİL SÖKMEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Yarıiletkenler, zincblende ve wurtzite yapılar, III-nitrat alaşımları, Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi, Vegard kuralı, Semiconductors, zincblende and wurtzite structures, III-nitride alloys, Density Funtional Theory, Vegard's law
  7. Yıl: 2007
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Dokuz Eylül Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 146

Özet

GaN, AlN ve InN gibi ikili bileşiklerle InAlN, AlGaN ve InGaN gibi üçlü alaşımlar günümüzde büyük önem taşımaktadır. Bu tür yarıiletken malzemeler elektronik sanayinin ve buna bağlı teknolojilerin ilerlemesi için sürekli araştırılmakta ve yüksek kalitede elektronik aletler geliştirilmektedir. III-V bileşiklerinin elektronik ve yapısal özelliklerinin belirlenmesini amaçlayan bu tezde, öncelikle kristal yapı hakkında genel bilgiler verilmektedir. Daha sonra kristal katıların enerji band yapılarını elde etmek için kullanılan elektronik yapı hesaplama yöntemleri incelenmiştir. Bu yöntemlerden Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi (DFT) kullanılmıştır. Tezin ilk kısmında GaN ve InN ikili bileşiklerin zincblende ve wurtzite yapıları incelenerek bu bileşiklerin yapısal özellikleri elde edilmiştir. Belirlenen yapısal parametreler kullanılarak GaN ve InN ikili bileşikler için enerji-band grafikleri çizdirilmiştir. Bu hesaplamalarda Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi'ne, düzlem dalgalara ve pseudopotansiyellere dayanan, Espresso'nun temel bileşenlerinden biri olan PWscf (Plane-Wave Self-Consistent Field - Düzlem Dalga öz-Uyumlu Alan) program seti kullanılmıştır. Tezin ikinci kısmında ise wurtzite InxGa1-xN alaşımının yapısal ve elektronik özellikleri elde edilmiştir. GaN ve InN enerji band aralıkları kullanılarak In elementinin her bir x bileşimine karşılık gelen enerji band aralıkları belirlenmiştir. Son kısımda ise elde edilen sonuçlar, deneysel sonuçlarla ve daha önce yapılmış olan çalışmalarla karşılaştırılmıştır.

Özet (Çeviri)

Nowadays, binary compounds such as GaN, AlN, InN and ternary alloys such as InAlN, AlGaN, InGaN are very important. These semiconductor materials are always being searched to improve the technology of electronics and its related industry and high quality electronic devices are produced. This thesis aims electronic and structural characteristics of III-V compounds. Firstly, general knowledge about crystal structure was given. After this, electronic structure calculation methods which are used to obtain energy-band structure of crystal solids are considered. In this thesis, Density Functional Theory (DFT) was used from these methods. At the ¯rst section of this thesis, zincblende and wurtzite structure of GaN and InN binary compounds were searched and obtained their structural characteristics. Using determined structural parameters, energy-band diagrams were plotted for GaN and InN binary compounds. In this calculations, PWscf program set which depends on DFT, plane waves and pseudopotentials and one of the basic components of espresso were used. At the second section of this thesis, electronic and structural characteristics of wurtzite InxGa1-xN alloy were obtained. The energy-band width of per x composition of In element were obtained by using the energy-band widths of GaN and InN. In the last section, results were compared with empirical results and previous works.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    243789

    Üçlü alaşım wurtzite AlxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı

    Band structure calculation of the wurtzite phase material, ternary alloy, AlxGa1-xN

    DİLEK KURALI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN

  2. Tez No

    352026

    Plasma-assisted atomic layer deposition of III-nitride thin films

    III-nitrür ince filmlerin plazma-destekli atomik katman biriktirme yöntemi ile büyütülmesi

    ÇAĞLA AKGÜN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2014

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI

  3. Tez No

    442274

    Investigation of structural and electronic properties of ZnCdTe ternary alloy nanostructures

    ZncCdTe üçlü alaşım nanoyapılarının yapıları ve elektronik özelliklerinin incelenmesi

    MUSTAFA KURBAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞAKİR ERKOÇ

  4. Tez No

    184421

    Cu-Mg-Si üçlü alaşım sisteminde magnezyumun aktivite ölçümleri ve faz diyagramının oluşturulması

    Activity measurements of Mg in the ternary system Cu-Mg-Si and the construction of its phase diagram

    ALİYE ARABACI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. İBRAHİM YUSUFOĞLU

  5. Tez No

    372727

    Fe-Cr-B üçlü alaşım topaklarının incelenmesi

    Investigation of Fe-Cr-B ternary alloy clusters

    ŞEVKET ARDA ATILGAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBozok Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA BÖYÜKATA

Geri Dön