Moleküler demet epitaksi ile üretilmiş pd-zr ince filmlerin karakterizasyonu
Characterization of deposited Pd-Zr thin films by moleculer beam epitaxy
- Tez No: 213996
- Danışmanlar: PROF. DR. EŞREF AVCI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Metalurji Mühendisliği, Mühendislik Bilimleri, Metallurgical Engineering, Engineering Sciences
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Sakarya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Bölümü
- Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 105
Özet
Moleküler demet epitaksi (MBE) yöntemi özellikle yarıiletken malzemelerin üretiminde kullanılan bir yöntemdir. MBE tekniği farklı bileşimlerin ve alaşımların epitaksiyel olarak büyümesine imkan tanır.Bu çalışmada Pd-Zr alaşımlarının MBE yöntemi ile ince film şeklinde üretimi sağlanmış ve ısıl işlemlerine bağlı olarak tane büyümesi faz değişimleri incelenmiştir. Pd-Zr alaşımı Si wafer üzerine MBE yöntemiyle biriktirilmiştir. Pd80-20Zr, Pd81-19Zr, Pd83-17Zr ve Pd85-15Zr ince filmleri 60°C'de 1 saat ön ısıtılmış, sonra 400°C ve 800°C'de ısıl işleme tabi tutulmuştur.Isıl işlem öncesinde ve sonrasında elde edilmiş ince filmlerin karakterizasyon işlemleri taramalı elektron mikroskobu (SEM), X-ışınları difraktometresi (XRD) ve EDX analizi kullanılarak gerçekleştirilmiştir.
Özet (Çeviri)
Molecular beam epitaxy is also used for the deposition of some types of semiconductors. MBE (molecular beam epitaxy) techniques allow the epitaxial growth of different compounds.In this study, thin films of Pd-Zr alloys have been manufactured by MBE techniques and the grain growth and phase changes have been analyzed due to the heat treatment processes. The thin films of Pd-Zr alloy have been deposited onto Si wafers. After pre heating of Pd80-20Zr, Pd81-19Zr, Pd83-17Zr and Pd85-15Zr thin films at 60°C for 1 hour, heat treatment processes we made at 400°C and 800°C for 24 hours.The characterization of the manufactured thin films before and after heat treatment processes have been performed by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffractometer (XRD) and EDX analyses.
Benzer Tezler
- Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications
Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması
HÜSEYİN ÇAKMAK
Doktora
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER
DOÇ. DR. ALPAN BEK
- Değişik yöntemlerle elde edilen CdS'ün optik ve elektriksel özelliklerinin karşılaştırılması
Comparison of optical and electrical properties of CdS obtained with different methods
HALİL HARUN SÜVÜT
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. M. CELALETTİN BAYKUL
- IngGaAs kızılötesi fotodedektör üretimi ve karakterizasyonu
The fabrication and characterization of InGaAs infrared photodetector
TARIK ASAR
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Seyreltik azotlu p-n eklem yapılarının MBE tekniği ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
Dilute nitride p-n junctions grown by MBE technique and their characterizations
TUNÇ SERTEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- III-V grubu uzay kalifiye güneş hücrelerinin geliştirilmesi
Development of III-V group space qualified solar cells
TUNÇ SERTEL
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK